功率半導體驅動電路是集成電路的一個重要子類，功能強大，用于IGBT的驅動IC除了提供驅動電平和電流，往往帶有驅動的保護功能，包括退飽和短路保護、欠壓關斷、米勒鉗位、兩級關斷、軟關斷、SRC（slew rate control）等，產品還具有不同等級的絕緣性能。但作為集成電路，其封裝決定了最大功耗，驅動IC輸出電流有的可以做到10A以上，但還是不能滿足大電流IGBT模塊的驅動需求，本文將討論IGBT驅動電流和電流擴展問題。

如何拓展驅動器電流

當需要增加驅動電流時，或驅動大電流、大柵極電容的IGBT時，就需要為驅動集成電路拓展電流。

采用雙極性晶體管

利用互補射極跟隨器實現電流拓展是 IGBT柵極驅動器最典型的設計，射極跟隨器晶體管輸出電流由晶體管的直流增益hFE或β和基極電流IB決定，當驅動IGBT所需要的電流大于IB*β，這時晶體管將進入線性工作區，輸出的驅動電流不足，這時IGBT電容的充電和放電速度會變慢，IGBT損耗增加。具體計算案例最后講。

采用MOSFET

MOSFET也可以用于驅動器的電流擴展，電路一般由PMOS+NMOS構成，但電路結構的邏輯電平與晶體管推挽相反。設計中上管PMOS的源極與正電源相聯，柵極低于源極的一個給定電壓PMOS就導通，而驅動集成電路輸出一般是高電平開通，所以采用PMOS+NMOS結構時可能設計中需要一個反相器。

用雙極晶體管還是MOSFET？

（1）效率差異，通常在大功率應用中，開關頻率不是很高，所以導通損耗是主要的，這時晶體管有優勢。目前不少高功率密度設計，例如電動汽車電機驅動器，密閉箱體內散熱困難，溫度高，這時效率非常重要，可以選擇晶體管電路。

（2） 雙極晶體管解決方案的輸出有VCE（sat）造成的電壓降，需要提高供電電壓來補償驅動管VCE（sat） 以實現15V的驅動電壓，而MOSFET解決方案幾乎可以實現一個軌至軌的輸出。

（3）MOSFET的耐壓，VGS僅20V左右，這在使用正負電源時可能是個需要注意的問題。

（4）MOSFET的Rds（on）有負的溫度系數，而雙極晶體管有正的溫度系數，MOSFET并聯時有熱失控問題。

（5）如果驅動Si/SiC MOSFET，雙極型晶體管的開關速度通常比驅動對象MOSFET要慢，這時應該考慮采用MOSFET擴展電流。

（6）輸入級對ESD和浪涌電壓的魯棒性，雙極型晶體管PN結與MOS柵極氧化物相比有明顯優勢。

雙極晶體管和MOSFET特性不一樣，用什么還是需要您自己按照系統設計要求決定。

擴展驅動集成電路電流的設計要點雜談：

以1ED020I12-F2電流拓展設計為例，例子中帶有源米勒鉗位功能：

當應用外部電流擴展Booster時，會對應用電路功能產生一些限制，也會對驅動IC的特性產生影響。在此給出一些提示，供設計考慮。

（1）Booster電路中的PNP管同時也有鉗位功能，但在RG柵極電阻的另一側鉗位電流受限于柵極電阻阻值，效果不太理想時，這樣需要專門的米勒鉗位電路直接接到IGBT柵極，如1ED020I12_F2中的有源米勒箝位功能CLAMP管腳。

1ED020I12-F2系列的有源米勒箝位功能可與外部booster一起使用，當米勒電流大于驅動IC的最大箝位能力時（1ED020I12-F2為2A），需要增加一個PNP管進行拓展米勒鉗位能力。就是圖中的PNP_CLAMP。在柵極電阻前的PNP_CLAMP晶體管應該具有與Booster的PNP晶體管相同的電流能力。

RP作為上拉電阻是出于安全考慮，推薦值為10kΩ，以保證電流在毫安級范圍內，不希望太高的功耗 。

（2）一般正負電源供電不再需要源米勒鉗位，如果要用的話，可以用拓展有源米勒鉗制PNP_CLAMP，并把VEE2和GND2分開（本例子中是連在一起的）。

（3）DESAT（退飽和檢測）功能不受外部Booster的影響。

（4）當使用外部Booster時，1ED020I12-FT/BT驅動IC的TLTO（兩電平關斷）功能無法實現。

（5）電源退耦電容CVCC2，需要根據外部Booster電路的情況進行增加，以保證電源電壓的質量，使它足以支持全部電路的功耗。

（6）在進行PCB設計布局時，應避免大的寄生電感和寄生電容，如縮短回路，避免高dv/dt路徑與接地路徑之間的重疊等等。

（7）要注意Booster的功耗，特別是雙極型晶體管功耗需要設計中認真對待，不要把它放在PCB上最熱的地方。

推薦的Booster器件：

Diode公司有適用于驅動Booster的晶體管，有的規格還有汽車級版本。

譬如：ZX5T851G NPN和ZX5T951G PNP 6A 60V的對管，其飽和壓降只有0.26Vmax。fT高達120-130MHz

簡單圖示設計實例：

結 論

雖然EiceDRIVER?新的系列產品驅動電流可以在10A以上，但在中大功率模塊驅動中通過外接雙極型三極管或MOSFET擴展電流是常見的設計，也是工程師要掌握的基本功。設計要從基極電阻RB選取著手，通過計算和測試決定基極電阻選值。Booster電路設計可以參考《IGBT模塊：技術、驅動和應用》一書的多個章節，本文簡單列舉了用于電流拓展的三極管或MOSFET在各自電路上的表現，以及Booster電路在與驅動IC配合中的設計要點。

來源： 英飛凌工業半導體