行業(yè)背景 隨著工業(yè)技術(shù)的不斷發(fā)展，物聯(lián)網(wǎng)作為新興生產(chǎn)力正在改變?cè)S多行業(yè)的工作方式。在半導(dǎo)體芯片行業(yè)，自動(dòng)蝕刻機(jī)的物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用正在助力企業(yè)達(dá)到監(jiān)控設(shè)備更加便利、故障運(yùn)維更加高效、數(shù)據(jù)分析更加精準(zhǔn)等等
2024-03-20 17:52:39
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AMCOM的AM08012041WN-00-R/AM08012041WN-SN-R是款寬帶GaN MMIC功率放大器。AM08012041WN-00-R/AM08012041WN-SN-R在7.5到
2024-03-15 09:36:37
：電阻器件的數(shù)據(jù)手冊(cè)中通常會(huì)說明其制造工藝和材料類型，通過查閱相關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)可以進(jìn)一步確認(rèn)電阻是薄膜還是厚膜。
需要注意的是，有些電阻可能是混合型的，既有薄膜又有厚膜的特性，因此在判斷電阻類型時(shí)需綜合考慮多個(gè)因素。如果無法確定電阻的類型，可以咨詢相關(guān)技術(shù)人員或參考電阻器件的制造商的說明。
2024-03-07 07:49:07
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）功率GaN的大規(guī)模應(yīng)用，其實(shí)也只有六七年的歷史，從2018手機(jī)快速充電器上才正式吹響了普及的號(hào)角。目前，從晶體管來看，功率GaN主要的產(chǎn)品是HEMT（高電子遷移率晶體管
2024-02-28 00:13:001844 ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）繼去年英飛凌收購(gòu)GaN Systems之后，2024年1月，另一家汽車芯片大廠瑞薩也收購(gòu)了功率GaN公司Transphorm。 ? Transphorm在2022
2024-02-26 06:30:001551 
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，我們經(jīng)常聽到“薄膜制備技術(shù)”，“薄膜區(qū)”，“薄膜工藝”等詞匯，那么有厚膜嗎？答案是：有。
2024-02-25 09:47:42237 
蝕刻時(shí)間和過氧化氫濃度對(duì)ZnO玻璃基板的影響 本研究的目的是確定蝕刻ZnO薄膜的最佳技術(shù)。使用射頻濺射設(shè)備在玻璃基板上沉積ZnO。為了蝕刻ZnO薄膜，使用10%、20%和30%的過氧化氫（H2O2
2024-02-02 17:56:45306 
薄膜電容，在電子設(shè)備中經(jīng)常用到，是一種以金屬箔為電極，聚乙酯、聚丙烯等塑料薄膜作為電介質(zhì)從電極的兩端開始重疊，卷繞成圓筒形狀的電容器，因此也稱為塑料薄膜電容。
2024-01-23 17:30:31330 薄膜電阻與 厚膜電阻的共同特征在于，通過在耐熱基板的表面，涂覆一層薄膜狀的電阻材料而形成的電阻元件。薄膜與厚膜最直觀的差異就是這層“膜”（導(dǎo)電層）的厚度。厚膜電阻膜的厚度可以是薄膜電阻的上千倍。
2024-01-18 09:55:43542 
過程中起著重要的作用。這種制造過程通常需要與埋著的SiGe薄膜接觸。與這些埋地區(qū)域接觸需要蝕刻硅并在薄薄的SiGe層中停止。 因此，為了實(shí)現(xiàn)精確的圖案轉(zhuǎn)移，我們需要一種可控蝕刻的方法。不幸的是，針對(duì)SiGe選擇性的RIE技術(shù)尚未被發(fā)現(xiàn)。幸運(yùn)的是
2023-12-28 10:39:51131 
4H-SiC概述（生長(zhǎng)、特性、應(yīng)用）、Bulk及外延層缺陷、光致發(fā)光/拉曼光譜法/DLTS/μ-PCD/KOH熔融/光學(xué)顯微鏡，TEM，SEM/散射光等表征方法。
2023-12-28 10:38:03486 
芯片晶圓里TaN薄膜是什么？TaN薄膜的性質(zhì)、制備方法 TaN薄膜是一種在芯片晶圓制備過程中常用的材料。它具有高熔點(diǎn)、高硬度和良好的熱穩(wěn)定性，因此在芯片技術(shù)中應(yīng)用廣泛。本文將對(duì)TaN薄膜的性質(zhì)和制備
2023-12-19 11:48:16376 在微電子制造領(lǐng)域，光刻機(jī)和蝕刻機(jī)是兩種不可或缺的重要設(shè)備。它們?cè)谥圃彀雽?dǎo)體芯片、集成電路等微小器件的過程中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。然而，盡管它們?cè)诠δ苌嫌兴嗨疲诩夹g(shù)原理、應(yīng)用場(chǎng)景等方面卻存在著明顯的區(qū)別。本文將對(duì)光刻機(jī)和蝕刻機(jī)的差異進(jìn)行深入探討。
2023-12-16 11:00:09371 
基于GaN的高電子遷移率，晶體管，憑借其高擊穿電壓、大帶隙和高電子載流子速度，應(yīng)用于高頻放大器和高壓功率開關(guān)中。就器件制造而言，GaN的相關(guān)材料，如AlGaN，憑借其物理和化學(xué)穩(wěn)定性，為等離子體蝕刻
2023-12-13 09:51:24294 
GaN和相關(guān)合金由于其優(yōu)異的特性以及大的帶隙、高的擊穿電場(chǎng)和高的電子飽和速度而成為有吸引力的材料之一，與優(yōu)化工藝過程相關(guān)的成熟材料是有源/無源射頻光電子器件近期發(fā)展的關(guān)鍵問題。專用于三元結(jié)構(gòu)的干法蝕刻工藝特別重要，因?yàn)檫@種器件通常包括異質(zhì)結(jié)構(gòu)。因此，GaN基光電器件的制造部分或全部依賴于干法刻蝕。
2023-12-11 15:04:20188 
GaN 技術(shù)的過去和現(xiàn)在
2023-12-06 18:21:00432 
GaN 如何改變了市場(chǎng)
2023-12-06 17:10:56186 
按工藝要求排放出部分比重高的溶液經(jīng)分析后補(bǔ)加氯化銨和氨的水溶液，使蝕刻液的比重調(diào)整到工藝充許的范圍。
2023-12-06 15:01:46286 氮化鎵（GaN）功率器件具有高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高熱導(dǎo)率、低導(dǎo)通和開關(guān)損耗、射頻功率放大器、直流至直流（DC-DC）變換器、薄膜和二維GaN器件、高電子遷移率等特點(diǎn)，用于制造高頻、高功率密度和高效率的功率電子器件
2023-12-06 10:04:03350 
GaN是常用半導(dǎo)體材料中能隙最寬、臨界場(chǎng)最大、飽和速度最高的材料。
2023-12-06 09:28:15913 
GaN和InGaN基化合物半導(dǎo)體和其他III族氮化物已經(jīng)成功地用于實(shí)現(xiàn)藍(lán)-綠光發(fā)光二極管和藍(lán)光激光二極管。由于它們優(yōu)異的化學(xué)和熱穩(wěn)定性，在沒有其它輔助的情況下，在GaN和InGaN基材料上的濕法蝕刻是困難的，并且導(dǎo)致低的蝕刻速率和各向同性的蝕刻輪廓。
2023-12-05 14:00:22220 
GaN是否可靠？
2023-12-05 10:18:41169 
GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導(dǎo)體最近被深入研究。為了實(shí)現(xiàn)GaN基器件的良好性能，GaN的處理技術(shù)至關(guān)重要。目前英思特已經(jīng)嘗試了許多GaN蝕刻方法，大部分GaN刻蝕是通過等離子體刻蝕來完成
2023-12-01 17:02:39259 
由于其獨(dú)特的材料特性，III族氮化物半導(dǎo)體廣泛應(yīng)用于電力、高頻電子和固態(tài)照明等領(lǐng)域。加熱的四甲基氫氧化銨(TMAH)和KOH3處理的取向相關(guān)蝕刻已經(jīng)被用于去除III族氮化物材料中干法蝕刻引起的損傷，并縮小垂直結(jié)構(gòu)。
2023-11-30 09:01:58166 
GaN基高電子遷移率晶體管（HEMT）由于其高頻和低導(dǎo)通電阻的特性，近來在功率開關(guān)應(yīng)用中引起了廣泛關(guān)注。二維電子氣（2DEG）是由AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)中強(qiáng)烈的自發(fā)和壓電極化效應(yīng)引起的，這導(dǎo)致傳統(tǒng)器件通常處于導(dǎo)通狀態(tài)，即耗盡模式。
2023-11-27 10:37:47293 
，雖然已經(jīng)發(fā)現(xiàn)KOH基溶液可以蝕刻AlN和InAlN，但是之前還沒有發(fā)現(xiàn)能夠蝕刻高質(zhì)量GaN的酸或堿溶液。在本文中，英思特通過使用乙二醇而不是水作為KOH和NaOH的溶劑，開發(fā)了一種將晶體表面蝕刻為III族氮化物的兩步法。
2023-11-24 14:10:30241 
蝕刻設(shè)備的結(jié)構(gòu)及不同成分的蝕刻液都會(huì)對(duì)蝕刻因子或側(cè)蝕度產(chǎn)生影響，或者用樂觀的話來說，可以對(duì)其進(jìn)行控制。采用某些添加劑可以降低側(cè)蝕度。這些添加劑的化學(xué)成分一般屬于商業(yè)秘密，各自的研制者是不向外界透露的。至于蝕刻設(shè)備的結(jié)構(gòu)問題，后面的章節(jié)將專門討論。
2023-11-14 15:23:10217 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《玻璃基離子交換型和熔融拉錐型多模光分路器對(duì)比.doc》資料免費(fèi)下載
2023-11-02 14:29:28
0 GaN近期為何這么火？如果再有人這么問你，你可以這樣回答：因?yàn)槲覀冸x不開電源。
2023-11-02 10:32:041265 
亞甲藍(lán)溶液測(cè)試儀是一種用于檢測(cè)密封性的重要工具，通過負(fù)壓法來評(píng)估容器或管道的密封性能。該儀器利用真空泵將亞甲藍(lán)溶液抽入測(cè)試室，然后將測(cè)試室密封，觀察測(cè)試室內(nèi)的壓力變化情況來確定密封性能的好壞。本文將
2023-10-18 16:43:33
蝕刻液的化學(xué)成分的組成：蝕刻液的化學(xué)組分不同，其蝕刻速率就不相同，蝕刻系數(shù)也不同。如普遍使用的酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數(shù)通常是&；堿性氯化銅蝕刻液系數(shù)可達(dá)3.5-4。而正處在開發(fā)階段的以硝酸為主的蝕刻液可以達(dá)到幾乎沒有側(cè)蝕問題，蝕刻后的導(dǎo)線側(cè)壁接近垂直。
2023-10-16 15:04:35553 氮化鎵(GaN)具有六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)，直接帶隙約為3.4eV，目前已成為實(shí)現(xiàn)藍(lán)光發(fā)光二極管(led)的主導(dǎo)材料。由于GaN的高化學(xué)穩(wěn)定性，在室溫下用濕法化學(xué)蝕刻來蝕刻或圖案化GaN是非常困難的。與濕法
2023-10-12 14:11:32244 
寬帶隙GaN基高電子遷移率晶體管(HEMTs)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(fet)能夠提供比傳統(tǒng)Si基高功率器件更高的擊穿電壓和電子遷移率。常關(guān)GaN非常需要HEMT來降低功率并簡(jiǎn)化電路和系統(tǒng)架構(gòu)，這是GaN HEMT技術(shù)的主要挑戰(zhàn)之一。凹進(jìn)的AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)是實(shí)現(xiàn)常關(guān)操作的有用選擇之一。
2023-10-10 16:21:11291 
腐蝕pcb板的溶液按抗蝕層類型與生產(chǎn)條件而選擇：有酸性氯化銅、堿性氯化銅、三氯化鐵、硫酸與過氧化氫、過硫酸鹽等多種。下面捷多邦小編和大家介紹一下腐蝕pcb板的溶液的一些知識(shí)。 三氯化鐵的蝕刻液是銅箔
2023-10-08 09:50:22735 GaN及相關(guān)合金可用于制造藍(lán)色/綠色/紫外線發(fā)射器以及高溫、高功率電子器件。由于 III 族氮化物的濕法化學(xué)蝕刻結(jié)果有限，因此人們投入了大量精力來開發(fā)干法蝕刻工藝。干法蝕刻開發(fā)一開始集中于臺(tái)面結(jié)構(gòu)，其中需要高蝕刻速率、各向異性輪廓、光滑側(cè)壁和不同材料的同等蝕刻。
2023-10-07 15:43:56319 
一站式PCBA智造廠家今天為大家講講pcb打樣蝕刻工藝注意事項(xiàng)有哪些?PCB打樣蝕刻工藝注意事項(xiàng)。PCB打樣中，在銅箔部分預(yù)鍍一層鉛錫防腐層，保留在板外層，即電路的圖形部分，然后是其余的銅箔被化學(xué)方法腐蝕，稱為蝕刻。
2023-09-18 11:06:30670 諸多應(yīng)用難點(diǎn)，極高的開關(guān)速度容易引發(fā)振蕩，過電流和過電壓導(dǎo)致器件在高電壓場(chǎng)合下容易失效[2]。 GaN HEMT 的開通門限電壓和極限柵源電壓均明顯低于 MOS鄄FET，在橋式拓?fù)涞膽?yīng)用中容易發(fā)生誤
2023-09-18 07:27:50
薄膜電阻和厚膜電阻的區(qū)別1.結(jié)構(gòu):-薄膜電阻:薄膜電阻是通過在絕緣基板上沉積金屬或合金薄膜形成的。常用的薄膜材料有鉑、鎳鉻合金等。薄膜通常具有光滑且均勻的厚度，形成電阻元件的形狀和尺寸是通過光刻
2023-09-15 11:07:402118 
工業(yè)上制備傳統(tǒng)塑料薄膜的主要方法有擠出吹塑法、擠出流延法（含雙向拉伸）、壓延法、溶液流延法等。其中高性能塑料薄膜的制備方法主要有擠出吹塑法、擠出流延法、溶液流延法等，前兩種方法是工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)的首選方法，而溶液流延法因受環(huán)境保護(hù)等的限制，目前主要是實(shí)驗(yàn)室研究制樣用。
2023-09-13 15:36:09767 
薄膜式鍵盤是一種常見的輸入設(shè)備，它由一層薄膜電路板和一層觸摸膜組成。薄膜電路板上印有導(dǎo)電圖案，而觸摸膜則具有與之對(duì)應(yīng)的按鍵區(qū)域。
2023-09-07 18:22:15815 
要注意的是，蝕刻時(shí)的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻掉的，其余的將形成最終所需要的電路。這種類型的圖形電鍍,其特點(diǎn)是鍍銅層僅存在于鉛錫抗蝕層的下面。
2023-09-07 14:41:12474 
在消費(fèi)類應(yīng)用領(lǐng)域，由于快速充電器的快速增長(zhǎng)，GaN 技術(shù)在 2020-2021 跨越了鴻溝，目前其他交直流應(yīng)用場(chǎng)景中也采用了GaN? 帶有嵌入式驅(qū)動(dòng)程序 / 控制器（MasterGaN、VIPerGaN）的系統(tǒng)封裝 (SiP) 由于集成簡(jiǎn)單，將有助于更廣泛的使用
2023-09-07 07:20:19
在印制板外層電路的加工工藝中，還有另外一種方法，就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻工藝，可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻。
2023-09-06 09:36:57811 
單芯片半橋式STDRIVEG600柵極驅(qū)動(dòng)器專為特定的GaN FET驅(qū)動(dòng)要求而設(shè)計(jì)，具有較短的45ns傳播延遲和低至5V的工作電壓。STDRIVEG600通過較高的共模瞬態(tài)抗擾度、一套集成式保護(hù)功能
2023-09-05 06:58:54
應(yīng)用程序: 本樣本代碼使用 M031BT 來做藍(lán)牙電牙刷溶液 。
BSP 版本: M031_Series_BSP_CMSIS_V3.05.000
硬件: nuvoton 核_M031BT 藍(lán)牙
2023-08-29 07:40:54
我們?nèi)A林科納通過光學(xué)反射光譜半實(shí)時(shí)地原位監(jiān)測(cè)用有機(jī)堿性溶液的濕法蝕刻，以實(shí)現(xiàn)用于線波導(dǎo)的氫化非晶硅（a-Si:H）膜的高分辨率厚度控制。由a-Si:H的本征各向同性結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的各向同性蝕刻導(dǎo)致表面
2023-08-22 16:06:56239 
半導(dǎo)體蝕刻設(shè)備是半導(dǎo)體製造過程中使用的設(shè)備。 化學(xué)溶液通過將晶片浸入化學(xué)溶液（蝕刻劑）中來選擇性地去除半導(dǎo)體晶片的特定層或區(qū)域，化學(xué)溶液溶解并去除晶片表面所需的材料。
2023-08-15 15:51:58319 PCB蝕刻工藝中的“水池效應(yīng)”現(xiàn)象，通常發(fā)生在頂部，這種現(xiàn)象會(huì)導(dǎo)致大尺寸PCB整個(gè)板面具有不同的蝕刻質(zhì)量。
2023-08-10 18:25:431013 產(chǎn)品簡(jiǎn)介“只需輕輕一按，試驗(yàn)會(huì)自動(dòng)完成”是本儀器的操作特點(diǎn)。我公司HM203全自動(dòng)水溶性酸測(cè)試儀（比色法）是根據(jù)中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T7598-2008運(yùn)行中變壓器油水溶性酸
2023-07-25 09:41:41
蝕刻是一種從材料上去除的過程。基片表面上的一種薄膜基片。當(dāng)掩碼層用于保護(hù)特定區(qū)域時(shí)在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-14 11:13:32183 
蝕刻是一種從材料上去除的過程。基片表面上的一種薄膜基片。當(dāng)掩碼層用于保護(hù)特定區(qū)域時(shí)在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-12 09:26:03190 
隨著集成電路互連線的寬度和間距接近3pm，鋁和鋁合金的等離子體蝕刻變得更有必要。為了防止蝕刻掩模下的橫向蝕刻，我們需要一個(gè)側(cè)壁鈍化機(jī)制。盡管AlCl和AlBr都具有可觀的蒸氣壓，但大多數(shù)鋁蝕刻的研究
2023-06-27 13:24:11318 
CMOS和MEMS制造技術(shù)，允許相對(duì)于其他薄膜選擇性地去除薄膜，在器件集成中一直具有很高的實(shí)用性。這種化學(xué)性質(zhì)非常有用，但是當(dāng)存在其他材料并且也已知在HF中蝕刻時(shí)，這就成了問題。由于器件的靜摩擦、緩慢的蝕刻速率以及橫向或分層膜的蝕刻速率降低，濕法化學(xué)也會(huì)有問題。
2023-06-26 13:32:441053 
GaN和MOS與理想開關(guān)波形的對(duì)比
Class D應(yīng)用中的關(guān)鍵拓?fù)涫前霕蚰孀冸娐罚ㄟ^半橋GaN器件的互補(bǔ)導(dǎo)通從而可以逆變輸出對(duì)應(yīng)的交流信號(hào)。為驗(yàn)證三安集成200V 20mΩ GaN EHEMT器件在逆
2023-06-25 15:59:21
GaN在單片功率集成電路中的工業(yè)應(yīng)用日趨成熟
2023-06-25 10:19:10
GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
GaN功率半導(dǎo)體集成驅(qū)動(dòng)性能
2023-06-21 13:24:43
GaN功率半導(dǎo)體器件集成提供應(yīng)用性能
2023-06-21 13:20:16
升級(jí)到半橋GaN功率半導(dǎo)體
2023-06-21 11:47:21
GaN功率集成電路技術(shù):過去，現(xiàn)在和未來
2023-06-21 07:19:58
低規(guī)格GaN快速充電器的脈沖ACF
2023-06-19 12:09:55
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場(chǎng)的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率集成電路的進(jìn)展:效率、可靠性和自主性
2023-06-19 09:44:30
GaN功率集成電路
2023-06-19 08:29:06
GaN功率集成電路可靠性的系統(tǒng)方法
2023-06-19 06:52:09
GaN技術(shù)實(shí)現(xiàn)快速充電系統(tǒng)
2023-06-19 06:20:57
標(biāo)準(zhǔn)1U CRPS (90mm × 30.5 mm × 11mm)。通過利用卓越的性能在GaN HEMT集成電路中，我們已經(jīng)能夠?qū)㈤_關(guān)頻率推到600 kHz以上，同時(shí)保持97.5%的效率。當(dāng)結(jié)合行業(yè)領(lǐng)先的圖騰柱PFC，峰值整個(gè)系統(tǒng)的效率達(dá)到80Plus制定的Titanium標(biāo)準(zhǔn)。
2023-06-16 11:01:43
器件尺寸的不斷縮小促使半導(dǎo)體工業(yè)開發(fā)先進(jìn)的工藝技術(shù)。近年來，原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經(jīng)成為小型化的重要加工技術(shù)。ALD是一種沉積技術(shù)，它基于連續(xù)的、自限性的表面反應(yīng)。ALE是一種蝕刻技術(shù)，允許以逐層的方式從表面去除材料。ALE可以基于利用表面改性和去除步驟的等離子體或熱連續(xù)反應(yīng)。
2023-06-15 11:05:05526 
為了提供更優(yōu)良的靜電完整性，三維(3D)設(shè)計(jì)（如全圍柵(GAA)場(chǎng)電子晶體管(FET )）預(yù)計(jì)將在互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)中被采用。3D MOS架構(gòu)為蝕刻應(yīng)用帶來了一系列挑戰(zhàn)。雖然平面設(shè)備更多地依賴于各向異性蝕刻，但是3D設(shè)備在不同材料之間具有高選擇性，需要更多的各向異性蝕刻能力。
2023-06-14 11:03:531779 
等離子體蝕刻是氮化鎵器件制造的一個(gè)必要步驟，然而，載體材料的選擇可能會(huì)實(shí)質(zhì)上改變蝕刻特性。在小型單個(gè)芯片上制造氮化鎵（GaN）設(shè)備，通常會(huì)導(dǎo)致晶圓的成本上升。在本研究中，英思特通過鋁基和硅基載流子來研究蝕刻過程中蝕刻速率、選擇性、形貌和表面鈍化的影響。
2023-05-30 15:19:54452 
納米片工藝流程中最關(guān)鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的，并使用氟化化學(xué)。優(yōu)化內(nèi)部間隔蝕刻（壓痕）和通道釋放步驟，以極低的硅損失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111071 
過去利用堿氫氧化物水溶液研究了硅的取向依賴蝕刻，這是制造硅中微結(jié)構(gòu)的一種非常有用的技術(shù)。以10M氫氧化鉀（KOH）為蝕刻劑，研究了單晶硅球和晶片的各向異性蝕刻過程，測(cè)量了沿多個(gè)矢量方向的蝕刻速率，用單晶球發(fā)現(xiàn)了最慢的蝕刻面。英思特利用這些數(shù)據(jù)，提出了一種預(yù)測(cè)不同方向表面的傾角的方法
2023-05-29 09:42:40618 
蝕刻可能是濕制程階段最復(fù)雜的工藝，因?yàn)橛泻芏嘁蛩貢?huì)影響蝕刻速率。如果不保持這些因素的穩(wěn)定，蝕刻率就會(huì)變化，因而影響產(chǎn)品質(zhì)量。如果希望利用一種自動(dòng)化方法來維護(hù)蝕刻化學(xué)，以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:31575 
一般適用于多層印制板的外層電路圖形的制作或微波印制板陰板法直接蝕刻圖形的制作抗蝕刻 圖形電鍍之金屬抗蝕層如鍍覆金、鎳、錫鉛合金
2023-05-18 16:23:484918 蝕刻是微結(jié)構(gòu)制造中采用的主要工藝之一。它分為兩類：濕法蝕刻和干法蝕刻，濕法蝕刻進(jìn)一步細(xì)分為兩部分，即各向異性和各向同性蝕刻。硅濕法各向異性蝕刻廣泛用于制造微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的硅體微加工和太陽能電池應(yīng)用的表面紋理化。
2023-05-18 09:13:12700 
而導(dǎo)致煙氣的酸露點(diǎn)升高。當(dāng)排煙溫度低于煙氣酸露點(diǎn)溫度時(shí)，H2SO4蒸汽會(huì)黏貼在煙道和換熱器中形成H2SO4溶液，進(jìn)而腐蝕設(shè)備，導(dǎo)致?lián)Q熱器泄漏和煙道損壞。
S+O2 —— SO2
SO2+O2
2023-05-13 11:37:51
薄膜電容是一種常用的基礎(chǔ)的電子元件，一般出現(xiàn)在電子產(chǎn)品電路中，以塑料薄膜為介質(zhì)，金屬箔或金屬化薄膜作為電極，
2023-05-04 18:08:44392 到目前為止我們已知的GaN有三種晶體結(jié)構(gòu)，它們分別為纖鋅礦（Wurtzite）、閃鋅礦（Zincblende）和巖鹽礦（Rocksalt）。通常的情況下纖鋅礦是最穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)。目前學(xué)術(shù)上在薄膜的外延
2023-04-29 16:41:0012094 
由于 GaN 具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢(shì)，GaN 充電器的運(yùn)行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100 倍。GaN 在電力電子領(lǐng)域主要優(yōu)勢(shì)在于高效率、低損耗與高頻率，GaN 材料的這一特性令其在充電器行業(yè)大放異彩。
2023-04-25 15:08:212335 
薄膜按鍵都是“按鍵+薄膜”的基本結(jié)構(gòu)，所以，按鍵的手感、特色等很大方面都取決于薄膜按鍵的設(shè)計(jì)。考慮到開關(guān)觸點(diǎn)的分離和回彈的可靠性，薄膜的厚度一般選擇在為佳,過薄回彈無力，觸點(diǎn)分離不靈敏。薄膜按鍵
2023-04-21 11:02:191389 
的工藝流程如下： 鉆孔板→去毛刺→去鉆污→清潔調(diào)整處理→水洗→粗化→水洗→預(yù)浸→活化處理→水洗→加速處理→水洗→化學(xué)鍍銅→二級(jí)逆流漂洗→水洗→浸酸→電鍍銅加厚→水洗→干燥。 由于化學(xué)鍍銅溶液中的甲醛
2023-04-20 15:25:28
是否有關(guān)于 NXP GaN 放大器長(zhǎng)期記憶的任何詳細(xì)信息。數(shù)據(jù)表說“專為低復(fù)雜性線性系統(tǒng)設(shè)計(jì)”。長(zhǎng)期記憶是否不再是當(dāng)前幾代 GaN 器件的關(guān)注點(diǎn)？這是整個(gè)產(chǎn)品堆棧嗎？
2023-04-17 06:12:19
反應(yīng)離子蝕刻 (RIE)是一種干法蝕刻工藝，與半導(dǎo)體工業(yè)中使用的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)方法兼容。
2023-04-14 14:26:161253 
干法蝕刻與濕法蝕刻之間的爭(zhēng)論是微電子制造商在項(xiàng)目開始時(shí)必須解決的首要問題之一。必須考慮許多因素來決定應(yīng)在晶圓上使用哪種類型的蝕刻劑來制作電子芯片，是液體（濕法蝕刻）還是氣體（干法蝕刻）
2023-04-12 14:54:331004 濕法蝕刻工藝的原理是使用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物。選擇性非常高
2023-04-10 17:26:10453 
，減少SO3的產(chǎn)生，可以JD煙氣的酸露點(diǎn)溫度。3.其它影響因素 煙氣中的水蒸氣濃度越大，產(chǎn)生H2SO4的機(jī)會(huì)越大，煙氣的酸露點(diǎn)就會(huì)越高。另外爐膛和煙道的負(fù)壓、爐體內(nèi)的溫度分布不均勻、換熱器泄漏造成溫度
2023-04-06 11:21:09
經(jīng)常定制薄膜開關(guān)和薄膜面板時(shí)候，對(duì)其步驟卻不甚了解，對(duì)此，雨菲跟大家分享薄膜開關(guān)和薄膜面板定制的步驟。
2023-03-29 17:02:451701 
印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過程是一個(gè)比較復(fù)雜的物理和化學(xué)反應(yīng)的過程，本文就對(duì)其最后的一步--蝕刻進(jìn)行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在
2023-03-29 10:04:07886 BM02B-ACHLKS-GAN-ETF
2023-03-28 14:51:28
薄膜電阻應(yīng)用于光通訊、 射頻微波毫米波通訊，如放大、耦合、衰減、濾波等模塊電路。電阻網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用于微波集成電路中，能夠縮小電路板空間，降低元器件成本。薄膜衰減器應(yīng)用于光通訊、微波集成電路模塊，其
2023-03-28 14:19:17
大家好，隨著家電行業(yè)的快速發(fā)展，市場(chǎng)需求對(duì)于薄膜開關(guān)越來越嚴(yán)格，那么薄膜開關(guān)生產(chǎn)出來之后需要做哪些檢查呢？下面就嘗試寫給大家分享下吧： 1、先要知自己規(guī)劃的有用尺度，如正陽，反陽，正陰，反陰
2023-03-27 15:39:12
GAN041-650WSB/SOT429/TO-247
2023-03-27 14:36:14
在濕蝕刻的情況下，隨著SiNx/SiOy層的厚度減小，剩余的SiOy層由于表面張力而坍塌，蝕刻溶液對(duì)孔的滲透變得更具挑戰(zhàn)性。
2023-03-27 10:17:49402 
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