色哟哟视频在线观看-色哟哟视频在线-色哟哟欧美15最新在线-色哟哟免费在线观看-国产l精品国产亚洲区在线观看-国产l精品国产亚洲区久久

電子發燒友App

硬聲App

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

電子發燒友網>模擬技術>IGBT/功率器件>IGBT的電流是怎么定義的?

IGBT的電流是怎么定義的?

收藏

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴

評論

查看更多

相關推薦

逆變H橋IGBT單管驅動及保護

大家都知道,IGBT單管相當的脆弱,同樣電流容量的IGBT單管,比同樣電流容量的MOSFET脆弱多了,也就是說,在逆變H橋里頭,MOSFET上去沒有問題,但是IGBT上去,可能開機帶載就炸了
2011-12-29 17:22:406450

igbt模塊的作用 igbt模塊內部結構圖

? IGBT模塊內部 雜散電感的定義 IGBT半橋逆變電路工作原理以及當IGBT1開通關斷時的電壓電流波形如圖1所示,Lσ代表整個換流回路(條紋區域內)所有的雜散電感之和(電容器,母排,IGBT模塊
2023-08-18 09:08:182225

IGBT穩態分析—電流與電荷分布的初步分析(1)

IGBT作為大功率雙極型開關器件,持續工作在大注入、低增益的狀態下,關斷過程中因為電子電流、空穴電流關斷不同步
2023-12-01 10:29:12284

IGBT電流增加有哪些原因

IGBT(絕緣柵雙極晶體管)漏電流增加的原因有多種,以下是對這些原因的分析: 正向電壓的增加 :當IGBT的控制極壓加上一定的電壓時,例如正向電壓,漏結區就會被壓縮。這時候漏極和源極之間就會產生
2023-12-13 16:01:59847

1000V電壓,10歐姆電阻,電流電流為什么不是100A(pspice仿真,使用IGBT開關)

IGBT導通后,電源1000V,電阻100Ω,仿真出電路電流10A(如圖1、圖2),這個沒問題。但電源1000V,電阻10Ω,仿真出電流為什么不是100A(如圖3、圖4)?是IGBT引起的嗎? 圖1 圖2 圖3 圖4
2023-05-25 11:47:38

IGBT

的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常
2012-07-25 09:49:08

IGBT 系統設計

,還有一個時間為開通延遲時間td.on:td.on=Ton-Tr.i  IGBT在關斷過程  IGBT在關斷過程中,漏極電流的波形變為兩段。第一段是按照MOS管關斷的特性的  第二段是在MOSFET關斷
2011-08-17 09:26:02

IGBT中頻電源并聯諧振式電流型逆變器原理 字號:+ -

IGBT中頻電源并聯諧振式電流型逆變器原理 IGBT中頻電源并聯諧振式電流型逆變器的基本電路如圖所示。 電流型逆變器的直流電源中串聯了大電感厶,因而負載電流是恒定的,不受負載阻抗變化的影響。當負載
2013-02-21 21:02:50

IGBT低壓短路關斷測試,電流波形異常?

`驅動器用的是infineon的1EDI2002AS+1EBN1001AE,驅動部分原理圖如下:測試方法如下:本來想做去飽和測試,但接上300V,一導通IGBT就燒了(脈沖12us內,IGBT要求
2019-07-04 21:27:32

IGBT功能應用是什么

本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:51 編輯 IGBT單管:分立IGBT,封裝較模塊小,電流通常在50A以下,常見有TO247 TO3P等封裝。IGBT模塊:即模塊化封裝
2012-07-09 14:14:57

IGBT單管簡述

---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------一、簡述大家都知道,IGBT單管相當的脆弱,同樣電流容量的IGBT單管,比同樣電流容量的MOSFET脆弱多了,也就是說,在逆變H橋里頭,MOSFET上去沒有問題,但是IGBT.
2021-11-15 08:51:39

IGBT和MOS管區別

**Mosfet **和 IGBT 驅動對比的簡介簡述:一般中低馬力的電動汽車電源主要用較低壓(低于 72V)的電池組構成。由于需求的輸出電流較高,因此市場上專用型的 Mosfet 模塊并不
2022-09-16 10:21:27

IGBT均流解決問題

誰能幫我解釋一下:IGBT均流的問題:三相逆變的電流不平衡,相與相之間的電流相差10-15安培(兩個IGBT并聯在一起為一相電流)?
2012-06-02 09:02:05

IGBT失效的原因與IGBT保護方法分析

較大、熱穩定性好、驅動電路簡單、低飽和電壓及大電流等特性,目前,在使用和設計IGBT的過程中,基本上都是采用粗放式的設計模式——所需余量較大,系統龐大,但仍無法抵抗來自外界的干擾和自身系統引起的各種
2020-09-29 17:08:58

IGBT并聯技術分析

,功率提升主要靠電力電子器件串并聯數目的增加來實現,因此具有成本較低,便于不同功率等級變流器進行模塊化設計和生產等優點。通過串聯IGBT可以提高變流器的電壓等級,而通過并聯IGBT則可以提高變流器的電流
2015-03-11 13:18:21

IGBT并聯設計參考

摘要:本文主要分析如何實現并聯IGBT靜態和動態過程的均流,并提出了一些用于減少電流不平衡的相關并聯方法,以便于客戶并聯設計。重點突出一些易實現并聯方案的IGBT模塊新封裝,又提出一些實現并聯均流
2018-12-03 13:50:08

IGBT損壞原因分析

在高壓600V,額定電流10A的壓縮機電機控制中,IGBT經常燒壞,主要有哪些原因導致它損壞。
2024-02-22 17:58:38

IGBT是如何驅動電路的呢?

的非常快速,一秒鐘可以開關近萬次,換言之,IGBT開關頻率可以達到10kHz級別,這也是IGBT選做成為開關的主要原因。而且IGBT導通時的電壓相對于大電流不敏感,可以承受幾十到幾百安培量級的電流;當其關斷
2023-02-16 15:36:56

IGBT有哪些動態參數?

峰值電流:    RGint:大電流IGBT內部會集成一些芯片,每個芯片都有單獨的柵極電阻,RGint是這些柵極電阻并聯之后的值。集成內部柵極電阻的作用是為了實現模塊內部IGBT芯片的均流,該思路在做單
2021-02-23 16:33:11

IGBT模塊的有關保護問題-IGBT模塊散熱

串接在主電路中,通過電阻兩端的電壓來反映電流 的大小;對于大中容量變頻器,因電流大,需用電流互感器TA。電流互感器所接位置:一是像串電阻那樣串接在主回路中,二是串接在每個IGBT模塊上,。前 者只用一
2012-06-19 11:26:00

IGBT模塊的選擇

要確定主電路拓撲結構,這個和IGBT選型密切相關,額定工作電流、過載系數、散熱條件決定了IGBT模塊的額定電流參數,額定工作電壓、電壓波動、最大工作電壓決定了IGBT模塊的額定電壓參數,引線方式
2022-05-10 10:06:52

IGBT的先短路在運行?

以上兩種情況,不知哪種情況是對的?請教論壇里的專家,究竟這個先短路再開通是指什么?是針對同一個IGBT的CE先短路,然后啟動,觀察記錄此IGBT的驅動、CE電壓和電流,還是針對同一相上下橋臂兩個IGBT,先把其中一個CE短路,觀察記錄另外一個IGBT的驅動、CE電壓和電流
2024-02-29 23:08:07

IGBT的失效機理

。在額定電壓下關斷箝位電感電流的能力強于PT型IGBT。因此,PT型IGBT不適用于電感負載電路和馬達驅動等電路,而且短路持續時間TSC較短,一般不給出短路安全工作區。所以,NPT型IGBT的可靠性高于
2017-03-16 21:43:31

IGBT的工作原理

的柵極和發射極之間電壓為0V,則MOSFET 截止,切斷PNP 晶體管基極電流的供給,使得晶體管截止。由此可知,IGBT 的安全可靠與否主要由以下因素決定:——IGBT 柵極與發射極之間的電壓
2018-10-18 10:53:03

IGBT的開啟與關斷

開啟IGBTIGBT的電壓與電流有何關系?關斷IGBTIGBT的電壓與電流有何關系?
2021-10-14 09:09:20

IGBT的開通關斷時間一般從哪些方面考慮?

常見的逆變電路的元件主要分為分立器件的IGBT和集成的IGBT模塊,這些又分為不同電壓等級和電流大小,那么IGBT的開通時間和關斷時間是否相同,如果不相同,哪個時間更長一些?并且,在設計IGBT
2024-02-25 11:06:01

IGBT的損耗理論計算說明

IGBT電流,D_on (t)代表調制的占空比。  6.1 參數Vce(t)求取  Vce (t)一般情況下可以等效為:  6.2參數ic(t)求取  按照上述認定特性可以定義為:  6.3導通損耗
2023-02-24 16:47:34

IGBT的過電流保護類型可以分為哪幾種呢

交流電動機有哪些優點?IGBT的過電流保護類型可以分為哪幾種呢?
2021-10-26 07:52:47

IGBT驅動電流計算請教

我要做個HCPL316J驅動IGBT的電路,我不懂那個門極電流的峰值怎么計算,還有門極電阻怎么取值!希望賜教!非常感謝!{:soso_e121:}
2012-03-26 10:52:38

IGBT驅動板,IGBT驅動核,IGBT驅動芯,IGBT適配板,IPM之間的區別

`我需要通過LC電路產生一個1200A,2.5KHz的脈沖電流,所加電壓500V,電路圖如下。需要用到IGBT來進行開關控制,初步選定IGBT使用IRG4PC50FD 。但是IGBT需要驅動電路
2017-10-10 17:16:20

IGBT驅動問題

大家好,我畢設遇到一個問題想問一下大家:用HCPL3120驅動IGBT,但是手冊上面說只能驅動1200V/100A的IGBT,我不明白為什么用電壓驅動IGBT,怎么還與IGBT電流有關,我現在的IGBT要260A電壓1100V,用什么芯片能驅動?
2013-03-22 15:19:08

igbt是什么

誰能仔細闡述一下igbt是什么嗎?
2019-08-22 15:20:53

igbt是電壓型還是電流

`  誰知道igbt是電壓型還是電流型?`
2019-10-25 15:55:28

MOSFET 和 IGBT的區別

`1. 由于MOSFET的結構,通常它可以做到電流很大,可以到上KA,但是前提耐壓能力沒有IGBT強。2. IGBT可以做很大功率,電流和電壓都可以,就是一點頻率不是太高,目前IGBT硬開關速度可以
2018-08-27 20:50:45

MOSFET與IGBT的本質區別

MOSFET和IGBT內部結構不同,于是也決定了其應用領域的不同,今天就讓小編帶大家一起來了解一下MOSFET與IGBT的本質區別吧~1、由于MOSFET的結構,通常它可以做到電流很大,可以到上KA
2021-06-16 09:21:55

MOSFE和IGBT的本質區別

` 本帖最后由 24不可說 于 2018-9-28 14:16 編輯 MOSFET和IGBT內部結構不同,決定了其應用領域的不同。1. 由于MOSFET的結構,通常它可以做到電流很大,可以到上
2018-09-28 14:14:34

PWM方式開關電源中IGBT的損耗分析

  1 引言  在任何裝置中使用IGBT 都會遇到IGBT 的選擇及熱設計問題。當電壓應力和電流應力這2 個直觀參數確定之后, 最終需要根據IGBT 在應用條件下的損耗及熱循環能力來選定IGBT
2018-10-12 17:07:13

Si-MOSFET與IGBT的區別

。下面是25℃和150℃時的Vd-Id特性。請看25℃時的特性圖表。SiC及Si MOSFET的Id相對Vd(Vds)呈線性增加,但由于IGBT有上升電壓,因此在低電流范圍MOSFET元器件的Vds
2018-12-03 14:29:26

Vishay 2.5A輸出電流IGBT和MOSFET驅動器

應用中使用的功率IGBT和MOSFET。 輸出級的高工作電壓范圍提供了柵極控制設備所需的驅動電壓。 該光電耦合器提供的電壓和電流使其非常適合直接驅動額定功率高達800 V / 50 A的IGBT。對于
2019-10-30 15:23:17

[初階科普向] IGBT這玩意兒——定義怎么看

BJT結構,流入n漂移區的電子為PNP晶體管的n區持續提供電子,這就保證了PNP晶體管的基極電流。我們給它外加正向偏壓VCE,使PNP正向導通,IGBT器件正常工作。這就是定義中為什么說IGBT是由
2019-07-18 14:14:01

【專欄1】微觀電流:漂移電流

要求這份材料能深入淺出地把IGBT講明白。筆者深知要做到這種程度,難度之大,實難預料,但心中卻有一股躍躍欲試之情,想一想,試試倒也無妨,且看能做到什么程度。IGBT是一個針對高電壓大電流的開關器件
2019-11-21 09:13:48

【技術】MOSFET和IGBT區別?

本帖最后由 24不可說 于 2018-10-10 08:23 編輯 MOSFET和IGBT內部結構不同,決定了其應用領域的不同. 1,由于MOSFET的結構,通常它可以做到電流很大,可以到上
2017-04-15 15:48:51

【有償求解決方案】高壓大電流應用場景下的IGBT過流保護

應用場景為高壓(>3000V)和高電流(>30A)。目標:電流/電壓異常增大時,能及時(微秒量級)切斷短路,以保護IGBT不炸管;切機后,設備可以通過軟件和(或)硬件重啟的方式,恢復正常工作。
2019-03-05 15:26:08

什么是IGBT?什么是IGBT模塊?什么是IGBT模塊散熱器?

PNP 晶體管提供基極電流,使IGBT 導通。反之,加反向門極電壓消除溝道,切斷基極電流,使IGBT 關斷。IGBT 的驅動方法和MOSFET 基本相同,只需控制輸入極N一溝道MOSFET ,所以具有高
2012-06-19 11:36:58

先進的2.5A輸出電流IGBT驅動光電耦合器FEBFOD8332

FEBFOD8332是FOD8332智能柵極驅動器光電耦合器的評估板,是一款先進的2.5A輸出電流IGBT驅動光電耦合器,可提供必要的關鍵保護,以防止導致IGBT發生破壞性熱失控的故障
2019-04-30 09:06:13

幾種IGBT短路保護電路

。含有IGBT過流信息的Vce不直接送至EXB841的集電極電壓監視腳6,而是經快速恢復二極管VD1,通過比較器IC1輸出接至EXB841的腳6,其目的是為了消除VD1正向壓降隨電流不同而異,采用閾值
2009-01-21 13:06:31

可避免柵極電流回路機制的并聯IGBT驅動器

描述對于具有較高輸出額定功率的電源轉換設備而言,并聯 IGBT 變得很有必要,因為在這類應用中,單個 IGBT 無法提供所需的負載電流。此 TI 設計采用一個增強型隔離式 IGBT 柵極控制模塊來
2018-12-07 14:05:13

如何使用電流源極驅動器BM60059FV-C驅動SiC MOSFET和IGBT

顯示了IGBT的理想導通特性以及針對不同類型驅動器的相應柵極電流。在整篇文章中,僅考慮開啟特性。    (A) 圖片由Bodo的電力系統公司提供    (B) 圖片由Bodo的電力系統提供    (C
2023-02-21 16:36:47

如何判斷IGBT的極性與好壞

IGBT的工作原理IGBT極性判斷IGBT好壞的判斷
2021-03-04 07:18:28

如何實現IGBT驅動電路的設計?

IGBT和MOS管的區別是什么?IGBT和可控硅的區別有哪些?如何實現IGBT驅動電路的設計?
2021-11-02 08:30:41

如何計算IGBT柵極電阻?

Q1。如何計算IGBT柵極電阻。我想使用 STGD18N40LZ IGBT 來操作感性開關負載。開關頻率:- 在 400Hz 到 1Khz 之間集電極到發射極電壓:- 24V。平均最大電流:- 5A。Q2。使用1Kohm電阻會有什么影響?
2023-01-04 09:00:04

工業電機驅動IGBT過流和短路保護

工業電機驅動的整個市場趨勢是對更高效率以及可靠性和穩定性的要求不斷提高。有關增加絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)導通損耗的一些權衡取舍是:更高的 短路電流電平、更小的芯片尺寸,以及更低的熱容量和短路
2018-08-20 07:40:12

永磁同步電機,IGBT關波后,怎么會有一段持續電流

推薦課程:張飛軟硬開源:基于STM32的BLDC直流無刷電機驅動器(視頻+硬件)http://url.elecfans.com/u/73ad899cfd永磁同步電機,IGBT關波后,怎么會有一段持續電流
2019-06-25 09:46:28

請教一個Simetrix仿真IGBT的問題

你好,問一個簡單的問題。我最近,在用SiMetrix研究IGBT的功耗問題時,碰到一個令我不理解的現象。像下面這個IGBT,型號為irg4pc40u,datasheet里面,它能通過的電流,最大
2020-04-29 09:11:12

請教分析這個IGBT有沒有燒壞

IGBT應該不會導通,圖2中信號3似乎表明IGBT有通斷。然后又想會不會因為IGBT中的續流二極管的影響,于是我做了以下仿真,如圖3,圖4.圖3 圖4圖4為電流傳感器的波形,電流很小,應該不是續流二極管
2016-01-09 12:10:23

靜態電流是如何定義

什么是拉電流?什么是灌電流?靜態電流是如何定義的?
2021-10-14 07:26:21

igbt工作原理

igbt工作原理 IGBT 的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給 PNP 晶體管提供基極電流,使 IGBT 導通。反之,加反向門極電壓消除溝道,流過反向基極電流,使 IGBT 關斷。
2007-12-22 10:36:06117

電系統的應用于燃料電池發逆阻型IGBT電流

本文探討了一種應用于燃料電池發電系統的DC/DC 變換器,該DC/DC 變換器采用電流型結構和逆阻型IGBT。分析了逆阻型IGBT 電流型DC/DC 變換電路的工作原理和參數設計,介紹在燃料
2009-04-03 10:31:5427

應用逆阻型IGBT的三相電流型PFC變流器

為了改善電流型PFC的性能,本文采用逆阻型IGBT而不是普通IGBT作為功率器件。在三相9kW的PFC樣機中,對逆阻型IGBT的靜態和動態性能進行了測試,測試結果顯示逆阻型IGBT具有較低的通
2009-10-16 09:01:1438

IGBT的過電流及其保護

IGBT的過電流及其保護:在IGBT應用開發中,防止其過電流損壞是最令人關注的問題。
2010-03-14 19:02:3143

IGBT與MOS管的區別,IGBT與可控硅的區別,IGBT驅動電路設計

多的這個P層因內有載流子,有電導調制作用,可以使IGBT在跟高電壓和電流下,有很低的壓降,因此IGBT可以做到很高電壓(目前最大6500V),但由于載流子存在,IGBT關斷是電流會拖尾,關斷速度
2017-05-14 10:09:4253166

IGBT參數的定義與PWM方式開關電源中IGBT 的損耗分析

在任何裝置中使用IGBT 都會遇到IGBT 的選擇及熱設計問題。當電壓應力和電流應力這2 個直觀參數確定之后, 最終需要根據IGBT 在應用條件下的損耗及熱循環能力來選定IGBT。通常由于使用條件
2017-09-22 19:19:3730

IGBT、MOSFET的過電流保護資料下載

IGBT、MOSFET的過電流保護
2018-03-19 15:10:477

MOS管和IGBT管的定義與辨別

MOS管和IGBT管作為現代電子設備使用頻率較高的新型電子器件,因此在電子電路中常常碰到也習以為常。可是MOS管和IGBT管由于外形及靜態參數相似的很,有時在選擇、判斷、使用容易出差池。MOS管和IGBT管可靠的識別方法為選擇、判斷、使用掃清障礙!
2019-02-24 10:25:0816934

IGBT基本工作原理

IGBT由柵極(G)、發射極(E)和集電極(C)三個極控制。如圖1,IGBT的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP晶體管提供基極電流,使IGBT導通。反之,加反向門極電壓消除溝道,切斷基極電流,使IGBT關斷。
2019-04-24 15:38:2383762

IGBT定義及特性

IGBT晶體管采用這兩種常見晶體管的最佳部分,即MOSFET的高輸入阻抗和高開關速度利用雙極晶體管的低飽和電壓,將它們組合在一起,產生另一種類型的晶體管開關器件,能夠處理大的集電極 - 發射極電流,幾乎沒有柵極電流驅動。
2019-06-25 18:27:5723092

MOS管和IGBT管的定義與辨別

MOS管和IGBT管作為現代電子設備使用頻率較高的新型電子器件,因此在電子電路中常常碰到也習以為常。可是MOS管和IGBT管由于外形及靜態參數相似的很,有時在選擇、判斷、使用容易出差池。MOS管和IGBT管可靠的識別方法為選擇、判斷、使用掃清障礙!
2019-07-09 08:55:378700

小白常犯的錯誤:IGBT的頻率的高底取決于散熱和電流

首先,開關頻率是指IGBT在一秒鐘內開關次數。而在確定的母線電壓和導通電流下,IGBT每次開關都會產生一定的損耗,開通損耗是Eon,關斷損耗是Eoff,還有二極管反向恢復也有損耗Erec。
2020-01-02 16:24:1410350

東芝面向中大電流IGBT/MOSFET 推出內置保護功能的光耦

新型預驅動光耦使用外部P溝道和N溝道互補的MOSFET作為緩沖器,來控制中大電流IGBT和MOSFET。
2020-03-11 08:19:001180

MOS管和IGBT管的定義及辨別

、使用容易出差池。MOS管和IGBT管可靠的識別方法為選擇、判斷、使用掃清障礙! MOS管 MOS管即MOSFET,中文名金屬氧化物半導體絕緣柵場效應管。其特性,輸入阻抗高、開關速度快、熱穩定性好、電壓控制電流等特性。 ? IGBTIGBT中文名絕緣柵雙極型場效應晶體管
2022-11-29 18:10:252756

MOS管和IGBT管的定義與辨別資料下載

電子發燒友網為你提供MOS管和IGBT管的定義與辨別資料下載的電子資料下載,更有其他相關的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設計、用戶指南、解決方案等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-26 08:44:5323

模塊數據手冊中雜散電感的定義方法

開關上管IGBT1時產生的電壓和電流波形。作為集中參數顯示的電路雜散電感Lσ,代表了整個回路(陰影區域)中的所有的分布電感(電容器、母線和IGBT模塊)。 半橋電路以及開關IGBT1時的電流和電壓波形 由于電流的變化,在雜散電感Lσ上產生
2021-10-13 15:36:133500

IGBT電流的誤解和流言

IGBT電流是器件基本參數之一,顯而易見FS450R12KE4就是450A 1200V IGBT模塊。這樣的理解對于日常工作交流來說是足夠了,但對于一位設計工程師是遠遠不夠的,而且業內充滿著誤解
2021-11-01 15:51:534122

逆變H橋IGBT單管驅動+保護

---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------一、簡述大家都知道,IGBT單管相當的脆弱,同樣電流容量的IGBT單管,比同樣電流容量的MOSFET脆弱多了,也就是說,在逆變H橋里頭,MOSFET上去沒有問題,但是IGBT.
2021-11-08 14:21:0528

高電壓大電流IGBT靜態測試系統簡介

IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)是常見的功率器件,期間經常使用在強電流高電壓的場景中,如電動汽車、變電站等。器件結構由MOSFET及BGT組合而成,兼具了高輸入阻抗及低導通壓降的優點,IGBT是電力電子設備的“cpu”,被國家列為重點研究對象。
2022-02-16 15:50:112999

測量IGBT開關特性對電流探頭的要求

市面上適用于電力電子領域測量的電流探頭有許多,根據實際需求選擇合適的對波形的測量非常重要。現代的IGBT器件不斷地向著大電流密度和高頻率應用這兩個方向發展,但是幾乎找不到能同時符合各類IGBT開關特性測量的電流探頭,這就需要我們搞清楚自己的需求。
2022-03-10 15:38:41490

IGBT開關時間的定義

,后級輸出為阻感性負載,帶有續流二極管。那么對于IGBT開關時間的定義,你又了解多少?具體如下。 1. 開通時間ton 開通時間還可以分為兩個部分:開通延遲時間td(on)與上升時間tr,在此時間內IGBT主要工作在主動區域。 當柵極和發射極之向被加上一個階躍式的正向驅
2022-03-26 18:33:364680

IGBT驅動電流電流擴展問題探討

功率半導體驅動電路是集成電路的一個重要子類,功能強大,用于IGBT的驅動IC除了提供驅動電平和電流,往往帶有驅動的保護功能,包括退飽和短路保護、欠壓關斷、米勒鉗位、兩級關斷、軟關斷、SRC(slew
2022-05-07 17:23:395512

IGBT的短路耐受時間

我們都知道IGBT發生短路故障時會發生退飽和現象,如圖1所示。退飽和后IGBT會承受全母線電壓,同時集電極電流也上升至額定電流的5-6倍,因此IGBT發生短路時的瞬時功率是非常大的。
2022-09-26 16:32:583906

IGBT關斷時的電流和電壓

, 同時還具有MOSFET柵極輸入阻抗高、開關速度快的特點。很多情況,由 于對IGBT關斷機理認識不清, 對關斷時間隨電壓和電流的變化規律認識不清, 導致無法解釋在使用過程中出現的電流拖尾長、 死區時間長等現象, 不能充分發揮IGBT的性能; 導致IGBT因使用不當, 燒毀。今天我們就IGBT關斷時的
2023-02-22 14:57:543

IGBT的短路保護和過流保護

IGBT保護的問題 現在只總結IGBT驅動電路和驅動芯片能保護到的IGBT的項。1.Vce過壓2.Vge過壓3.短路保護4.過高的di/dt 主要是看一下短路保護和過流保護短路的定義1.橋臂內短路
2023-02-23 09:57:0015

IGBT門極驅動設計規范說明

目錄 定義和分類 IGBT的使用和門極電路設計 各類型的驅動電路介紹 IGBT過壓的產生和抑制機理
2023-02-24 15:15:441

p柱浮空的超結IGBT器件的設計案例

摘要: 針對傳統結構超結 IGBT 器件在大電流應用時的電導調制效應較弱,削弱了 IGBT 器 件低飽和導通壓降優點的問題,設計了 p 柱浮空的超結 IGBT 器件 ( FP-SJ-IGBT
2023-08-08 10:20:000

igbt怎樣導通和關斷?igbt的導通和關斷條件

、N型漏源和門極組成。因其高電壓和高電流開關能力,廣泛應用于電力和電能控制器的控制中。 IGBT的導通和關斷是通過控制門極電壓來實現的。下文詳細介紹IGBT的導通和關斷條件,以及具體的導通和關斷過程。 IGBT
2023-10-19 17:08:028172

igbt芯片、igbt單管、igbt模塊、igbt器件等這些的區別是什么?

igbt芯片、igbt單管、igbt模塊、igbt器件等這些的區別是什么? IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種高壓、高電流功率半導體器件,常被用于
2023-11-10 14:26:281270

IGBT/IPM/DIPIPM定義及應用基礎(2)

IGBT/IPM/DIPIPM定義及應用基礎(2)
2023-12-05 10:26:20308

IGBT/IPM/DIPIPM定義及應用基礎(1)

IGBT/IPM/DIPIPM定義及應用基礎(1)
2023-12-05 14:09:41333

IGBT是什么類型的器件 IGBT是電壓驅動還是電流驅動

Field-Effect Transistor)的控制性能,又具有異質結的管子功率特性。IGBT也是一個開關器件,可以在高電壓和高電流條件下工作,并且被廣泛應用于各種電力電子設備中。 IGBT由三個主要區域組成
2024-02-01 13:59:45458

IGBT負載短路下的幾種后果

由于短路會導致負載電阻降低或短路,使得電流突然增大。IGBT作為開關管,其額定電流通常有限,該突然增大的電流可能會超過IGBT管的額定電流,導致IGBT管過電流而被破壞。
2024-02-06 10:26:54578

IGBT過流和短路故障的區別

IGBT過流和短路故障的區別? IGBT是絕緣柵雙極型晶體管的縮寫,是一種半導體功率開關器件。在工業和電力領域廣泛應用,常常用于高壓、高電流的開關電源和逆變器中。然而,由于各種原因,IGBT有可能
2024-02-18 11:05:32275

IGBT和MOSFET在對飽和區的定義差別

IGBT和MOSFET在對飽和區的定義差別? IGBT和MOSFET是傳輸電力和控制電流的重要電子器件。它們在許多電力電子應用中起著關鍵的作用。飽和區是IGBT和MOSFET工作的一個重要區域,但是
2024-02-18 14:35:35327

什么是IGBT的退飽和?為什么IGBT會發生退飽和現象?

什么是IGBT的退飽和?為什么IGBT會發生退飽和現象? IGBT是一種高性能功率半導體器件,結合了MOSFET和BJT的優點。它在高電壓和高電流應用中具有低開啟電阻、低導通壓降和高開關速度等優點
2024-02-19 14:33:28481

IGBT選型需要考慮哪些參數

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種重要的功率電子器件,廣泛應用于各種高壓高電流的電力電子設備中。IGBT選型是指根據特定應用需求選擇合適的IGBT
2024-03-12 15:31:12260

已全部加載完成

主站蜘蛛池模板: 亚洲黄色免费在线观看| 国产精品亚洲专一区二区三区| 98久久人妻无码精品系列蜜桃| 99热这里只有精品9| 国产成人精品免费视频大| 海量激情文学| 男污女XO猛烈的动态图| 午夜伦理一yy4480影院| 中文字幕乱码亚洲无线三区| 超清无码波多野吉衣与黑人| 狠狠色丁香婷婷久久综合五月 | 99久久精品国产亚洲AV| 国产超碰人人爱被IOS解锁| 久久久精品久久久久久| 日日夜夜撸 在线影院| 一区三区在线专区在线| 大陆老熟女60岁| 久久精品视在线观看85| 色窝窝亚洲AV在线观看| 中俄两军在日本海等上空战略巡航| 高傲教师麻麻被同学调教123| 久久vs国产综合色| 色小姐电影qvod播放| 中文无码在线观| 国产精品第1页在线观看| 97在线播放视频| 国产精品手机在线视频| 男女午夜性爽快免费视频不卡| 午夜亚洲WWW湿好大| a一级毛片视频免费看| 极品内射少妇精品无码视频| 日日a.v拍夜夜添久久免费| 在线 | 果冻国产传媒61国产免费| 国产扒开美女双腿屁股流白浆| 美女诱惑性感揉胸| 亚洲高清国产品国语在线观看| z0000性欧美| 恋夜秀场1234手机视频在线观看| 亚洲 小说 欧美 激情 另类| WWW久久只有这里有精品| 久久99re6国产在线播放|