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EUV光刻機(jī)之戰(zhàn) 日荷爭(zhēng)霸

XcgB_CINNO_Crea ? 來源:YXQ ? 2019-05-16 15:37 ? 次閱讀

航空發(fā)動(dòng)機(jī)一直被譽(yù)為人類頂尖工業(yè)皇冠上的明珠。但最近十年,不斷挑戰(zhàn)物理學(xué)極限的半導(dǎo)體***,大有挑戰(zhàn)明珠之王的趨勢(shì)。

航發(fā)是在極端高溫高壓下挑戰(zhàn)材料和能量密度的極限,而光刻是在比頭發(fā)絲還細(xì)千倍的地方挑戰(zhàn)激光波長(zhǎng)和量子隧穿的極限。

更難得的是,和低可靠性的航天高科技不同,航發(fā)和光刻的可靠性也是人類驕傲之花:前者保證了每天十萬架飛機(jī)在天空安全翱翔,后者在全球工廠每秒鐘刻出上千億個(gè)晶體管分毫不差

1

引子

2000年,成立15年當(dāng)時(shí)排名世界第二的荷蘭ASML(阿斯麥)公司已經(jīng)成功占領(lǐng)韓國(guó)和***市場(chǎng),但還在琢磨怎么賣***給那時(shí)芯片的絕對(duì)霸主英特爾(Intel)。

缺乏新一代157nm激光需要配置的反折射鏡頭技術(shù)也是讓ASML焦慮的地方。同時(shí),在美國(guó)能源部和幾大芯片巨頭合建的EUV光刻聯(lián)盟里,ASML還只是個(gè)小配角。

這時(shí)下一代光刻技術(shù)發(fā)展會(huì)怎樣,整個(gè)半導(dǎo)體屆沒有人知道。

在轉(zhuǎn)折關(guān)頭,ASML決定另辟蹊徑,報(bào)價(jià)16億美元收購市值只有10億的硅谷集團(tuán)(SVG)。曾經(jīng)輝煌的SVG當(dāng)時(shí)在***的市場(chǎng)份額只有不到8%,年?duì)I業(yè)額只有2.7億美元,而且193nm產(chǎn)品水平還遠(yuǎn)不如ASML。所以華爾街認(rèn)為ASML買貴了,ASML股價(jià)當(dāng)天暴跌7.5%。

然而從后來的結(jié)果看,ASML等于花錢買了***行業(yè)最值錢的門票:英特爾的vendor code,同時(shí)搖晃了尼康(Nikon)的支柱。此外,SVG擁有最成熟的157nm光學(xué)技術(shù),等于ASML買了一個(gè)技術(shù)雙保險(xiǎn),這點(diǎn)后面會(huì)再詳述。

不過,別以為西方人都是一家子。這次收購仍遭到美國(guó)政府和商會(huì)的阻撓,美國(guó)國(guó)防部審查說ASML董事長(zhǎng)在一個(gè)曾經(jīng)違反禁令偷偷賣夜視鏡給伊拉克的荷蘭公司當(dāng)過董事。

中國(guó)公司的老對(duì)手美國(guó)外國(guó)投資委員會(huì)最終在收購協(xié)議上加了一堆條件,其中包括不許收購SVG負(fù)責(zé)打磨鏡片的子公司Tinsley,以及保證各種技術(shù)和人才留在美國(guó)。

這些條件反而讓ASML順理成章地成為了半個(gè)美國(guó)公司,享受到美國(guó)強(qiáng)勁的基礎(chǔ)科學(xué)帶來的巨大好處,為多年后在EUV一支獨(dú)秀做了有力的鋪墊。

2

早期,60-70年代

***的原理其實(shí)像幻燈機(jī)一樣簡(jiǎn)單,就是把光通過帶電路圖的掩膜(Mask,后來也叫光罩)投影到涂有光敏膠的晶圓上。早期60年代的光刻,掩膜版是1:1尺寸緊貼在晶圓片上,而那時(shí)晶圓也只有1英寸大小。

因此,光刻那時(shí)并不是高科技,半導(dǎo)體公司通常自己設(shè)計(jì)工裝和工具,比如英特爾開始是買16毫米攝像機(jī)鏡頭拆了用。只有GCA, K&S和Kasper等很少幾家公司有做過一點(diǎn)點(diǎn)相關(guān)設(shè)備。

60年代末,日本的尼康和佳能開始進(jìn)入這個(gè)領(lǐng)域,畢竟當(dāng)時(shí)的光刻不比照相機(jī)復(fù)雜。

70年代初,***技術(shù)更多集中在如何保證十個(gè)甚至更多個(gè)掩膜版精準(zhǔn)地套刻在一起。Kasper儀器公司首先推出了接觸式對(duì)齊機(jī)臺(tái)并領(lǐng)先了幾年,Cobilt公司做出了自動(dòng)生產(chǎn)線,但接觸式機(jī)臺(tái)后來被接近式機(jī)臺(tái)所淘汰,因?yàn)檠谀ず凸饪棠z多次碰到一起太容易污染了。

1973年,拿到美國(guó)軍方投資的Perkin Elmer公司推出了投影式光刻系統(tǒng),搭配正性光刻膠非常好用而且良率頗高,因此迅速占領(lǐng)了市場(chǎng)。

1978年,GCA推出真正現(xiàn)代意義的自動(dòng)化步進(jìn)式***(Stepper),分辨率比投影式高5倍達(dá)到1微米。這個(gè)怪怪的名字來自于照相術(shù)語Step and Repeat,這臺(tái)機(jī)器通俗點(diǎn)說把透過掩膜的大約一平方厘米的一束光照在晶圓上,曝光完一塊挪個(gè)位置再刻下一塊。由于剛開始Stepper生產(chǎn)效率相對(duì)不高,Perkin Elmer在后面很長(zhǎng)一段時(shí)間仍處于主導(dǎo)地位。

3

80年代,群雄爭(zhēng)霸

***是個(gè)小市場(chǎng),一年賣幾十臺(tái)的就算大廠了。因?yàn)榘雽?dǎo)體廠商就那么多,一臺(tái)機(jī)器又能用好多年。這導(dǎo)致你的機(jī)器落后一點(diǎn),就沒人愿意買了。技術(shù)領(lǐng)先是奪取市場(chǎng)的關(guān)鍵,贏家通吃。

80年代一開始,GCA的Stepper還稍微領(lǐng)先,但很快尼康發(fā)售了自己首臺(tái)商用Stepper NSR-1010G,擁有更先進(jìn)的光學(xué)系統(tǒng)極大提高了產(chǎn)能。兩家一起擠壓了其它廠商的份額,尤其是Perkin Elmer的投影式光刻。P&E的市場(chǎng)份額從80年超過3成快速跌到84年不到5%。

看過我寫的《內(nèi)存的故事》的朋友都知道,80年代是日本半導(dǎo)體最風(fēng)光的時(shí)候,本土幾乎每家大公司大財(cái)閥都進(jìn)入了半導(dǎo)體業(yè)。這給尼康和佳能雙雄帶來巨大的后盾,并開始反攻美國(guó)市場(chǎng)。

由于GCA的鏡片組來自蔡司,不像尼康自己擁有鏡頭技術(shù),合作的問題使得GCA產(chǎn)品更新方面一直落后了半拍。1982年,尼康在硅谷設(shè)立尼康精機(jī),開始從GCA手里奪下一個(gè)接一個(gè)大客戶:IBM、Intel、TI、AMD等。

到了1984年,尼康已經(jīng)和GCA平起平坐,各享三成市占率。Ultratech占約一成,Eaton、P&E、佳能、日立等剩下幾家每家都不到5%。

為什么我們要特地看1984年呢?

首先我們致敬一下蘋果,震撼世界的廣告《1984》發(fā)布了第一代Mac(我現(xiàn)在打字電腦的老祖宗)。然后,請(qǐng)出我們故事的主角:ASML。

ASML被廣為傳播成是飛利浦分離的出來的,雖然不能說不對(duì),但是和大家想象的那樣子還是不同的。

飛利浦在實(shí)驗(yàn)室里研發(fā)出stepper的原型,但是不夠成熟。因?yàn)楣饪淌袌?chǎng)太小,飛利浦也不能確認(rèn)它是否有商業(yè)價(jià)值,去美國(guó)和P&E、GCA、Cobilt、IBM等談了一圈沒人愿意合作。

有家荷蘭小公司叫ASM International的老板Arthur Del Prado聽說了有這么回事,主動(dòng)要求合作。但這家代理出身的公司只有半導(dǎo)體前后道的經(jīng)驗(yàn),對(duì)光刻其實(shí)不太懂,等于算半個(gè)天使投資加半個(gè)分銷商。

飛利浦猶豫了一年時(shí)間,最后勉強(qiáng)同意了設(shè)立50:50的合資公司。1984年4月1日ASML成立的時(shí)候,只有31名員工,在飛利浦大廈外面的木板簡(jiǎn)易房里工作。

ASML最早成立時(shí)的簡(jiǎn)易平房,后面的玻璃大廈是飛利浦。Credit: ASML

ASML在頭一年只賣出一臺(tái)stepper,第二年賣出四臺(tái)。第一代產(chǎn)品不夠成熟,但是背靠飛利浦大樹的各種資源和容忍讓它生存了下來。

ASML在1985年和蔡司(Zeiss)合作改進(jìn)光學(xué)系統(tǒng),終于在1986年推出非常棒的第二代產(chǎn)品PAS-2500,并第一次賣到美國(guó)給當(dāng)時(shí)的創(chuàng)業(yè)公司Cypress,今天的Nor Flash巨頭。

有意思的是,1986年半導(dǎo)體市場(chǎng)大滑坡(比如光三星半導(dǎo)體就虧了3億美元),導(dǎo)致美國(guó)一幫***廠商都碰到嚴(yán)重的財(cái)務(wù)問題。ASML還小,所以損失不大,還可以按既有計(jì)劃開發(fā)新產(chǎn)品。同期,GCA和P&E的新產(chǎn)品開發(fā)都停滯了下來。

1988年GCA資金嚴(yán)重匱乏被General Signal收購,又過了幾年GCA找不到買主被關(guān)閉。General Signal旗下另外一家Ultratech最終被MBO,但是規(guī)模也不大了。1990年,P&E光刻部也支撐不下去被賣給SVG。

1980年還占據(jù)大半壁江山的美國(guó)三雄,到80年代末地位完全被日本雙雄取代。這時(shí)ASML還只有大約10%的市場(chǎng)占有率。

4

波長(zhǎng)的競(jìng)爭(zhēng)

忽略掉美國(guó)被邊緣化的SVG、Ultratech等公司,90年代一直到現(xiàn)在的格局,一直是ASML和尼康的競(jìng)爭(zhēng),佳能在旁邊看熱鬧。

所以我們要開始講一點(diǎn)點(diǎn)技術(shù)了。

半導(dǎo)體領(lǐng)域的原生驅(qū)動(dòng)力是摩爾定律。摩爾定律其實(shí)應(yīng)該被叫做摩爾預(yù)言,這個(gè)預(yù)言中間還改過一次。戈登摩爾博士1965年最早的預(yù)言是集成電路密度每年翻倍,而1975年他自己改成每?jī)赡攴丁?/p>

有人說,這是人類歷史上最偉大的“自我實(shí)現(xiàn)的預(yù)言”,因?yàn)橛⑻貭柧褪钦罩@個(gè)預(yù)言一路狂奔數(shù)十年,直到光刻技術(shù)被卡在193nm上十多年變成網(wǎng)友說的“牙膏廠”。

為了實(shí)現(xiàn)摩爾定律,光刻技術(shù)就需要每?jī)赡臧哑毓怅P(guān)鍵尺寸(CD)降低30%-50%。根據(jù)瑞利公式:CD=k1*(λ/NA),我們能做的就是降低波長(zhǎng)λ,提高鏡頭的數(shù)值孔徑NA,降低綜合因素k1。

搞更短的波長(zhǎng)是最直接的手段。90年代前半期,光刻開始使用波長(zhǎng)365nm i-line,后半期開始使用248nm的KrF激光。激光的可用波長(zhǎng)就那么幾個(gè),00年代光刻開始使用193nm波長(zhǎng)的DUV激光,這就是著名的ArF準(zhǔn)分子激光,包括近視眼手術(shù)在內(nèi)的多種應(yīng)用都應(yīng)用這種激光,相關(guān)激光發(fā)生器和光學(xué)鏡片等都比較成熟。

但誰也沒想到,光刻光源被卡在193nm無法進(jìn)步長(zhǎng)達(dá)20年。直到今天,我們用的所有手機(jī)電腦主芯片仍舊是193nm光源光刻出來的。

90年代末,科學(xué)家和產(chǎn)業(yè)界提出了各種超越193nm的方案,其中包括157nm F2激光,電子束投射(EPL),離子投射(IPL)、EUV(13.5nm)和X光,并形成了以下幾大陣營(yíng):

157nm F2:每家都研究,但SVG和尼康離產(chǎn)品化最近。

157nm光會(huì)被現(xiàn)有193nm機(jī)器用的鏡片吸收,光刻膠也要重新研制,所以改造難度極大,而對(duì)193nm的波長(zhǎng)進(jìn)步只有不到25%,研發(fā)投入產(chǎn)出比太低。ASML收購SVG后獲取了反射技術(shù),2003年終于出品了157nm機(jī)器,但錯(cuò)過時(shí)間窗口完敗于低成本的浸入式193nm。

13.5nm EUV LLC:英特爾,AMD,摩托羅拉和美國(guó)能源部。ASML、英飛凌和Micron后來加入。

關(guān)于EUV,我放到后面在說吧。

1nm 接近式X光:日本陣營(yíng)(ASET, Mitsubishi, NEC, Toshiba, NTT)和 IBM

這算是個(gè)浪漫陣營(yíng)吧,大家就沒想過產(chǎn)業(yè)化的事

0.004nm EBDW或EPL: 朗訊Bell實(shí)驗(yàn)室,IBM,尼康。ASML和應(yīng)用材料被邀請(qǐng)加入后又率先退出。

這是尼康和ASML對(duì)決的選擇,尼康試圖直接跨越到未來技術(shù)擊敗ASML,但可惜這個(gè)決戰(zhàn)應(yīng)該發(fā)生在2020年而不是2005年,尼康沒有選錯(cuò)技術(shù)但是選錯(cuò)了時(shí)間。尼康最重要的技術(shù)盟友IBM在2001年也分心加入了EUV聯(lián)盟。

0.00005nm IPL: 英飛凌、歐盟。ASML和萊卡等公司也有參與。

離子光刻從波長(zhǎng)來看是最浪漫的,然而光刻分辨率不光由波長(zhǎng)決定,還要看NA。人類現(xiàn)有科技可用離子光刻的光學(xué)系統(tǒng)NA是0.00001,比193nm的NA=0.5~1.5剛好差10萬倍,優(yōu)勢(shì)被抵消了。

以上所有努力,幾乎全部失敗了。

它們敗給了一個(gè)工程上最簡(jiǎn)單的解決辦法,在晶圓光刻膠上方加1mm厚的水。水可以把193nm的光波長(zhǎng)折射成134nm。

浸入式光刻成功翻越了157nm大關(guān),直接做到半周期65nm。加上后來不斷改進(jìn)的高NA鏡頭、多光罩、FinFET、Pitch-split、波段靈敏的光刻膠等技術(shù),浸入式193nm***一直做到今天的7nm(蘋果A12和華為麒麟980)。

2002年臺(tái)積電的林本堅(jiān)博士在一次研討會(huì)上提出了浸入式193nm的方案,隨后ASML在一年的時(shí)間內(nèi)就開發(fā)出樣機(jī),充分證明了該方案的工程友好性。

隨后,臺(tái)積電也是第一家實(shí)現(xiàn)浸入式量產(chǎn)的公司,隨后終于追上之前制程技術(shù)遙遙領(lǐng)先的英特爾,林博士因此獲得了崇高的榮譽(yù)和各種獎(jiǎng)項(xiàng)。

MIT的林肯實(shí)驗(yàn)室似乎不服氣,他們認(rèn)為自己在2001年就提出了這個(gè)浸入式方案。ASML似乎也沒有在任何書面說明自己開發(fā)是受林博士啟發(fā)。

其實(shí)油浸鏡頭改變折射率的方式由來已久,產(chǎn)業(yè)界爭(zhēng)論是誰的想法在先從來不重要,行勝于言。林博士的貢獻(xiàn)是臺(tái)積電和ASML通力合作把想法變成了現(xiàn)實(shí)。

5

日荷爭(zhēng)霸

在ASML推出浸入式193nm產(chǎn)品的前后腳,尼康也宣布自己的157nm產(chǎn)品以及EPL產(chǎn)品樣機(jī)完成。然而,浸入式屬于小改進(jìn)大效果,產(chǎn)品成熟度非常高,所以幾乎沒有人去訂尼康的新品。尼康被迫隨后也宣布去做浸入式***。

之前我們提到光刻領(lǐng)域是贏家通吃,新產(chǎn)品總是需要至少1-3年時(shí)間由前后道多家廠商通力磨合。別人比你早量產(chǎn)就比你多了時(shí)間去改善問題和提高良率。

***就像印鈔機(jī),材料成本可以忽略不計(jì),而時(shí)間就像金子一樣珍貴。

半導(dǎo)體廠商更愿意去買成熟的ASML產(chǎn)品,不想去給尼康當(dāng)白鼠。

這導(dǎo)致后面尼康的大潰敗。尼康在2000年還是老大,但到了2009年ASML已經(jīng)市占率近7成遙遙領(lǐng)先。尼康新產(chǎn)品的不成熟,也間接關(guān)聯(lián)了大量使用其設(shè)備的日本半導(dǎo)體廠商的集體衰敗。

佳能在光刻領(lǐng)域一直沒爭(zhēng)過老大。當(dāng)年它的數(shù)碼相機(jī)稱霸世界利潤(rùn)很好,對(duì)一年銷量只有百來臺(tái)的***重視不夠。

佳能的思路是一款產(chǎn)品要賣很久,他們一看193nm尼康和ASML打得太厲害就直接撤了。直到現(xiàn)在佳能還在賣350nm和248nm的產(chǎn)品,給液晶面板以及模擬器件廠商供貨。

尼康在浸入式一戰(zhàn)敗下來就徹底沒有還手之力了,因?yàn)榻酉聛鞥UV的開發(fā)需要投入巨資而且前景未卜,英特爾倒向ASML使得尼康失去了挑戰(zhàn)摩爾定律的勇氣。

6

EUV***

接下來,我們?cè)僬f說EUV。這個(gè)產(chǎn)品其實(shí)是ASML在沒有競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的情況下研發(fā)的,而且做了十多年到今天也沒有量產(chǎn)。

那它背后的驅(qū)動(dòng)力是什么呢?我看了一些文獻(xiàn),英特爾絕對(duì)是最堅(jiān)定的支持者,因?yàn)樗氖姑痪褪亲屇柖勺呦氯ァ?/p>

早在1997年,英特爾看到挑戰(zhàn)193nm的巨大難度,決心集合人類精英一起愚公移山,有點(diǎn)流浪地球的意思。他們說服了美國(guó)對(duì)高科技最開明的克林頓內(nèi)閣,以公司形式發(fā)起了EUV LLC這樣的一個(gè)合作組織。

這個(gè)組織由英特爾和美國(guó)能源部牽頭,集合了當(dāng)時(shí)還如日中天的摩托羅拉以及AMD,以及享有盛譽(yù)的美國(guó)三大國(guó)家實(shí)驗(yàn)室:勞倫斯利弗莫爾實(shí)驗(yàn)室,勞倫斯伯克利實(shí)驗(yàn)室和桑迪亞國(guó)家實(shí)驗(yàn)室,投資兩億美元集合幾百位頂級(jí)科學(xué)家,從理論上驗(yàn)證EUV可能存在的技術(shù)問題。

英特爾還力邀ASML和尼康加入EUV LLC,因?yàn)楫?dāng)時(shí)美國(guó)光刻已經(jīng)不太行了。但此舉受到美國(guó)政府的阻撓,因?yàn)樗麄兩岵坏米屚鈬?guó)公司分享美國(guó)最前沿技術(shù)。

最終結(jié)果是尼康被排除在外,ASML做了一堆對(duì)美國(guó)貢獻(xiàn)的許諾后被允許加入。另外一家例外的非美國(guó)公司是英飛凌,它被允許和Micron一起加入EUV LLC。

我們回看當(dāng)年各種跨越193nm的技術(shù)方案,很多公司是左右下注的,只有英特爾堅(jiān)定地選了EUV,而且讓它最終成為了現(xiàn)實(shí)。

看當(dāng)年的一些回憶錄,說英特爾自己并未派出多少工程師,但是列了幾百項(xiàng)難題一直拿著小鞭子督促那些科學(xué)家不停地努力。

EUV算是軟X光,穿透物體時(shí)散射吸收都非常厲害,這使得***需要非常非常強(qiáng)的光源,這個(gè)難度是巨大的。連空氣都能吸收EUV,所以機(jī)器內(nèi)部還得做成真空的。

傳統(tǒng)光刻用的很多透鏡因?yàn)闀?huì)吸收X光要換成反射鏡,據(jù)說193nm的最新***里鏡頭加起來就有一噸重,而這些技術(shù)都用不上了。

由于光刻精度是幾納米,EUV對(duì)光的集中度要求極高,相當(dāng)于拿個(gè)手電照到月球光斑不超過一枚硬幣。反射要求的鏡子要求長(zhǎng)30cm起伏不到0.3nm,這相當(dāng)于是北京到上海做根鐵軌起伏不超過1毫米。

所以,EUV不僅是頂級(jí)科學(xué)的研究,也是頂級(jí)精密制造的學(xué)問。

EUV的小鏡子由德國(guó)蔡司生產(chǎn),ASML還因此特地購買了Carl Zeiss SMT公司24.5%的股份。

1997年-2003年,6年間EUV LLC的科學(xué)家發(fā)表了幾百篇論文,驗(yàn)證了EUV***的可行性。然后EUV LLC聯(lián)盟解散。

接下來留給ASML一個(gè)問題,是做還是不做呢?

好在ASML從來沒有猶豫過。2006年它推出原型,2007年建造了10000平米的超級(jí)無塵室,等著接待2010年誕生的第一臺(tái)研發(fā)用樣機(jī):NXE3100。

2012年,ASML請(qǐng)英特爾、三星和臺(tái)積電入股自己,希望大家共同承擔(dān)這個(gè)人類的偉大工程,因?yàn)檠邪l(fā)投入需要每年10億歐元。

2015年,可量產(chǎn)的樣機(jī)發(fā)布。雖然售價(jià)高達(dá)1.2億美元一臺(tái),但還是收到雪片一樣的訂單。排隊(duì)等交貨,都要等好幾年。

一臺(tái)EUV***重達(dá)180噸,超過10萬個(gè)零件,需要40個(gè)集裝箱運(yùn)輸,安裝調(diào)試都要超過一年時(shí)間。

明年,我們就能買到EUV加工出來的芯片做的手機(jī)了。

EUV*** Credit: ASML

7

后記

相信在未來,人類一定可以突破光學(xué)***的極限,無論用電子離子還是最終放棄硅基。但是,就在剛寫完文章的現(xiàn)在,我只想衷心為這些偉大的公司喝彩。

需要強(qiáng)調(diào)的是,在半導(dǎo)體制造中,光刻只是其中的一個(gè)環(huán)節(jié),另外還有無數(shù)先進(jìn)科技用于前后道工藝。

正是因?yàn)樗麄儾磺粨系呐Γ攀沟梦覀冊(cè)谶@個(gè)一切由芯片驅(qū)動(dòng)的偉大時(shí)代,享受著各種手機(jī)、電腦、家電、汽車飛機(jī)和互聯(lián)網(wǎng)帶給我們的精彩生活。

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原文標(biāo)題:EUV光刻機(jī)之戰(zhàn) | 群雄爭(zhēng)霸的那些事兒

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    的頭像 發(fā)表于 10-17 00:13 ?2811次閱讀

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    的頭像 發(fā)表于 01-20 09:44 ?126次閱讀
    如何提高<b class='flag-5'>光刻機(jī)</b>的NA值

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    本文主要介紹光刻機(jī)的分類與原理。 ? 光刻機(jī)分類 光刻機(jī)的分類方式很多。按半導(dǎo)體制造工序分類,光刻設(shè)備有前道和后道之分。前道光刻機(jī)包括芯片
    的頭像 發(fā)表于 01-16 09:29 ?256次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻機(jī)</b>的分類與原理

    組成光刻機(jī)的各個(gè)分系統(tǒng)介紹

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    的頭像 發(fā)表于 01-07 10:02 ?316次閱讀
    組成<b class='flag-5'>光刻機(jī)</b>的各個(gè)分系統(tǒng)介紹

    日本首臺(tái)EUV光刻機(jī)就位

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    的頭像 發(fā)表于 12-20 13:48 ?282次閱讀
    日本首臺(tái)<b class='flag-5'>EUV</b><b class='flag-5'>光刻機(jī)</b>就位

    用來提高光刻機(jī)分辨率的浸潤(rùn)式光刻技術(shù)介紹

    ? 本文介紹了用來提高光刻機(jī)分辨率的浸潤(rùn)式光刻技術(shù)。 芯片制造:光刻技術(shù)的演進(jìn) 過去半個(gè)多世紀(jì),摩爾定律一直推動(dòng)著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,但當(dāng)光刻機(jī)的光源波長(zhǎng)卡在193nm,芯片制程縮小至6
    的頭像 發(fā)表于 11-24 11:04 ?877次閱讀
    用來提高<b class='flag-5'>光刻機(jī)</b>分辨率的浸潤(rùn)式<b class='flag-5'>光刻</b>技術(shù)介紹

    光刻機(jī)的工作原理和分類

    ? 本文介紹了光刻機(jī)在芯片制造中的角色和地位,并介紹了光刻機(jī)的工作原理和分類。? ? ? ?? 光刻機(jī):芯片制造的關(guān)鍵角色 ? ? 光刻機(jī)在芯片制造中占據(jù)著至關(guān)重要的地位,被譽(yù)為芯片制
    的頭像 發(fā)表于 11-24 09:16 ?2147次閱讀

    俄羅斯首臺(tái)光刻機(jī)問世

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    的頭像 發(fā)表于 05-28 15:47 ?819次閱讀

    Rapidus對(duì)首代工藝中0.33NA EUV解決方案表示滿意,未采用高NA EUV光刻機(jī)

    在全球四大先進(jìn)制程代工巨頭(包括臺(tái)積電、三星電子、英特爾以及Rapidus)中,只有英特爾明確表示將使用High NA EUV光刻機(jī)進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。
    的頭像 發(fā)表于 05-27 14:37 ?681次閱讀

    臺(tái)積電A16制程采用EUV光刻機(jī),2026年下半年量產(chǎn)

    據(jù)臺(tái)灣業(yè)內(nèi)人士透露,臺(tái)積電并未為A16制程配備高數(shù)值孔徑(High-NA)EUV光刻機(jī),而選擇利用現(xiàn)有的EUV光刻機(jī)進(jìn)行生產(chǎn)。相較之下,英特爾和三星則計(jì)劃在此階段使用最新的High-N
    的頭像 發(fā)表于 05-17 17:21 ?1061次閱讀

    ASML發(fā)貨第二臺(tái)High NA EUV光刻機(jī),已成功印刷10nm線寬圖案

    ASML公司近日宣布發(fā)貨了第二臺(tái)High NA EUV光刻機(jī),并且已成功印刷出10納米線寬圖案,這一重大突破標(biāo)志著半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的技術(shù)革新向前邁進(jìn)了一大步。
    的頭像 發(fā)表于 04-29 10:44 ?852次閱讀

    英特爾突破技術(shù)壁壘:首臺(tái)商用High NA EUV光刻機(jī)成功組裝

    英特爾的研發(fā)團(tuán)隊(duì)正致力于對(duì)這臺(tái)先進(jìn)的ASML TWINSCAN EXE:5000 High NA EUV光刻機(jī)進(jìn)行細(xì)致的校準(zhǔn)工作,以確保其能夠順利融入未來的生產(chǎn)線。
    的頭像 發(fā)表于 04-22 15:52 ?981次閱讀

    光刻機(jī)的發(fā)展歷程及工藝流程

    光刻機(jī)經(jīng)歷了5代產(chǎn)品發(fā)展,每次改進(jìn)和創(chuàng)新都顯著提升了光刻機(jī)所能實(shí)現(xiàn)的最小工藝節(jié)點(diǎn)。按照使用光源依次從g-line、i-line發(fā)展到KrF、ArF和EUV;按照工作原理依次從接觸接近式光刻機(jī)
    發(fā)表于 03-21 11:31 ?6626次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻機(jī)</b>的發(fā)展歷程及工藝流程

    ASML 首臺(tái)新款 EUV 光刻機(jī) Twinscan NXE:3800E 完成安裝

    3 月 13 消息,光刻機(jī)制造商 ASML 宣布其首臺(tái)新款 EUV 光刻機(jī) Twinscan NXE:3800E 已完成安裝,新機(jī)型將帶來更高的生產(chǎn)效率。 ▲ ASML 在 X 平臺(tái)
    的頭像 發(fā)表于 03-14 08:42 ?582次閱讀
    ASML 首臺(tái)新款 <b class='flag-5'>EUV</b> <b class='flag-5'>光刻機(jī)</b> Twinscan NXE:3800E 完成安裝

    光刻膠和光刻機(jī)的區(qū)別

    光刻膠是一種涂覆在半導(dǎo)體器件表面的特殊液體材料,可以通過光刻機(jī)上的模板或掩模來進(jìn)行曝光。
    的頭像 發(fā)表于 03-04 17:19 ?4865次閱讀
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