在混合式氮化鎵?VCSEL?的研究，2010年本研究團隊優(yōu)化制程達到室溫連續(xù)波操作電激發(fā)氮化鎵?VC....

上述實驗結(jié)果為近年來局限在光激發(fā)的氮化鎵?VCSEL?的結(jié)果，一直到2008年，作者實驗室首次在77....

在氮化鎵藍光?VCSEL?發(fā)展方面，1996年?Redwing?等人成功制作了第一個室溫下光激發(fā)的氮....

在氮化鎵發(fā)光二極體的發(fā)展過程中已受到許多的阻礙，其中包含缺少晶格匹配的基板、p型氮化鎵鎂的低活化率、....

東京大學荒川泰彥教授（Y. Arakawa）在1982年提出量子點結(jié)構的概念，在1994年柏林工業(yè)大....

由上述 InP 系列材料面射型雷射發(fā)展可以發(fā)現(xiàn)，要制作全磊晶結(jié)構的長波長面射型雷射難度較高，因此在1....

為了應用在光纖通訊上有效提升訊號傳輸距離，對于發(fā)光波長1310nm?與1550nm的面射型雷射需求也....

在完成選擇性氧化制程后，通常會將蝕刻后殘留在磊晶片表面繼續(xù)作為氧化制程保護層的?SiO2或?SiNx....

采用氧化局限技術制作面射型雷射元件最關鍵的差異在于磊晶成長時就必須在活性層附近成長鋁含量莫耳分率高于....

制作氧化局限面射型雷射與蝕刻空氣柱狀結(jié)構一樣都需要先將磊晶片進行蝕刻，以便暴露出側(cè)向蝕刻表面（etc....

為了改善上述蝕刻柱狀結(jié)構以及離子布植法制作面射型雷射的缺點，在1994年從德州大學奧斯丁分校獲得博士....

目前市場上普遍采用的面射型雷射元件主流技術為選擇性氧化法，絕大多數(shù)面射型雷射操作特性紀錄均是由選擇性....

由于蝕刻柱狀結(jié)構有上述金屬電極制作困難且需要額外的蝕刻制程步驟等問題，因此早期業(yè)界及學術研究單位最常....

半導體材料被蝕刻移除后，剩余的柱狀結(jié)構與周遭的空氣之間折射率差異也因此增加，因此在柱狀結(jié)構中電子電洞....

其中蝕刻空氣柱法將大多數(shù)可以導通電流的半導體材料以物理性或化學方式蝕刻移除后，僅保留直徑數(shù)微米至數(shù)十....

從前面一小節(jié)對半導體雷射線寬的討論可以知道，即使半導體雷射操作在穩(wěn)態(tài)的狀況下，還是會有因為自發(fā)輻射所....

從前面的例子中，可以知道線寬增強因子會讓半導體雷射在動態(tài)操作時譜線變寬，接下來我們要討論的是半導體雷....

為要了解半導體雷射的大信號響應，我們先針對單模雷射的速率方程式求解，我們將使用線性增益近似以及考慮到....

當半導體雷射從閾值條件以下要達到雷射的操作，其主動層中的載子必須要先達到閾值載子濃度才會有雷射光輸出....

從（4-40）式我們知道，要達到高的弛豫頻率，光子生命期要小而閾值電流要低，然而這兩個因素是互相沖突....

（4-25） 式為我們可以量測得到的半導體雷射調(diào)制響應。將之取對數(shù)乘上10之后，其單位即為?dB，如....

最常見的半導體雷射調(diào)制是如圖4-1 的直接電流調(diào)制，半導體雷射偏壓操作在固定的電流值I0上，欲輸入的....

典型的VCSEL 結(jié)構主要由p型 DBR、n 型 DBR與光學共振腔所組成。上下 DBR提供縱向的光....

由于 VCSEL 共振腔的體積非常小，可以稱之為微共振腔（micro-cavity），因為要達到閾值....

VCSEL相較于傳統(tǒng)的邊射型雷射而言，另一項重要的區(qū)分在于VCSBL 具有很短的雷射共振腔。

進一步考量到 DBR 的設計時，雖然界面平整的異質(zhì)結(jié)構可以提供較大而明顯的折射率差異以達到較高的 D....

相較于傳統(tǒng)邊射型半導體雷射的發(fā)展，垂直共握腔面射型雷射（VCSEL）的設計概念直到1979年首先被I....

共振腔中雷射光來回（round trip）振蕩后保持光學自再現(xiàn)（self-consistency）的....

在半導體中，光子的放射是由電子和電洞借由垂直躍遷所達成的，我們可以把具有相同k值的電子一電洞看成一種....

一個基本的半導體雷射如圖2-1所示，包含了兩個平行劈裂鏡面組成的共振腔，稱為Fabry-Perot?....