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電子發燒友網>今日頭條>通過表面分析評估Cu-CMP工藝

通過表面分析評估Cu-CMP工藝

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2021-08-09 14:00:03

CU1647-000 CU1647-000 纜到纜接續

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2021-08-10 16:00:03

CU1639-000 CU1639-000 纜到纜接續

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2021-08-10 22:00:04

安集科技王雨春博士:CMP的藝術,以材料創新助力中國創“芯”

隨著先進工藝節點的尺度微縮和3D IC的縱向延伸,CMP拋光的工藝創新需要在納米尺度材料界面有不斷的認知和探索。
2021-11-08 11:36:241126

混合清潔法減少銅后CMP缺陷的實驗報告

、異物、泥漿磨料、劃痕和中空金屬工藝。它還消除了在輥子刷清潔過程中間歇性發生的圓環缺陷。TXRF掃描確認在使用混合清潔過程時AlOx缺陷的減少。XPS光譜顯示了堿性和雜化清潔過程之間相似的銅表面氧化態。通過使用新的清潔工藝,可以提高短期和開放的產量。討論了巨大的缺陷減少效益的潛在機制。
2022-01-27 16:53:00383

DHF在氧化后CMP清洗工藝中的應用

晶圓-機械聚晶(CMP)過程中產生的漿體顆粒對硅晶片表面的污染對設備工藝中收率(Yield)的下降有著極大的影響。
2022-03-14 10:50:141077

半導體制造CMP工藝后的清洗技術

的半導體芯片的結構也變得復雜,包括從微粉化一邊倒到三維化,半導體制造工藝也變得多樣化。其中使用的材料也被迫發生變化,用于制造的半導體器件和材料的技術革新還沒有停止。為了解決作為半導體制造工藝之一的CMP
2022-03-21 13:39:083886

采用化學機械拋光(CMP)工藝去除機理

采用化學機械拋光(CMP)工藝,在半導體工業中已被廣泛接受氧化物電介質和金屬層平面化。使用它以確保多層芯片之間的互連是實現了介質材料的可靠和厚度是一致且充分的。在CMP過程中,晶圓是當被載體
2022-03-23 14:17:511643

晶硅晶片表面組織工藝優化研究

本文章將對表面組織工藝優化進行研究,多晶硅晶片表面組織化工藝主要分為干法和濕法,其中利用酸或堿性溶液的濕法蝕刻工藝在時間和成本上都比較優秀,主要適用于太陽能電池量產工藝。本研究在多晶晶片表面組織化工藝
2022-03-25 16:33:49516

半導體制造工序中CMP后的晶圓清洗工序

CMP裝置被應用于納米級晶圓表面平坦化的拋光工藝。拋光顆粒以各種狀態粘附到拋光后的晶片表面。必須確實去除可能成為產品缺陷原因的晶圓表面附著物,CMP后的清洗技術極為重要。在本文中,關于半導體制造工序
2022-04-18 16:34:342912

聚乙烯醇刷非接觸洗滌對CMP后清洗的影響

全接觸洗滌被認為是去除晶圓表面污染的最佳有效清潔方法之一。為了使刷與晶片之間的小間隙最大限度地增加水動力阻力,在晶片上安裝了壓電傳感器(圓片型)。為了研究磨料顆粒在Cu和PETEOS(等離子體增強
2022-05-06 15:24:47298

表面波濾波器行業市場未來發展趨勢分析及投資規模評估預測咨詢

表面波濾波器行業市場未來發展趨勢分析及投資規模評估預測咨詢
2022-07-20 18:24:311487

芯片制造工藝:平坦化技術

平整度(DP)描述了從微米到毫米范圍內硅片表面的起伏變化,具體是指對于某一臺階處,在完成CMP工藝之后這個位置硅片表面的平整程度。
2022-10-26 11:38:49942

化學機械拋光工藝(Chemical Mechanical Polishing,CMP

CMP 所采用的設備及耗材包括拋光機、拋光液(又稱研磨液)、拋光墊、拋光后清洗設備、拋光終點(End Point)檢測及工藝控制設備、廢物處理和檢測設備等。
2022-11-08 09:48:1211572

PCB表面處理工藝有哪些?

機涂覆工藝不同于其他表面處理工藝,它是在銅和空氣間充當阻隔層;有機涂覆工藝簡單、成本低廉,這使得它能夠在業界廣泛使用。
2022-12-26 09:55:16945

不同PCB板表面處理工藝的優缺點和適用場景

今天帶大家了解PCB板的表面工藝,對比一下不同的PCB板表面處理工藝的優缺點和適用場景。
2023-04-14 13:20:141506

先進封裝之熱壓鍵合工藝的基本原理

熱壓鍵合工藝的基本原理與傳統擴散焊工藝相同,即上下芯片的Cu 凸點對中后直接接觸,其實現原子擴散鍵合的主要影響參數是溫度、壓力、時間. 由于電鍍后的Cu 凸點表面粗糙并存在一定的高度差。
2023-05-05 11:30:171380

抓出半導體工藝中的魔鬼-晶圓表面金屬污染分析

早先對于晶圓表面金屬的濃度檢測需求為1010atoms/cm2,隨著工藝演進,偵測極限已降至108 atoms/cm2,可以滿足此分析需求的技術以全反射式熒光光譜儀(Total Reflection X-ray Fluorescence, TXRF)與感應耦合電漿質譜儀 (ICP-MS) 兩種為主
2023-05-24 14:55:572148

一文詳解CMP設備和材料

在前道加工領域:CMP 主要負責對晶圓表面實現平坦化。晶圓制造前道加工環節主要包括7個相互獨立的工藝流程:光刻、刻蝕、薄膜生長、擴散、離子注入、化學機械拋光、金屬化 CMP 則主要用于銜接不同薄膜工藝,其中根據工藝段來分可以分為前段制程(FEOL)和后段制程(BEOL)
2023-07-10 15:14:333567

cmp是什么意思 cmp工藝原理

段來分可以分為前段制程(FEOL)和后段制程(BEOL),前段制程工藝主要為 STI-CMP 和 Poly-CMP,后段制程工藝主要為介質層 ILD-CMP、IMD-CMP 以及金屬層 W-CMPCu-CMP 等。
2023-07-18 11:48:183030

怎么通過顏色辨別PCB表面處理工藝

一站式PCBA智造廠家今天為大家講講如何通過顏色辨別PCB表面處理工藝?通過顏色辨別PCB表面處理工藝。電路板的表面外層通常有三種顏色:金色、銀色、淺紅色。金色最貴,銀色較便宜,淺紅色最便宜。那么
2023-08-21 09:16:01394

如何使用AT32F415比較器(CMP)?

如何使用AT32F415比較器(CMP)?
2023-11-01 17:17:16316

先進封裝廠關于Bump尺寸的管控:BOKI_1000粗糙度測量設備-凹凸計量系統

以粗糙度指標為例,電鍍工藝后的Cu 表面粗糙并存在一定的高度差,所以鍵合前需要對其表面進行平坦化處理,如化學機械拋光(CMP),使得鍵合時Cu 表面能夠充分接觸,實現原子擴散,由此可見把控Bump
2023-08-17 09:44:330

等離子體基銅蝕刻工藝及可靠性

近年來,銅(Cu)作為互連材料越來越受歡迎,因為它具有低電阻率、不會形成小丘以及對電遷移(EM)故障的高抵抗力。傳統上,化學機械拋光(CMP)方法用于制備銅細線。除了復雜的工藝步驟之外,該方法的一個顯著缺點是需要許多對環境不友好的化學品,例如表面活性劑和強氧化劑。
2023-11-08 09:46:21188

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