深圳市浮思特科技有限公司文章

• SiC與GaN 功率器件中的離子注入技術(shù)挑戰(zhàn)2024-04-29 11:49

  

  碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體預(yù)計將在電力電子器件中發(fā)揮越來越重要的作用。與傳統(tǒng)硅(Si)設(shè)備相比，它們具有更高的效率、功率密度和開關(guān)頻率等主要優(yōu)勢。離子注入是在硅器件中產(chǎn)生選擇性摻雜的主要方法。將其用于寬帶隙器件處理時存在一些挑戰(zhàn)。在本文中，我們將重點介紹其中的一些，同時總結(jié)它們在GaN功率器件中的一些潛在應(yīng)用。01有幾個因素決

  GaN SiC 功率器件 1444瀏覽量

• 一種軟件可配置的SiC MOSFET門驅(qū)動方法2024-04-28 13:47

  

  SiC技術(shù)已廣泛應(yīng)用于電動汽車、工業(yè)、可再生能源/電網(wǎng)和其他應(yīng)用的中壓和高壓應(yīng)用中。為了充分發(fā)揮其優(yōu)勢，系統(tǒng)開發(fā)人員必須首先抵消其更快的開關(guān)速度帶來的不良副作用。01由于基于SiC的系統(tǒng)設(shè)計的復(fù)雜性不斷增加，傳統(tǒng)柵極驅(qū)動器不足以解決這些與SiC相關(guān)的挑戰(zhàn)。這些傳統(tǒng)柵極驅(qū)動器專為與速度慢得多的硅絕緣柵雙極晶體管(IGBT)配合使用而設(shè)計。想要實現(xiàn)更快的上市時間

  MOSFET SiC 驅(qū)動 434瀏覽量

• 華為攜手車企成立「超充聯(lián)盟」，引領(lǐng)智慧電動新紀(jì)元2024-04-26 11:43

  

  在第十八屆北京國際汽車展覽會召開前夕，華為在其2024華為智慧電動&智慧充電網(wǎng)絡(luò)戰(zhàn)略與新品發(fā)表會上，公布了一項劃時代的戰(zhàn)略。華為數(shù)字能源總裁侯金龍在大會上詳細(xì)闡釋了「一體三面」的電動化戰(zhàn)略，并正式宣布與多家車企、充電運營商及產(chǎn)業(yè)伙伴聯(lián)手成立了旨在推動電動車充電革命的「超充聯(lián)盟」。侯金龍在發(fā)布會中指出，中國新能源汽車市場經(jīng)過十余年的蓬勃發(fā)展，如今迎來了三個顯著

  華為 汽車充電 電動車 492瀏覽量

• 氫能汽車和電能汽車誰是未來?2024-04-26 11:37

  

  當(dāng)我們站在這個時代的十字路口，回望過去的工業(yè)歷程，不免為那些曾推動社會進(jìn)步的能源選擇感到矛盾。化石燃料，這個曾經(jīng)的工業(yè)革命之星，如今卻成為了全球環(huán)境與能源挑戰(zhàn)的一部分。隨著溫室氣體的累積和全球氣候的劇烈變化，我們迫切的需要對未來出行方式進(jìn)行重塑。01氫能汽車與電能汽車，這兩位可持續(xù)出行解決方案的佼佼者，就在這樣的背景下嶄露頭角。它們不僅承諾將尾氣排放降至最低

  新能源汽車 氫能汽車 電池 379瀏覽量

• 全球MCU市場強勁增長，英飛凌鞏固全球汽車MCU市場龍頭地位2024-04-25 11:40

  

  近日，TechInsights發(fā)布了一份最新研究報告，報告顯示英飛凌在全球汽車半導(dǎo)體市場的份額實現(xiàn)了顯著增長。具體數(shù)據(jù)表明，英飛凌的市場份額從2022年的近13%提升到了2023年的大約14%，這一增長進(jìn)一步鞏固了其作為全球汽車半導(dǎo)體市場領(lǐng)導(dǎo)者的地位。TechInsights的研究報告指出，英飛凌在全球所有地區(qū)的市場份額都有所提升，特別是在韓國和中國，英飛凌

  mcu 半導(dǎo)體 英飛凌 522瀏覽量

• 如何看待半導(dǎo)體行業(yè)未來的新趨勢2024-04-25 11:38

  

  如何看待半導(dǎo)體行業(yè)未來的新趨勢

  人工智能 半導(dǎo)體 芯片 794瀏覽量

• 碳化硅 (SiC) MOSFET：為汽車電氣化的未來提供動力2024-04-24 11:48

  

  隨著人們更加注重可持續(xù)性發(fā)展的經(jīng)濟新模式，我們的居住方式、工作狀態(tài)以及使用車輛的通勤和休閑方式都在發(fā)生相應(yīng)的變化。尤其是在交通運輸領(lǐng)域的變革，因為我們需要減少對化石燃料等不可再生資源的依賴，以減輕對環(huán)境的影，推動了一系列能夠顯著提升效率并加快電氣化轉(zhuǎn)變的產(chǎn)品的問世。功率半導(dǎo)體技術(shù)近年來快速進(jìn)步，配備了碳化硅(SiC)MOSFET的電動汽車(EV)如今能夠行駛

  MOSFET 汽車 碳化硅 992瀏覽量

• 利用 Ga-FIB 洞察 SiC 和 GaN 功率半導(dǎo)體結(jié)2024-04-23 10:49

  

  盡管傳統(tǒng)高壓平面MOSFET取得了進(jìn)步，但由于阻斷或漏源擊穿電壓因厚度、摻雜和幾何形狀而變化，因此局限性仍然存在。本文將講解超級結(jié)MOSFET(例如意法半導(dǎo)體的MDmesh技術(shù))通過晶圓上又深又窄的溝槽來應(yīng)對這些挑戰(zhàn)。01該技術(shù)非常適合開關(guān)模式電源，采用超級結(jié)多漏極結(jié)構(gòu)來降低漏源壓降。高漏電或軟擊穿電壓等問題可能是由塊狀形成中的污染物或缺陷引??起的。因此，

  GaN SiC 功率半導(dǎo)體 499瀏覽量

• 臺灣晶圓代工與IC封裝測試2023年均為全球第一2024-04-22 13:52

  

  臺灣作為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)航者，匯聚著眾多全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司。根據(jù)駐新加坡臺北代表處發(fā)布最新一期《2023年臺灣與全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈回顧》報告，在晶圓代工和集成電路(IC)封裝測試方面，2023年臺灣均位居第一。報告稱，臺積電在全球半導(dǎo)體晶圓代工市場上保持優(yōu)勢地位，其產(chǎn)值之市占率從2022年的55.4%，提升至2023年的58.9%，并在2023年第四季達(dá)到6

  IC封裝 晶圓 792瀏覽量

• 氮化鎵(GaN)功率集成電路(IC)開發(fā)的優(yōu)勢與挑戰(zhàn)2024-04-22 13:51

  

  氮化鎵(GaN)功率器件以離散形式已在電源充電器的應(yīng)用領(lǐng)域得到廣泛采用。在電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中，GaN高遷移率電子晶體管(HEMT)的諸多材料和器件優(yōu)勢也推動了它在多樣化應(yīng)用中的電源轉(zhuǎn)換使用，例如數(shù)據(jù)中心、可再生能源和電動汽車。在本文中，我們將探討創(chuàng)建GaN功率集成電路(ICs)的一些優(yōu)勢和挑戰(zhàn)。01創(chuàng)造GaN功率IC的動機基于硅的功率管理集成電路(PMICs)被

  IC 氮化鎵 氮化鎵電源 集成電路 2211瀏覽量