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陸芯：單管IGBT、IGBT模塊、SiC混合型IGBT、SGT MOS新能源電動汽車、電機驅動領域、高頻電源領域、感應加熱等領域2022-04-11 01:12
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10.3.6 鍺錫 GeSn∈《集成電路產業全書》2022-04-11 01:07
GeSn審稿人：南方科技大學王輝https://www.sustech.edu.cn審稿人：北京大學張興蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.3集成電路新材料第10章集成電路基礎研究與前沿技術發展《集成電路產業全書》下冊代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MCUPtPSTMcu、集成電路 456瀏覽量 -
10.2.2 橫向漂移區∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》2022-04-10 01:09
10.2.2橫向漂移區10.2單極型器件漂移區的優化設計第10章功率器件的優化和比較《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉換位置靈活重新定義3、國產FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系列4、國科微GK碳化硅 420瀏覽量 -
10.3.5 碳納米管（CNT）∈《集成電路產業全書》2022-04-10 01:07
CarbonNanotube（CNT）審稿人：北京大學傅云義https://www.pku.edu.cn審稿人：北京大學張興蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.3集成電路新材料第10章集成電路基礎研究與前沿技術發展《集成電路產業全書》下冊代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MC集成電路 583瀏覽量 -
10.2.1 垂直漂移區（SM）JTE∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》2022-04-09 04:17
10.2.1垂直漂移區10.2單極型器件漂移區的優化設計第10章功率器件的優化和比較《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉換位置靈活重新定義3、國產FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN6系列4、國科微GK碳化硅 377瀏覽量 -
10.3.4 納米線材料∈《集成電路產業全書》2022-04-09 01:31
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10.1.7 多浮空區（MFZ）JTE和空間調制（SM）JTE∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》2022-04-08 05:02
10.1.7多浮空區（MFZ）JTE和空間調制（SM）JTE10.1SiC功率器件的阻斷電壓和邊緣終端第10章功率器件的優化和比較《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉換位置靈活重新定義3、國產FPGA：原位替換XILIN碳化硅 654瀏覽量 -
10.3.3 類石墨烯材料∈《集成電路產業全書》2022-04-08 01:07
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10.1.6 浮空場環（FFR）終端∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》2022-04-07 03:02
10.1.6浮空場環（FFR）終端10.1SiC功率器件的阻斷電壓和邊緣終端第10章功率器件的優化和比較《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MCUPtPSTMcu、GDMcu，引腳亦可轉換位置靈活重新定義3、國產FPGA：原位替換XILINX/賽靈思：SPARTAN碳化硅 784瀏覽量 -
10.3.2 石墨烯(Graphene)∈《集成電路產業全書》2022-04-07 01:07
Graphene審稿人：北京大學傅云義https://www.pku.edu.cn審稿人：北京大學張興蔡一茂https://www.pku.edu.cn10.3集成電路新材料第10章集成電路基礎研究與前沿技術發展《集成電路產業全書》下冊代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產MCUPtPSTMcu、G集成電路 414瀏覽量