摘要:提出了一種基于MCU內(nèi)部Flash的仿真器設(shè)計(jì)方法,并完成了設(shè)計(jì)和仿真
2023-08-25 16:36:38325 BAP(BIST Access Port),即內(nèi)建自測(cè)試訪問(wèn)接口,主要用于In System Test,它要求芯片在已經(jīng)部署到產(chǎn)品中,甚至芯片正在運(yùn)行中,可對(duì)芯片的memory進(jìn)行在線、實(shí)時(shí)地進(jìn)行測(cè)試和診斷。
2023-09-15 11:43:421348 思維再縝密的程序員也不可能編寫完全無(wú)缺陷的C語(yǔ)言程序,測(cè)試的目的正是盡可能多的發(fā)現(xiàn)這些缺陷并改正。這里說(shuō)的測(cè)試,是指程序員的自測(cè)試。前期的自測(cè)試能夠更早的發(fā)現(xiàn)錯(cuò)誤,相應(yīng)的修復(fù)成本也會(huì)很低,如果你不徹底測(cè)試自己的代碼,恐怕你開發(fā)的就不只是代碼,可能還會(huì)聲名狼藉。
2023-09-19 16:24:41270 在集成電路設(shè)計(jì)和生產(chǎn)過(guò)程中,對(duì)芯片內(nèi)部電源的瞬態(tài)響應(yīng)進(jìn)行準(zhǔn)確測(cè)試是至關(guān)重要的。
2023-11-07 11:04:45463 現(xiàn)在,隨著FinFET存儲(chǔ)器的出現(xiàn),需要克服更多的挑戰(zhàn)。這份白皮書涵蓋:FinFET存儲(chǔ)器帶來(lái)的新的設(shè)計(jì)復(fù)雜性、缺陷覆蓋和良率挑戰(zhàn);怎樣綜合測(cè)試算法以檢測(cè)和診斷FinFET存儲(chǔ)器具體缺陷;如何通過(guò)內(nèi)建自測(cè)試(BIST)基礎(chǔ)架構(gòu)與高效測(cè)試和維修能力的結(jié)合來(lái)幫助保證FinFET存儲(chǔ)器的高良率。
2016-09-30 13:48:242721 在嵌入式開發(fā)中,如果芯片內(nèi)部有Flash,應(yīng)用程序通常保存在芯片內(nèi)部FLASH中,比如Cortex-M系列的單片機(jī);如果芯片內(nèi)部沒有Flash,則應(yīng)用程序通常保存于外部的NAND FLASH中,比如
2022-02-16 06:05:57
AMBA測(cè)試接口控制器(TIC)是一個(gè)ASB總線主設(shè)備,它接受來(lái)自外部測(cè)試總線(32位外部數(shù)據(jù)總線,如果可用)的測(cè)試向量,并啟動(dòng)總線傳輸。
TIC鎖存來(lái)自測(cè)試總線的地址向量并驅(qū)動(dòng)ASB地址總線
2023-08-22 08:10:20
系統(tǒng)外部的一個(gè)模塊,它驅(qū)動(dòng)測(cè)試接口線以訪問(wèn)ASB總線,然后施加來(lái)自測(cè)試輸入文件的測(cè)試矢量(參見圖1-1)。
此測(cè)試輸入文件是運(yùn)行用TICTalk命令語(yǔ)言編寫的C程序的輸出。
2023-08-21 06:43:36
請(qǐng)教關(guān)于CCS 程序時(shí)間統(tǒng)計(jì)的問(wèn)題:
能否指導(dǎo)simulator和emulator下各自測(cè)試代碼運(yùn)行時(shí)間的具體方法(程序?qū)嵗蛭臋n),所給的方法能客觀地度量程序運(yùn)行時(shí)間。
謝謝
2018-06-24 02:07:28
發(fā)現(xiàn)問(wèn)題客戶反饋說(shuō)我們的硬件關(guān)機(jī)漏電流很大,但是拔掉電池之后再上電(仍處于關(guān)機(jī)狀態(tài))就會(huì)恢復(fù)為 16~20uA 左右。這讓我也訝異,因?yàn)橛H自測(cè)試過(guò),漏電流只有 MCU 的休眠電流20uA左右(包含一些電子元器件),遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于項(xiàng)目要求的
2022-02-11 06:30:42
蜂鳥E203自測(cè)試用例失敗,不顯示pass與fail怎么回事,.log里什么都沒有,還沒報(bào)錯(cuò)
2024-01-10 07:56:55
自己做的板子,現(xiàn)在用F28069調(diào)試CAN通信,應(yīng)用controlsuite例程自測(cè)試功能,可以運(yùn)行,收發(fā)正常,將自測(cè)試改成正常模式,就無(wú)法正常工作
2018-09-07 11:24:11
芯片的設(shè)計(jì)中加入一些額外的自測(cè)試電路,測(cè)試時(shí)只需要從外部施加必要的控制信號(hào),通過(guò)運(yùn)行內(nèi)建的自測(cè)試硬件和軟件,檢查被測(cè)電路的缺陷或故障。和掃描設(shè)計(jì)不同的是,內(nèi)建自測(cè)試的測(cè)試向量一般是內(nèi)部生成的,而不是
2011-12-15 09:35:34
8章中提到的寄存器都沒有引用這個(gè)自測(cè)試位。能否指出這個(gè)自測(cè)試位在哪個(gè)寄存器中。#lsm330dlc自檢以上來(lái)自于谷歌翻譯以下為原文 Hello, For a project we
2019-02-20 06:41:24
應(yīng)用程序: 此示例代碼是MA35D1系列微處理器的實(shí)時(shí)處理器( RTP) 的自測(cè)試庫(kù)。 此庫(kù)執(zhí)行芯片的自測(cè)試功能, 以滿足市場(chǎng)要求的安全要求。 當(dāng)芯片出現(xiàn)錯(cuò)誤時(shí), 可以實(shí)時(shí)檢測(cè), 系統(tǒng)可以保持功能
2023-08-29 07:04:24
的Compact Flash。步驟7:給電路板供電 - 連接電源線并打開電路板。步驟8:我應(yīng)該看到連接到主板的顯示器上顯示的Xilinx徽標(biāo)。我沒有得到Xilinx標(biāo)志。我有一個(gè)模糊的顏色的閃屏,上半部
2019-09-18 10:42:00
用官方提供的SPIM_DMA例程在仿真環(huán)境下跑是正常的,但燒到芯片上就跑不起來(lái)。我用的是IAR開發(fā)環(huán)境,有修改過(guò)link文件,但還是跑不起來(lái)。好像每次跑到spim_open后程序就死掉了。有誰(shuí)讀寫過(guò)內(nèi)部Flash的?有沒有什么建議和方法。
2023-06-25 08:46:39
pads9.3為綠色漢化全功能版, 包含破解文件及破解方法。 解壓時(shí),一定要全部選擇然后解壓當(dāng)前文件即可。 我目前只能上傳20M以下的文件,就把整個(gè)包分割為9部分,所以一定全部下載,否則文件缺失無(wú)法解壓。 已經(jīng)親自測(cè)試使用,放心下載。
2016-07-06 19:30:10
到PICkit 3連接到PICkit 3……運(yùn)行自測(cè)試……自測(cè)試完成,固件套件版本……01.28.90固件類型............................PIC18FPICkit 3
2019-09-17 10:02:39
STC8951單片機(jī)不斷電下載的方法(親自測(cè)試過(guò))對(duì)于STC89C51系列單片機(jī)如果要下載程序,我們需要先斷電,點(diǎn)擊下載,再給單片機(jī)上電這時(shí),他就會(huì)自動(dòng)下載程序。這是因?yàn)閱纹瑱C(jī)在冷啟動(dòng)時(shí),首先執(zhí)行
2013-04-30 01:04:20
STM32使用HAL庫(kù)讀寫內(nèi)部FLASH測(cè)試環(huán)境:STM32F103RB20KBytes RAM128KBytes FLASH頭文件://///////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////** * @brief ...
2021-08-23 08:57:50
1、STM32對(duì)內(nèi)部Flash的保護(hù)措施所有STM32的芯片都提供對(duì)Flash的保護(hù),防止對(duì)Flash的非法訪問(wèn) - 寫保護(hù)和讀保護(hù)。 1)、讀保護(hù)即大家通常說(shuō)的“加密”,是作用于整個(gè)Flash存儲(chǔ)
2015-01-19 13:43:59
各位大俠,大家好! TIDSP 芯片大家有什么好的加密方法?DSP內(nèi)部FLASH是有密碼的,在固化FLASH的時(shí)候就可以設(shè)置密碼。如果DSP沒有內(nèi)部Flash,程序放在外部Flash,大家有什么好的加密方式?
2015-09-01 09:30:30
dft可測(cè)試性設(shè)計(jì),前言可測(cè)試性設(shè)計(jì)方法之一:掃描設(shè)計(jì)方法可測(cè)試性設(shè)計(jì)方法之二:標(biāo)準(zhǔn)IEEE測(cè)試訪問(wèn)方法可測(cè)試性設(shè)計(jì)方法之三:邏輯內(nèi)建自測(cè)試可測(cè)試性設(shè)計(jì)方法之四:通過(guò)MBIST測(cè)試寄存器總結(jié)...
2021-07-22 09:10:42
msp430x14x用TINERB產(chǎn)生6路PWM信號(hào),親自測(cè)試可行
2016-07-19 21:52:22
新塘nuc505芯片的內(nèi)部FLASH的怎么用作保存參數(shù),有例程嗎
bsp包下 samplecode\\stdDriver\\SPIM_IO例程
2023-06-14 13:11:18
stm32內(nèi)部flash讀寫,stm32內(nèi)部flash主要用于存儲(chǔ)代碼,應(yīng)用程序就是通過(guò)下載器sh燒錄到內(nèi)部flash的,flash掉電不會(huì)丟失,芯片ch重新商店內(nèi)核從flash中加載代碼運(yùn)行
2021-08-05 07:23:19
本課程主要介紹HarmonyOS Connect認(rèn)證流程,幫助合作伙伴順暢走完自測(cè)試等流程,快速獲得HarmonyOS Connect認(rèn)證證書。產(chǎn)品認(rèn)證指導(dǎo)可以參考網(wǎng)站介紹進(jìn)行學(xué)習(xí):https
2022-03-09 15:11:18
我修改了add.S文件,想讓make run_test SIM=iverilog后出現(xiàn)file.可是編譯不了,add.S文件也沒顯示更新。
可是我在測(cè)試自測(cè)試用例的時(shí)候,make compile
2023-08-12 06:50:38
我公司是國(guó)內(nèi)最大的內(nèi)存顆粒/FLASH芯片測(cè)試夾具生產(chǎn)廠家,專業(yè)生產(chǎn)各類內(nèi)存條顆粒,U盤FLASH芯片,LGA 測(cè)試座,TF卡等測(cè)試夾具,測(cè)試性能穩(wěn)定,效率高!是內(nèi)存條,TF卡,閃存,U盤商家其廠家最佳合作伙伴!可以訂制各種芯片的測(cè)試夾具!歡迎來(lái)廠參觀指導(dǎo)工作!
2011-03-18 13:45:58
的編程器配上位機(jī),又舍不得口袋里的銀子,而且不是TI官方出品,穩(wěn)定性和可靠性難以得到保證。本文給大家介紹一種利用芯片內(nèi)部Bootloader燒寫程序的方法,進(jìn)入Boot模式,用普通的串行接口就可以進(jìn)行
2022-11-11 07:08:24
的測(cè)試設(shè)計(jì)顯得尤為重要。對(duì)于單片或者數(shù)量很小的幾片嵌入式SRAM,常用的測(cè)試方法是通過(guò)存儲(chǔ)器內(nèi)建自測(cè)試MBIST來(lái)完成,實(shí)現(xiàn)時(shí)只需要通過(guò)EDA軟件選取相應(yīng)的算法,并給每片SRAM生成MBIST控制邏輯
2019-10-25 06:28:55
概述本篇文章介紹如何使用STM32HAL庫(kù),本案例只要介紹如何操作芯片內(nèi)部EEprom讀寫數(shù)據(jù),類似操作Flash寫法。(注:有些型號(hào)才有內(nèi)部EEprom,沒有的話,只能使用內(nèi)部FLASH模擬
2021-08-09 06:12:36
最近要學(xué)習(xí), TMSF2812用到CCS可是不知道怎么下載,求!!!
2015-05-17 20:30:01
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-14 10:25 編輯
eCan 自測(cè)試模式下可以產(chǎn)生中斷嗎? F2812
2018-06-14 01:20:48
工程師們好!我想問(wèn)下怎么提高TMSF2812片上AD的精度?
2018-08-19 06:43:14
請(qǐng)問(wèn)高手們STM32F105芯片的內(nèi)部flash能快速擦除嗎?因?yàn)橐鰝€(gè)升級(jí)系統(tǒng)的程序,一頁(yè)一頁(yè)的擦除內(nèi)部flash有點(diǎn)耗費(fèi)時(shí)間 請(qǐng)問(wèn)內(nèi)部flash能不能快速擦除啊 ,一下擦N多頁(yè)
2015-04-13 15:25:47
一、簡(jiǎn)介在STM32芯片內(nèi)部有一個(gè) FLASH 存儲(chǔ)器,它主要用于存儲(chǔ)代碼,我們?cè)陔娔X上編寫好應(yīng)用程序后,使用下載器把編譯后的代碼文件燒錄到該內(nèi)部 FLASH 中,由于 FLASH 存儲(chǔ)器的內(nèi)容在
2021-07-23 09:41:29
繼電器來(lái)選擇所需的測(cè)試。圖 1 是整體測(cè)試電路。在圖 2 至圖 13 中,信號(hào)路徑以紅色顯示,以便與前兩篇文章中所介紹的方法進(jìn)行比較。圖 1.該電路整合了用于測(cè)試運(yùn)算放大器的自測(cè)試電路及雙運(yùn)算放大器環(huán)路
2018-09-07 11:04:41
關(guān)于NUC505內(nèi)部Flash的咨詢
1. 需要NUC505內(nèi)部Flash塊/頁(yè)大小,擦除和寫入時(shí)間等技術(shù)參數(shù)
2. 通過(guò)Demo程序讀出內(nèi)部Flash的MFGID=0x1C 有對(duì)應(yīng)的芯片嗎?
2023-06-13 08:04:18
電工技術(shù)(電工學(xué)I)典型題解析及自測(cè)試題是根據(jù)國(guó)家教育部(前國(guó)家教委)1995年修訂的“高等工業(yè)學(xué)校電工技術(shù)(電工學(xué)Ⅰ)課程教學(xué)基本要求“編寫的學(xué)習(xí)指導(dǎo)書,主要內(nèi)容是
2008-09-20 21:46:120 近幾年基于預(yù)定制模塊IP(Intellectual Property)核的SoC(片上系統(tǒng))技術(shù)得到快速發(fā)展,各種功能的IP 核可以集成在一塊芯片上,從而使得SoC 的測(cè)試、IP 核的
2009-09-09 08:33:4124 TPM 安全芯片測(cè)試中FLASH 數(shù)據(jù)下載方法張琳 劉煒 北京華大泰思特半導(dǎo)體檢測(cè)技術(shù)有限公司摘要: 本文概述了TPM(可信平臺(tái)模塊)安全芯片在信息安全建設(shè)中的重要作用,以及TPM
2009-12-19 14:58:2212 嵌入式存儲(chǔ)器內(nèi)建自測(cè)試的一種新型應(yīng)用孫華義 鄭學(xué)仁 閭曉晨王頌輝吳焯焰 華南理工大學(xué)微電子研究所廣州 510640摘要:當(dāng)今,嵌入式存儲(chǔ)器在SoC 芯片面積中所占的比例越來(lái)
2009-12-20 09:26:1138 本設(shè)計(jì)指南探討了信號(hào)調(diào)理、調(diào)整和校準(zhǔn)電路,用于修正系統(tǒng)誤差,從而以合理的成本確保工業(yè)設(shè)備安全、精確。校準(zhǔn)部分討論了利用最終測(cè)試補(bǔ)償元件誤差,通過(guò)上電自測(cè)試和連
2010-07-30 11:34:328 本文介紹了一款RISC_CPU的可測(cè)性設(shè)計(jì),為了提高芯片的可測(cè)性,采用了掃描設(shè)計(jì)和存儲(chǔ)器內(nèi)建自測(cè)試,這些技術(shù)的使用為該芯片提供了方便可靠的測(cè)試方案。
2010-07-30 17:19:5120 芯片間的互連速率已經(jīng)達(dá)到GHz量級(jí),相比較于低速互連,高速互連的測(cè)試遇到了新的挑戰(zhàn)。本文探討了高速互連測(cè)試的難點(diǎn),傳統(tǒng)互連測(cè)試方法的不足,進(jìn)而介紹了互連內(nèi)建自測(cè)試(I
2010-07-31 17:00:1615 內(nèi)建自測(cè)試是一種有效的測(cè)試存儲(chǔ)器的方法。分析了NOR型flash存儲(chǔ)器的故障模型和測(cè)試存儲(chǔ)器的測(cè)試算法,在此基礎(chǔ)上,設(shè)計(jì)了flash存儲(chǔ)器的內(nèi)建自測(cè)試控制器。控制器采用了一種23
2010-07-31 17:08:5435 介紹了用于IP核測(cè)試的內(nèi)建自測(cè)試方法(BIST)和面向測(cè)試的IP核設(shè)計(jì)方法,指出基于IP核的系統(tǒng)芯片(SOC) 的測(cè)試、驗(yàn)證以及相關(guān)性測(cè)試具有較大難度,傳統(tǒng)的測(cè)試和驗(yàn)證方法均難以滿足
2010-12-13 17:09:1110
±50g自測(cè)試電路圖
2009-07-03 12:03:06405
NAC-201具有自測(cè)試的電路圖
2009-07-03 13:09:10399
NAC-206具有自測(cè)試的電路圖
2009-07-03 13:09:35473 用C語(yǔ)言編程操作SPMC75系列單片機(jī)內(nèi)部Flash的方法
SPMC75系列單片機(jī)的內(nèi)部程序存儲(chǔ)器采用Flash,其中有一部分Flash在程序自由運(yùn)行模式下可以由程序擦除、寫入,本文
2009-09-19 10:29:201135 本設(shè)計(jì)指南探討了信號(hào)調(diào)理、調(diào)整和校準(zhǔn)電路,用于修正系統(tǒng)誤差,從而以合理的成本確保工業(yè)設(shè)備安全、精確。校準(zhǔn)部分討論了利用最終測(cè)試補(bǔ)償元件誤差,通過(guò)上電自測(cè)試和連
2010-07-24 12:08:27608 1.引言
在工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)、國(guó)防軍事、航空航天等領(lǐng)域需要利用電路自身資源進(jìn)行快速的故障診斷,即要求電路具有自測(cè)試功能。為了使復(fù)雜的電路具有自測(cè)試功能
2010-11-17 10:34:481075 該公司最新推出基于FLASH芯片的TSOP48測(cè)試座,采用了國(guó)際通行的OPEN TOP的方式方便機(jī)械自動(dòng)化燒錄和測(cè)試芯片,這款插座最顯著的特點(diǎn)是與芯片引腳接觸彈片采用雙觸點(diǎn)的方式,
2011-03-02 09:09:142641 本文章將介紹在芯片內(nèi)部糾錯(cuò)的一些限制,以及一套結(jié)合兩種測(cè)試模式的替代方案,可整合芯片內(nèi)部與外部測(cè)試模式的深層采樣儲(chǔ)存技術(shù)
2011-04-19 11:55:19691 通常我們?cè)谠O(shè)計(jì)芯片的同時(shí),可以根據(jù)芯片本身的特征,額外地把可測(cè)性電路設(shè)計(jì)(Design For Testability)在芯片里。談到可測(cè)性的電路設(shè)計(jì),內(nèi)建自測(cè)試(BIST)和基于掃描Scan—Based)的電路設(shè)計(jì)
2011-06-10 10:13:452119 在集成電路內(nèi)建自測(cè)試的過(guò)程中,電路的測(cè)試功耗通常顯著高于正常模式產(chǎn)生的功耗,因此低功耗內(nèi)建自測(cè)試技術(shù)已成為當(dāng)前的一個(gè)研究熱點(diǎn)。為了減少被測(cè)電路內(nèi)部節(jié)點(diǎn)的開關(guān)翻轉(zhuǎn)活
2012-02-01 14:00:3621 針對(duì)原有的自測(cè)試軟件在分區(qū)操作系統(tǒng)下不能被分區(qū)內(nèi)應(yīng)直接使用的問(wèn)題,本文提出了一種分層的BIT軟件的實(shí)現(xiàn)方法解決該問(wèn)題。分區(qū)操作系統(tǒng)是新一代綜合化航電系統(tǒng)的基礎(chǔ),提供時(shí)
2013-07-26 11:07:480 usb口轉(zhuǎn)串口的驅(qū)動(dòng),本人親自測(cè)試通過(guò),請(qǐng)放心使用
2015-11-10 17:06:5624 本人親自測(cè)試的Jlink刷機(jī)教程,很有含量哦
2015-11-06 16:56:3815 XDS100V3原理圖,是按照官方的原理圖重新畫的,親自測(cè)試通過(guò)。
2015-12-02 10:22:11157 F240X系列DSP內(nèi)部資源介紹,喜歡的朋友下載來(lái)學(xué)習(xí)學(xué)習(xí)。
2016-01-06 14:41:3521 LPC2200_flash內(nèi)部Flash和外部Flash分散加載示例。
2016-05-20 16:08:5816 溫度控制系統(tǒng),親自測(cè)試,可以使用,十分強(qiáng)大,感興趣的可以看看。
2016-07-22 16:53:460 一種基于包的邏輯內(nèi)置自測(cè)試電路設(shè)計(jì)方法
2017-02-07 16:14:5612 在本系列的第 1 部分中,我們?yōu)榇蠹医榻B了三種運(yùn)算放大器測(cè)試電路:自測(cè)試電路、雙運(yùn)算放大器環(huán)路以及三運(yùn)算放大器環(huán)路。這些電路有助于測(cè)試失調(diào)電壓 (VOS)、共模抑制比 (CMRR)、電源抑制
2017-04-08 06:06:344796 TMS570LS系列微控制器與可編程內(nèi)置自測(cè)試(pbist)實(shí)現(xiàn)建筑。的pbist架構(gòu)提供了一種存儲(chǔ)器BIST引擎不同的覆蓋水平在許多嵌入式內(nèi)存實(shí)例中。TMS570LS系列微控制器可分為兩類:130
2018-04-16 16:03:3812 隨著集成電路復(fù)雜度越來(lái)越高,測(cè)試開銷在電路和系統(tǒng)總開銷中所占的比例不斷上升,測(cè)試方法的研究顯得非常突出。目前在測(cè)試源的劃分上可以采用內(nèi)建自測(cè)試或片外測(cè)試。
2019-04-26 09:12:00977 據(jù)外媒報(bào)道,當(dāng)?shù)貢r(shí)間2月19日,日本瑞薩電子株式會(huì)社(Renesas Electronics Corporation)宣布研發(fā),并成功運(yùn)行驗(yàn)證了一款汽車測(cè)試芯片,可實(shí)現(xiàn)采用29納米(nm)低功耗工藝的下一代汽車控制閃存微控制器(MCU)。瑞薩電子是全球領(lǐng)先的先進(jìn)半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商。
2019-02-24 10:01:281978 仿真結(jié)果:為了評(píng)價(jià)BIC監(jiān)測(cè)儀用于新型并行模擬自測(cè)試的可行性,進(jìn)行了故障仿真。全差分電流傳送器被用作被測(cè)器件。在監(jiān)視通過(guò)/失敗輸出(圖2)的同時(shí),將每個(gè)典型的MOS晶體管的終端故障(短路和開路)分別
2019-11-26 16:36:300 STM32F750 和 STM32F730 在 STM32F7 系列中具有極高的性價(jià)比。因?yàn)樗麄?b class="flag-6" style="color: red">內(nèi)部的 Flash 只有 64KB,經(jīng)常需要擴(kuò)展 QSPI Flash,所以在 STM32CubeF7
2020-07-13 08:00:0013 、生產(chǎn)、應(yīng)用企業(yè)。為保證芯片長(zhǎng)期可靠的工作,這些企業(yè)需要在產(chǎn)品出廠前對(duì)FLASH存儲(chǔ)器進(jìn)行高速和細(xì)致地測(cè)試,因此,高效FLASH存儲(chǔ)器測(cè)試算法的研究就顯得十分必要。
2020-08-13 14:37:296064 相信不少電子工程師都有拆焊芯片的經(jīng)歷,本文將介紹如何拆焊Flash芯片,設(shè)計(jì)及制作相應(yīng)的分線板。
2020-09-19 11:08:006251 VLSI測(cè)試技術(shù)導(dǎo)論, 可測(cè)試性設(shè)計(jì), 邏輯與故障模擬,測(cè)試生成,邏輯自測(cè)試,測(cè)試壓縮,邏輯電路故障診斷,存儲(chǔ)器測(cè)試與BIST,存儲(chǔ)器診斷與BISR,邊界掃描與SOC測(cè)試,納米電路測(cè)試技術(shù),復(fù)習(xí)及習(xí)題
2020-10-09 08:00:001 STM32F4內(nèi)部Flash實(shí)驗(yàn)例程(嵌入式開發(fā)版哪個(gè)好)-STM32F4內(nèi)部Flash實(shí)驗(yàn)例程,有需要的可以參考!
2021-07-30 15:58:0136 C8051F35X單片機(jī)內(nèi)部Flash存儲(chǔ)器的擦寫方法總結(jié)(stm32嵌入式開發(fā)實(shí)例)-該文檔為C8051F35X單片機(jī)內(nèi)部Flash存儲(chǔ)器的擦寫方法總結(jié)文檔,是一份很不錯(cuò)的參考資料,具有較高參考價(jià)值,感興趣的可以下載看看………………
2021-08-04 10:41:0211 關(guān)于如何在華大單片機(jī)HC32F460 USB msc功能下使用內(nèi)部Flash制作成小U盤,方法如下。
2021-10-12 11:37:164001 大家好,今天和大家分享一下STM32F103C8T6讀寫內(nèi)部flash,關(guān)于103系列的單片機(jī)大家可以參考選項(xiàng)手冊(cè)查看flash的容量。 一、芯片FLASH容量分類: 可以看到我們今天介紹的這款芯片
2021-09-30 15:48:1822528 作者:Martin Rowe — 2011 年 11 月 16 日
在本系列的第 1 部分中,我們?yōu)榇蠹医榻B了三種運(yùn)算放大器測(cè)試電路:自測(cè)試電路、雙運(yùn)算放大器環(huán)路以及三運(yùn)算放大器環(huán)路。這些電路
2021-11-23 17:41:501409 ,參數(shù)存儲(chǔ)在內(nèi)部flash中,畢竟就算每片減少一塊錢,量大后還是非常可觀的。02選擇參數(shù)存儲(chǔ)位置stm32的flash地址起始于0x08000000,結(jié)束地址是0x08000000加上芯片實(shí)際的flash大小,不同的芯片flash大小不同。我們可以在KEIL項(xiàng)目工程的Target也看到ROM的起始地址
2021-11-16 18:21:0018 STM32讀寫內(nèi)部flash注意點(diǎn)先說(shuō)注意點(diǎn)怎么寫怎么讀的總結(jié)先說(shuō)注意點(diǎn)1、寫之前的第一步是要先解鎖flash,解鎖后最好清除下所有的flag,然后是擦除操作,然后是寫,最后寫完加鎖保護(hù)flash
2021-12-02 11:21:417 的內(nèi)部Flash模擬EEPROM,實(shí)現(xiàn)可以多次擦寫,掉電又可以保存數(shù)據(jù)的功能。二、原理1. STM32F103系列芯片按內(nèi)部Flash的容量大小,分類如下:型號(hào)容量(字節(jié))頁(yè)(字節(jié))啟動(dòng)程序stm32f103X6(小容量)32K1Kstartup_stm32f10x_l.
2021-12-02 11:36:2131 之前的文章中介紹過(guò)STM32F0列的內(nèi)部Flash讀寫《STM32CubeMX之內(nèi)部Flash讀寫》,F(xiàn)1系列的也是一樣的。而F4系列的單片機(jī)與F0和F1略有不同,HAL庫(kù)對(duì)應(yīng)的函數(shù)也不...
2021-12-02 11:36:2529 LBIST (Logic build-in-self test), 邏輯內(nèi)建自測(cè)試。和MBIST同理,在關(guān)鍵邏輯上加上自測(cè)試電路,看看邏輯cell有沒有工作正常。BIST總歸會(huì)在芯片里加入自測(cè)試邏輯,都是成本。
2022-08-29 15:33:302169 在QSPI flash上運(yùn)行毫米波芯片的測(cè)試代碼
2022-10-28 12:00:230 UM2986 STM32U5系列IEC 60730自測(cè)試庫(kù)用戶指南
2022-11-22 08:21:450 芯片功能測(cè)試常用5種方法有板級(jí)測(cè)試、晶圓CP測(cè)試、封裝后成品FT測(cè)試、系統(tǒng)級(jí)SLT測(cè)試、可靠性測(cè)試。
2023-06-09 15:46:581666 本例程主要講解如何對(duì)芯片自帶Flash進(jìn)行讀寫,用芯片內(nèi)部Flash可以對(duì)一些需要斷電保存的數(shù)據(jù)進(jìn)行保存,無(wú)需加外部得存儲(chǔ)芯片,本例程采用的是STM32F103RBT6,128K大小的Flash。
2023-07-27 09:24:48899 本例程主要講解如何對(duì)芯片自帶Flash進(jìn)行讀寫,用芯片內(nèi)部Flash可以對(duì)一些需要斷電保存的數(shù)據(jù)進(jìn)行保存,無(wú)需加外部得存儲(chǔ)芯片,本例程采用的是GD32F303ZET6主控,512K大小的Flash。 最近在弄ST和GD的課程,需要GD樣片的可以加群申請(qǐng):615061293 。
2023-07-27 09:40:391284 寫flash芯片時(shí)為什么需要先擦除? 在講解為什么需要先擦除Flash芯片之前,先來(lái)了解一下Flash芯片的基本概念和組成部分。 Flash芯片是非易失性存儲(chǔ)器,內(nèi)部由多個(gè)塊組成,每個(gè)塊都是一定
2023-10-29 17:24:372320
評(píng)論
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