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IGBT工作原理及測(cè)試2023-12-08 15:49
一、IGBT工作原理1.什么是IGBTIGBT：IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū) -
半導(dǎo)體封裝的作用、工藝和演變2023-12-02 08:10
在郵寄易碎物品時(shí)，使用合適的包裝材料尤為重要，因?yàn)樗_保包裹能夠完好無(wú)損地到達(dá)目的地。泡沫塑料、氣泡膜和堅(jiān)固的盒子都可以有效地保護(hù)包裹內(nèi)的物品。同樣地，封裝是半導(dǎo)體制造工藝的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，可以保護(hù)芯片免受物理性或化學(xué)性損壞。然而，半導(dǎo)體封裝的作用并不止于此。本文將詳述封裝技術(shù)的不同等級(jí)、作用和演變過(guò)程。半導(dǎo)體封裝工藝的四個(gè)等級(jí)電子封裝技術(shù)與器件的硬件結(jié)構(gòu)有關(guān)。這 -
先進(jìn)封裝，十年路線圖2023-11-25 08:11
Introduction（介紹）信息和通信技術(shù)（ICT）是數(shù)據(jù)呈指數(shù)增長(zhǎng)的源頭，這些數(shù)據(jù)需要被移動(dòng)、存儲(chǔ)、計(jì)算、傳輸和保護(hù)。依賴特征尺寸減小的傳統(tǒng)半導(dǎo)體技術(shù)已接近其物理極限。隨著晶體管能效和晶體管尺寸的指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，系統(tǒng)性能的擴(kuò)展面臨著重大挑戰(zhàn)。而技術(shù)躍遷速度減緩至兩年以上，使得通過(guò)"MoreMoore"傳統(tǒng)晶體管尺寸縮小以及"MorethanMoore"異構(gòu) -
MOSFET結(jié)構(gòu)、原理及測(cè)試2023-11-18 08:11
MOSFET由MOS(MetalOxideSemiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體)+FET(FieldEffectTransistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管)這個(gè)兩個(gè)縮寫(xiě)組成。即通過(guò)給金屬層(M-金屬鋁)的柵極和隔著氧化層(O-絕緣層SiO2)的源極施加電壓，產(chǎn)生電場(chǎng)的效應(yīng)來(lái)控制半導(dǎo)體(S)導(dǎo)電溝道開(kāi)關(guān)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。由于柵極與源極、柵極與漏極之間均采用SiO2絕 -
科學(xué)家意外發(fā)明新材料，可制造更快的芯片2023-11-11 08:11
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芯片行業(yè)，好消息來(lái)了2023-11-04 08:11
在看完分析師對(duì)整個(gè)電子市場(chǎng)的判斷以后，我們認(rèn)為，芯片行業(yè)，終于等來(lái)了春天。經(jīng)歷了2021年末疫情后的低迷之后，電子設(shè)備的產(chǎn)量終于呈現(xiàn)上升趨勢(shì)。根據(jù)IDC的數(shù)據(jù)，2021年第三季度智能手機(jī)出貨量與去年同期相比出現(xiàn)負(fù)增長(zhǎng)，為-6%。2022年第四季度跌幅觸及-18%的低點(diǎn)。此后，智能手機(jī)一直在復(fù)蘇。IDC數(shù)據(jù)尚未公布，但Canalys預(yù)計(jì)2023年第三季度智能手 -
標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體封裝尺寸匯總，你或許用得著...2023-10-28 08:11
最早收集行業(yè)數(shù)據(jù)是從大約2015年開(kāi)始的，當(dāng)時(shí)就是為了趕時(shí)髦湊熱鬧建了好幾個(gè)封測(cè)群，一度非常熱鬧。行業(yè)人脈就是從那個(gè)時(shí)候開(kāi)始大幅增加的，在群里和行業(yè)朋友交流多了，自然就萌生了收集整理行業(yè)數(shù)據(jù)和信息的念頭。因?yàn)槭欠鉁y(cè)群，所以第一步也是從封裝廠和封裝數(shù)據(jù)開(kāi)始下手的。在一開(kāi)始整理的數(shù)據(jù)里就有各種標(biāo)準(zhǔn)封裝的尺寸信息。我咨詢了好幾家封裝廠的朋友以后，才湊了一個(gè)大概，然 -
全球半導(dǎo)體格局悄然生變2023-10-21 08:11
過(guò)去幾十年來(lái)，半導(dǎo)體制造由中國(guó)大陸、韓國(guó)和中國(guó)臺(tái)灣三個(gè)地區(qū)主導(dǎo)，2021年這三個(gè)地區(qū)共計(jì)占全球市場(chǎng)的87%。而今，隨著地緣政治的轉(zhuǎn)變，各國(guó)或地區(qū)都在尋求降低對(duì)單一供應(yīng)鏈的依賴，努力發(fā)展自己的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，確保技術(shù)的獨(dú)立性和安全性，全球半導(dǎo)體格局正在被重塑。地緣政治的變化不僅可能影響供應(yīng)鏈、原材料的獲取和產(chǎn)能的分布，還會(huì)對(duì)全球的科技戰(zhàn)略布局帶來(lái)影響。這種轉(zhuǎn)變意味 -
我國(guó)芯片突破！清華大學(xué)全球首枚！2023-10-14 08:11
10月10日消息，據(jù)清華大學(xué)公眾號(hào)，近日，清華大學(xué)集成電路學(xué)院教授吳華強(qiáng)、副教授高濱基于存算一體計(jì)算范式，研制出全球首顆全系統(tǒng)集成的、支持高效片上學(xué)習(xí)（機(jī)器學(xué)習(xí)能在硬件端直接完成）的憶阻器存算一體芯片！一枚芯片，集成記憶和計(jì)算的能力，保護(hù)用戶隱私的同時(shí)還具備類似人腦的自主學(xué)習(xí)，能效相較先進(jìn)工藝下的專用集成電路系統(tǒng)有約75倍提升。這是清華大學(xué)集成電路學(xué)院團(tuán)隊(duì)研 -
測(cè)試程序及測(cè)試板開(kāi)發(fā)注意事項(xiàng)2023-09-23 08:13
測(cè)試程序及測(cè)試板（loadboard）的開(kāi)發(fā)是測(cè)試工程師最主要的工作，作為一個(gè)測(cè)試新手，你開(kāi)發(fā)的東西也許在工程階段看不出什么問(wèn)題，但一旦進(jìn)入大批量生產(chǎn)階段，就有可能會(huì)出現(xiàn)諸如測(cè)試不穩(wěn)定、測(cè)試良率低、經(jīng)常需要維護(hù)等等各種各樣的問(wèn)題，究其原因，還是各方面考慮的不是很周到引起，如何才能避免這些問(wèn)題的發(fā)生，接下來(lái)給大家推薦一篇業(yè)界資深測(cè)試工程師總結(jié)的、在測(cè)試開(kāi)發(fā)中需