功率MOSFET市場為歐美IDM半導體廠商所掌控,諸如Vishay、TI、凌力爾特在電源管理應用市場,而飛兆、英飛凌等公司的高壓MOSFET廣泛應用于工業、汽車等市場。甚至,隨著高壓功
2010-09-10 08:44:403691 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,發布新款40V和60V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP
2011-04-01 10:41:591527 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出免費的在線工具PowerCAD Simulation,可以讓工程師又快又方便地對采用Vishay Siliconix穩壓器IC的電路進行測試和優化。
2012-04-10 09:32:33623 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:441092 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件
2012-10-22 13:45:241159 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出在40℃下功率高達20kW(可根據需要提供更高的功率值),能夠在-25℃~+250℃溫度范圍內工作,可用于極端環境中應用的新款不銹鋼功率電
2012-10-29 11:33:551050 Vishay具有業內最低導通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。采用業內最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規格尺寸
2012-11-29 16:37:311694 Vishay推出新款通過AEC-Q101認證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:381449 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新款100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiB456DK和SiA416DJ,將Vishay的ThunderFET?應用到更小的封裝尺寸上。
2013-01-09 11:42:301462 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,發布新款采用熱增強型PowerPAK? SO-8封裝的新款N溝道TrenchFET?功率
2013-04-23 11:47:111791 。 Vishay Siliconix的LITTLE FOOT功率MOSFET將強大的功率處理能力封裝在纖巧的表面貼裝封裝中。標準概述的8引腳SOIC封裝(圖1)具有銅引線框架,可最大程度地提高熱傳遞,同時保持
2021-05-25 11:30:075231 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產品在10V下具有64mΩ~190mΩ的超低最大導通電阻,以及22A~47A的額定電流范圍
2011-10-13 09:09:311168 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出免費的在線工具PowerCAD Simulation,可以讓工程師又快又方便地對采用Vishay Siliconix穩壓器IC的電路進行測試和優化。
2012-04-05 15:06:54655 Vishay提供豐富的MOSFET技術支持各級功率轉換,涵蓋高壓輸入到低壓輸出的各種最新高科技系統。
2020-12-24 15:08:34802 Vishay 宣布,推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件---SiHK045N60E。Vishay Siliconix n 溝道SiHK045N60E導通電阻比前一代600
2022-02-21 11:18:05934 ---SiZF5300DT和SiZF5302DT,將高邊和低邊TrenchFET? Gen V MOSFET組合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR? 3x3FS單體封裝中。Vishay Siliconix SiZF5300DT和SiZF5302DT適用于計算和通信應用功率轉換,在提高能效的同時,減少元器件數量并
2023-01-30 10:09:49529 額定功率更高的IGBT,VO3120可用于驅動離散功率級,以驅動IGBT柵極。推薦產品:VO3120-X007T;VO3120Vishay其它相關產品請 點擊此處 了解特征:最小峰值輸出電流
2019-10-30 15:23:17
Si9241AEY是一個單片總線收發器提供汽車雙向串行通信診斷應用程序。該裝置具有過電壓保護和VBAT短路。收發信管腳受到保護可以驅動超過VBAT電壓。Si9241AEY建立在Vishay
2020-07-25 14:28:42
65.9A9.1V至301V的出色鉗位能力具有10 /1000μs波形的600W峰值脈沖功率,重復率(占空比):0.01%溫度范圍為-55°C至+150°C應用:用于敏感電子設備保護,防止感應負載切換和IC,MOSFET,用于消費,計算機,工業和電信的傳感器單元的信號線感應引起的瞬態電壓。`
2019-09-07 11:48:12
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標準并經 100% Rg 和 UIS 測試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護典型值達
2019-07-09 17:30:39
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2012-03-25 22:16:19
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2012-03-25 22:18:31
,工程師們已定義一套FOM以應用于新的低壓功率MOSFET技術研發。由此產生的30伏特(V)技術以超級接面(Superjunction)為基礎概念,是DC-DC轉換器的理想選擇;相較于橫向和分裂閘極
2019-07-04 06:22:42
XLLGA-3到D2Pak和TO-220封裝不等。MOSFET額定電壓范圍從12 V至200 V以上。功率MOSFET用于便攜式設備如手機和平板電腦。它們也用于計算機、服務器、電動工具和汽車。選擇合適
2018-10-18 09:13:03
SiN)及半導體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(Power MOSFET)是指它能輸出較大的工作電流(幾安到幾十安),用于功率輸出級的器件。
2021-04-23 07:04:52
功率MOSFET的概念是什么 MOSFET的耗散功率如何計算 同步整流器的功耗如何計算
2021-03-11 07:32:50
功率放大器的需求將進一步提高。RF 功率 MOSFET在無線電通訊領域也有應用,其頻率已延伸至低微波段且輸出功率可達百W以上。它同時也應用于電視(特別是數字電視)功率放大器、雷達系統和軍事通訊中。隨著
2019-07-08 08:28:02
利用功率MOSFET手冊,利用Saber軟件里的自建模工具對功率MOSFET進行建模,并仿真驗證其性能。淘寶上搜索“功率MOSFET建模”,則可看到課程鏈接。建模主要包含以下內容:Saber軟件中
2017-04-12 20:43:49
lOmΩ;工作頻率<br/>范圍從直流到達數兆赫;保護措施越來越完善;并開發出各種貼片式功率MOSFET(如<br/>SILIConix最近開發
2010-08-12 13:58:43
FPGA仿真工具。該軟件具備先進的圖形化設計工具,代碼修改,Verilog編譯仿真和波形分析。軟件只有4.5M,但可以實現小型系統的設計,仿真和測試。軟件生成標準的Verilog代碼,可以直接用于
2015-04-02 11:26:26
本視頻將演示如何發布數據至DigiPCBA平臺用于ECAD-MCAD協同設計!寶藏級的在線設計協同工具分享給大家,大家點擊鏈接就可以在線注冊了!地址:https://digipcba.com/?hmsr=HQbbs
2021-04-01 10:24:48
使用功率 MOSFET 也有兩年多時間了,這方面的技術文章看了不少,但實際應用選型方面的文章不是很多。在此,根據學到的理論知識和實際經驗,和廣大同行一起分享、探討交流下功率 MOSFET 的選型
2019-11-17 08:00:00
怎么安裝適用于Linux *的OpenVINO?工具包的英特爾?發布版?
2021-09-23 08:33:34
` 最新QQ密碼尋回軟件,牛人免費發布做技術研究終極qq密碼尋回者,2013年3月最新發布收關之作,以后不再更新免費測試版。采用最新技術,極佳的qq密碼尋回工具,密保版可以找回密保資料。請自覺用于正規渠道使用,若用于違法用途請自覺刪除。試用軟件聯系QQ33871040 `
2013-03-16 15:16:40
供電,其中輸入電壓V在直接來自總線電壓。這可能會有很大的電壓變化,包括由于應用環境而導致的高壓尖峰。耗盡型MOSFET可用于在線性穩壓器電路中實現浪涌保護,如圖5所示。MOSFET 以源極跟隨器配置連接
2023-02-21 15:46:31
INTEWORK-VBA(Vehicle Bus Analyzer) 車輛總線監控分析及仿真工具,是由經緯恒潤自主研發的一款專業、易用的車載
2021-03-05 10:42:54
Vishay Intertechnology 控股的Siliconix 公司日前宣布推出采用反向導引TO-252 DPAK 封裝的新型TrenchFET 功率MOSFET 系列產品。憑借反向成型的接腳,采取「SUR」封裝的TrenchFET 能使該產品反向
2010-09-05 10:26:5964 Vishay新型功率MOSFET采用反向導引TO-252DPAK封裝
2010-11-12 22:27:3332 Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET,采用TurboFET技術
日前,Vishay Intertechnology推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件,從而擴展其第三代 TrenchFET 功率MOSFET 系列。這些器件首次采用 T
2008-12-08 11:55:09635 日前,Vishay Intertechnology宣布推出業界首款采用 MICRO FOOT 芯片級封裝的 TrenchFET 功率 MOSFET --- Si8422DB,該器件具有背面絕緣的特點。
Si8422DB 針對手機、PDA、數碼相機、MP3 播放器
2009-01-26 23:24:221152 Vishay Siliconix推出業界性能最先進的P溝道功率MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強Pow
2009-11-23 17:10:23650 Vishay Siliconix推出業內最低導通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011089 Vishay推出的P溝道功率MOSFET SiA433EDJ
日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出新款20VP溝道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm×2mm占位面積的熱增強PowerPAKSC-70封裝,具
2009-11-25 17:56:52711 小信號應用60V功率MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出采用SOT-923封裝的60V N溝道功率MOSFET --- SiM400。該器件為業界最小的60V功率MOSFET,比SC-70和SC-90等封裝能節約更多
2009-12-31 09:59:441421 Vishay推出4款MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出4款新的600V FET">MOSFET --- SiHP22N60S
2010-01-27 09:31:291277 Vishay發布新款集成功率光敏
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出兩款新的集成功率光敏,分別是輸出電流為0.9A的VO2223和輸出電流為1A的VO2223A,擴
2010-03-26 11:38:56722 Vishay推出500V N溝道功率MOSFET:SiHF8N50L-E3
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比,該器件的
2010-04-07 10:52:52777
Vishay Intertechnology, Inc宣布,對其ThermaSim在線MOSFET熱仿真工具進行了改進
2010-06-25 10:20:43905 Vishay Intertechnology, Inc.宣布,擴充其用于功率電子的重載Vishay ESTA HDMKP電容器,增添新容值和新封裝形式。
HDMKP電容器具有從900V至2700V(dc)的6種標準電壓。其前一代產品的容值
2010-06-25 15:38:30474 Vishay Intertechnology, Inc.宣布,擴充其用于功率電子的重載Vishay ESTA HDMKP電容器,增添新容值和新封裝形式。
HDMKP電容器具有從900V至2700V(dc)的6種標準電壓。其前一代產品的容值
2010-06-28 08:36:54574 日前,長期為軍工和航天客戶提供高可靠性分立和IC器件的供應商Vishay Intertechnology, Inc.宣布,該公司旗下子公司Vishay Siliconix位于加州Santa Clara的工廠已經通過了DSCC的
2010-07-07 18:08:29710 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S,該MOSFET在10V柵極驅動下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:571559 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出首款采用PowerPAIR 6mmx3.7mm封裝和TrenchFET Gen III技術的非對稱雙通道TrenchFET功率MOSFET ---
2010-11-25 08:43:23923 Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK SC-70封裝,
2011-03-02 10:19:301341 日前,Vishay Intertechnology, Inc.發布占位面積為1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiB437EDKT。此外,SiB437EDKT是唯一能在1.2V下導通的此類器件。
2011-08-18 09:42:40850 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出業內采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率
2011-10-21 08:53:05873 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布, Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過JAN認證的,分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:351491 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,引入兩款在尺寸和導通電阻上設立了新的行業基準的p溝道30V器件---Si8497DB和Si8487DB,擴充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。
2012-02-20 08:34:13630 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,該公司的SiZ710DT 20 V n溝道PowerPAIR?功率MOSFET榮獲功率器件/電壓轉換器類別的2012中國年度電子成就獎。
2012-04-26 16:39:57646 Mouser Electronics開始供應Vishay Siliconix第一款採用業界最小的晶片級封裝,并將導通電阻降至 1.2V 的 MOSFET。
2012-11-26 09:28:421014 Vishay 推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541383 新的E系列器件采用Vishay Siliconix超級結技術,導通電阻低至30m?、電流達6A~105A,在8種封裝中實現低FOM和高功率密度。
2013-06-04 15:57:241063 ? 1212-8S封裝的-30V---SiSS27DN器件,擴充其TrenchFET? Gen III P溝道功率MOSFET。
2013-07-15 11:32:40783 年度Top-10電源產品獎。Si7655DN是業內首款采用3.3mm x 3.3mm封裝的20V P溝道MOSFET,在4.5V柵極驅動下的最大導通電阻只有4.8mΩ,也是采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK? 1212封裝的首款器件。
2013-10-10 15:08:061138 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件,擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
2013-12-02 09:49:211075 x 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT?封裝尺寸的-20V器件---Si8851EDB,擴展其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay
2013-12-05 10:30:05898 的采用非對稱PowerPAK? SO-8L封裝的新款40V雙芯片N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。Vishay Siliconix 的這兩款器件可用于車載
2013-12-13 15:07:13843 日前,Vishay宣布,推出具有業內最低導通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP,擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 Vishay發布采用PowerPAIR? 3mm x 3mm封裝,使用TrenchFET? Gen IV技術的新款30V非對稱雙片TrenchFET 功率MOSFET
2014-02-10 15:16:51890 半導體與電子元器件業頂尖工程設計資源與全球授權分銷商貿澤電子(Mouser Electronics)宣布贊助兩款在線免費電路設計工具:EasySim在線仿真工具和EasyPCB布線設計工具。
2014-04-16 12:02:351381 Vishay宣布,推出業內首批通過AEC-Q101認證的采用雙片不對稱功率封裝的12V MOSFET---SQJ202EP和20V MOSFET---SQJ200EP,可在汽車應用的高效同步降壓
2016-07-11 14:33:171004 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,光電子產品部發布新的在線工具,加速家用娛樂系統設計工程師耗時的計算工作。使用遙控功能的所有產品都需要一個有精確尺寸的窗口,來確保
2016-09-28 15:39:191097 MOSFET的首顆器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N溝道SiHP065N60E的導通電阻比前一代600V E系列MOSFET低30%,為通信、工業和企業級電源提供
2017-02-10 15:10:111667 MPLAB? REAL ICE?在線仿真器功率監視器(AC244008)包含功率模塊和一個外部電源,從而使MPLAB REAL ICE在線仿真器能夠監視目標板或器件的電流和電壓。
2018-06-11 08:29:0016 功率監視器(AC244008)通過MPLAB REAL ICE在線仿真器監視目標板或目標器件的電流和電壓。工具包由功率監視板、電源和本使用說明書組成
2018-06-05 14:29:0020 ;功率MOSFET所用的MICRO FOOTreg;封裝的占板面積比僅次于它的最小芯片級器件最高可減少36%,而導通電阻則與之相當甚至更低。 Si8802DB和Si8805EDB可用于手持設備中的負載切換,包括智能手機、平板電腦、便攜式媒體播放器和移動計算設備。在
2019-01-01 16:29:01380 Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出具有1.5?低導通電阻的新款±15V精密單片4路單刀單擲(SPST)CMOS模擬開關--- Vishay Siliconix DG1411、DG1412和DG1413。
2020-01-09 15:00:141020 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出了一款符合AEC-Q101要求的N通道60 V MOSFET--- SQJ264EP,這是采用PowerPAK? SO-8L
2020-12-15 16:09:501556 Vishay/Siliconix SiR186LDP N溝道60V (D-S) MOSFET采用TrenchFET? Gen IV功率MOSFET技術。
2021-04-21 17:50:211274 MPLAB REAL ICE在線仿真器跟蹤接口工具包用戶指南免費下載。
2021-05-12 10:14:3913 新型 30 V n 溝道 TrenchFET?第五代功率 MOSFET,提升隔離和非隔離拓撲結構功率密度和能效。 Vishay Siliconix?SiSS52DN?采用熱增強型 3.3 mm
2021-05-28 17:25:572153 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向汽車和工業設備等電子電路設計者和系統設計者,在ROHM官網上公開了一款在線仿真工具“ROHM Solution Simulator”,利用該仿真
2022-01-18 14:55:125633 Vishay 推出最新第四代 600 V E 系列功率 MOSFET 器件。Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60E 導通電阻比前一代 600 V E 系列 MOSFET
2022-02-26 13:25:351341 在線電路仿真工具
Autodesk Circuits – Circuits.Io
PartSim –Partsim.Com
EveryCircuit
2022-10-12 11:50:1113591 N 溝道器件實現高功率密度,降低導通和開關損耗,提高能效 ? 賓夕法尼亞、 MALVERN — 202 2 年 10 月 12 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.
2022-10-12 15:44:14375 Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60EF 導通電阻比前代器件降低 29 %,為通信、工業和計算應用提供高效、高功率密度解決方案,同時柵極電荷下降 60 %,從而使器件導通電阻與柵極電荷乘積,即功率轉換應用中 600V MOSFET 的重要優值系數(FOM)創業界新低。
2022-10-14 16:16:12817 電子發燒友網站提供《用于Vishay NTC熱敏電阻的Altium Designer仿真模型.zip》資料免費下載
2022-11-30 09:34:262 scratc,更輕量化,上手更容易,是一個在線的電路仿真工具。
2022-12-02 14:23:085863 中。 Vishay Siliconix SiZF5300DT 和 SiZF5302DT 適用于計算和通信應用功率轉換,在提高能效的同時,減少元器件數量并簡化設計。 日前發布的雙通道 MOSFET 可用來取代兩個 PowerPAK 1212 封裝分立器件,節省 50% 基板空間,同時
2023-02-04 06:10:04502 英國Pickering公司作為用于電子測試和驗證的模塊化信號開關和仿真解決方案的全球供應商,于今日發布了一款全新的免費在線使用的微波開關設計工具Microwave Switch Design
2023-06-15 14:22:19321 電腦上,但在保存文件時不能對文件名進行任何修改。如果您不能或不允許使用宏設置的 Excel 文件,Vishay 建議使用在線 ? NTCRT 計算工具 ? 。 此計算工具可用于確定Vis hayNTC
2023-07-05 20:05:09295 電子發燒友網站提供《Elxflash在線工具.zip》資料免費下載
2023-07-24 15:07:290 品英Pickering作為用于電子測試和驗證的模塊化信號開關和仿真解決方案的全球供應商,于近日發布了一款全新的免費在線使用的微波開關設計工具Microwave Switch Design Tool
2023-08-31 14:19:45310 電子發燒友網站提供《在線設計和仿真工具入門指南.pdf》資料免費下載
2023-09-20 09:45:090 Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET,進一步提高工業、計算機、消費電子和通信應用的功率密度,增強熱性能。
2024-02-22 17:11:08355 Vishay近期發布五款新型半橋IGBT功率模塊,其改良設計的INT-A-PAK封裝備受矚目。這五款器件,包括VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S等,均運用Vishay領先
2024-03-08 11:45:51266 近日,全球知名的半導體解決方案供應商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET,型號為SiZF4800LDT。這款新產品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0294 全球知名半導體解決方案供應商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14104 Elite Power仿真工具是安森美(onsemi)推出的一款基于PLECS的具有獨特功能的領先在線仿真工具,適用于軟/硬開關應用,使工程師在開發周期的早期階段,
2024-03-20 09:58:3884
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