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９.３.６.2 負的柵極脈沖關斷∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》2022-04-01 03:01
９.３.６.2負的柵極脈沖關斷９.３.６關斷過程９.３晶閘管第９章雙極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉換位置靈活重新定義3、國產FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系列4、國科微GK碳化硅 579瀏覽量 -
10.2.4 太赫茲集成電路(THz IC)∈《集成電路產業全書》2022-04-01 01:07
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９.３.６.1 電壓反轉關斷∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》2022-03-31 01:09
９.３.６.1電壓反轉關斷９.３.６關斷過程９.３晶閘管第９章雙極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉換位置靈活重新定義3、國產FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系列4、國科微GK72電壓 308瀏覽量 -
10.2.3 可重構計算集成電路∈《集成電路產業全書》2022-03-31 01:07
ReconfigurableComputingIntegratedCircuits審稿人：清華大學劉雷波https://www.tsinghua.edu.cn審稿人：北京大學張興蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.2新型集成電路第10章集成電路基礎研究與前沿技術發展《集成電路產業全書》下冊代理產品線：1、國產AGMCPLD集成電路 479瀏覽量 -
９.３.５ di/dt的限制∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》2022-03-30 03:01
９.３.５di/dt的限制９.３晶閘管第９章雙極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉換位置靈活重新定義3、國產FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系列4、國科微GK7202V300PtP碳化硅 325瀏覽量 -
10.2.2 類腦芯片∈《集成電路產業全書》2022-03-30 01:07
Brian-inspiredChip審稿人：清華大學何偉https://www.tsinghua.edu.cn審稿人：北京大學張興蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.2新型集成電路第10章集成電路基礎研究與前沿技術發展《集成電路產業全書》下冊代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產芯片 410瀏覽量 -
９.３.４ dv/dt觸發∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》2022-03-29 01:09
９.３.４dv/dt觸發９.３晶閘管第９章雙極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉換位置靈活重新定義3、國產FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系列4、國科微GK7202V300PtPH碳化硅 382瀏覽量 -
10.2.1 人工神經網絡∈《集成電路產業全書》2022-03-29 01:06
ArtificialNeuralNetwork審稿人：中國科學院半導體研究所魯華祥http://www.semi.ac.cn審稿人：北京大學張興蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.2新型集成電路第10章集成電路基礎研究與前沿技術發展《集成電路產業全書》下冊代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選集成電路 349瀏覽量 -
９.３.３ 開通過程∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》2022-03-28 03:01
９.３.３開通過程９.３晶閘管第９章雙極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉換位置靈活重新定義3、國產FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系列4、國科微GK7202V300PtPHi35碳化硅 409瀏覽量 -
10.1.11 準SOI器件∈《集成電路產業全書》2022-03-28 01:06