深圳市浮思特科技有限公司文章

• 功率半導體市場迎飛躍，預測2035年市場規模將增4.7倍2024-05-28 10:53

  

  近日，日本市場研究公司富士經濟發布了一份備受關注的行業研究報告《功率器件晶圓市場的最新趨勢和技術趨勢》。該報告深入分析了功率半導體市場的發展趨勢，并預測2024年功率半導體市場將比上年增長23.4%，市場規模將達到2813億日元。預計到2035年，這一市場規模將進一步擴大至10,763億日元，較2023年水平激增4.7倍。報告指出，功率半導體市場的增長主要得

  功率半導體 功率器件 晶圓 584瀏覽量

• 如何降低功率元器件發生絕緣品質異常2024-05-28 10:51

  

  當絕緣體內存在氣泡(Void)或絕緣體間存在氣隙(Airgap)時，在正常工作電壓下氣泡或氣隙容易發生局部放電(PartialDischarge，PD)，導致絕緣劣化造成絕緣品質異常。例如：樹酯內有氣泡或漆包線間的氣隙，因為空氣的介電系數較低，氣泡或氣隙的電容量比原絕緣材料低，所以會分到相對高比例的電壓，且在相同間隙距離條件下，氣泡或氣隙的崩潰電壓比絕緣材料的低。此類放電發生于氣泡或氣隙等局部瑕疵

  功率元器件 313瀏覽量

• SemiQ 開始針對 SiC 產品組合實施已知良品芯片(KGD)計劃2024-05-27 11:19

  

  近日，SemiQ已啟動了已知良好芯片(KGD)篩選計劃。該計劃提供經過電氣分類和光學檢查的高質量SiCMOSFET技術。該技術已準備好進行后端處理，并且可以直接作為芯片連接。SemiQ的已知良好芯片保證了一致的電氣參數，使客戶能夠在高壓電源、牽引逆變器和功率調節系統等設備的構建中依靠可重復的性能來實現高生產線成品率。統一的芯片特性有利于高功率模塊中各種器件的

  SemiQ SiC 芯片 314瀏覽量

• MPRA1C65-S61 650V 碳化硅功率模塊詳解2024-05-27 11:16

  

  今天我們來講一款FSTSICDIODE模塊MPRA1C65-S61，這款SiCModule可以適用更高的開關頻率，可忽略的反向恢復與開關損耗，大大的提高整機效率，可適當的減少散熱器件體積。模塊采用帶有散熱片的S6小型封裝，具有體積小、結構緊湊、功能強大、用戶使用簡單靈活的特點，是焊接切割設備，開關電源充電設備等領域的理想功率模塊。快速參考數據:650V/10

  Module SiC 碳化硅 412瀏覽量

• 韓國籌劃622萬億韓元半導體補貼計劃，吸引國內外中小企業強化產業生態2024-05-24 11:46

  

  據悉，韓國政府正積極籌劃一項半導體補貼計劃，旨在面對全球半導體產業競爭加劇的背景下，培育和吸引國內外中小企業加入其半導體產業生態系統。該計劃補貼預計622萬億韓元，對半導體產業集群目標所采取的重要舉措。韓國，作為半導體產業的重要參與者，近年來一直努力加強其在全球半導體市場中的地位。此次半導體補貼計劃的提出，標志著韓國政府在應對全球產業競爭方面邁出了重要步伐。根據韓國政府的計劃，補貼將針對有潛力的中

  半導體 321瀏覽量

• 適用于集成存儲和電動汽車充電的光伏系統的 SiC MOSFET 模塊2024-05-24 11:45

  

  因為使用化石燃料帶來的問題，世界正面臨各種氣候挑戰，所以很多能源部門正轉型以應對，不僅電力生產轉向更多可再生能源，住宅部門也在改變用電方式，如電動汽車的普及和熱泵取暖。這些變化導致電力需求增加和住宅用電成本上升，進而推動了太陽能光伏、家庭電力存儲和電動汽車充電設備的普及。這篇文章將討論SiCMOSFET如何通過創新封裝技術，有效整合這些電力需求，推動電力電子

  MOSFET SiC 電動汽車 411瀏覽量

• Nexperia(安世)發布高性能碳化硅MOSFET，滿足工業應用增長需求2024-05-23 10:57

  

  近日，全球知名的半導體制造商Nexperia(安世)半導體推出采用D2PAK-7SMD封裝的高度先進的1200V碳化硅(SiC)MOSFET。此次發布的MOSFET共包含四種不同選項，RDSon值分別為30、40、60和80mΩ，進一步豐富了公司的SiCMOSFET產品線。Nexperia的這一最新發布是對其SiCMOSFET產品組合的快速擴展。此前，該公司

  MOSFET smd封裝 半導體 570瀏覽量

• 基于 GaN 的 MOSFET 如何實現高性能電機逆變器2024-05-23 10:56

  

  推動更高效的能源利用、更嚴格的監管要求以及研發了冷卻操作的技術都能夠實現減少電動機的功耗，雖然硅MOSFET等開關技術已得到廣泛應用，但它們通常無法滿足關鍵逆變器應用更苛刻的性能和效率目標。相反，設計人員可以使用氮化鎵(GaN)來實現這些目標，氮化鎵是一種寬帶隙(WBG)FET器件技術，在成本、性能、可靠性和易用性方面都得到了改進和進步。GaN器件是主流，已

  MOSFET 電機 逆變器 641瀏覽量

• 聊聊幾種常見的單片機通信方式2024-05-22 12:28

  

  在這個數字化和智能化的時代，單片機(MicrocontrollerUnits,MCUs)已經成為現代電子設備中不可或缺的核心組件。從簡單的家用電器如微波爐和洗衣機，到復雜的工業控制系統，甚至是高科技的自動駕駛汽車，單片機都扮演著至關重要的角色。它們不僅負責執行基本的控制任務，還處理數據、管理用戶界面，并與其他設備進行通信，今天，我們就來深入了解一下單片機的幾

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• 碳化硅(SiC)引領電力電子革命，成本優勢顯著2024-05-21 11:11

  

  近期，市場對碳化硅(SiC)在高電流需求應用中的應用越來越感興趣，各大集成器件制造商正加速擴大SiC的產能投資，并推出多款新產品，以滿足數據中心、電力基礎設施和電動車等領域的需求。SiC的滲透率上升，顯著降低了系統成本，成為推動市場接受度提高的重要因素。在最近的第三類半導體論壇上，SiC領軍企業Wolfspeed指出，SiC的應用顯著降低了系統成本，不僅節省

  電力電子 電動車 碳化硅 344瀏覽量