非對稱封裝優化低邊MOSFET的RDS（on），在同步DC/DC轉換器中可節省空間

　　賓夕法尼亞、MALVERN — 2013 年 12 月12 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出通過AEC-Q101認證的采用非對稱PowerPAK? SO-8L封裝的新款40V雙芯片N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。Vishay Siliconix 的這兩款器件可用于車載應用，把高效同步DC/DC降壓轉換器所需的高邊和低邊MOSFET都組合進小尺寸5mm x 6mm封裝里，比使用分立MOSFET的方案節省空間，低邊MOSFET的最大導通電阻低至6.4mΩ。

　　今天發布的這些MOSFET是業內首批通過汽車級認證的采用非對稱封裝的雙芯片MOSFET，為降低傳導損耗，增大了低邊MOSFET的尺寸。器件可在+175℃高溫下工作，具有車內任何位置的應用所需的耐用性和可靠性。器件尤其適用于車載通信娛樂系統，例如收音機和GPS系統。

　　SQJ940EP和SQJ942EP使設計者能夠選用不同的導通電阻值。在10V電壓下，SQJ940EP的溝道2低邊MOSFET的最大導通電阻為6.4mΩ，溝道1高邊MOSFET的導通電阻為16mΩ。與雙芯片對稱方案相比，SQJ940EP的低邊導通電阻低31%，而尺寸同樣小巧。SQJ942EP在10V下的最大低邊導通電阻為11mΩ，高邊MOSFET的導通電阻為22mΩ。

　　這些MOSFET通過了100%的Rg和UIS測試，符合RoHS，無鹵素。

　　器件規格表：

　　SQJ940EP和SQJ942EP現可提供樣品，并已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十四周到十六周。

　　VISHAY簡介

　　Vishay Intertechnology， Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1000 強企業”，是全球分立半導體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無源電子元件（電阻器、電感器、電容器）的最大制造商之一。這些元器件可用于工業、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天、電源及醫療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備。憑借產品創新、成功的收購戰略，以及“一站式”服務使Vishay成為了全球業界領先者。有關Vishay的詳細信息，敬請瀏覽網站 www.vishay.com。