三星電子的投資計劃和宏偉目標
2019年4月24日,三星電子公布了未來的投資計劃和目標。三星電子的投資計劃,將在未來12年內(1999年至2030年)將投資133萬億韓元(約1200億美元)加強系統LSI和晶圓代工業務方面的競爭力,擴大非存儲器業務。其中:73萬億韓元(約660億美元)的國內研發,60萬億韓元(約540億美元)的生產基礎設施,預計每年平均投資11萬億韓元(約100億美元)。
總體來說,三星電子的目標就是:保持存儲芯片全球第一的位置的同時,在晶圓代工領域挑落臺積電,在CMOS圖像傳感器領域擊敗索尼,在營收方面維持對英特爾的領先,坐穩全球第一大半導體廠商的寶座。
三星電子半導體事業部發展歷程
三星電子有限公司半導體事業部是指元件解決方案事業群(Device Solution Business)下面的內存部門(Memory)、系統邏輯部門(SystemLSI)和晶圓代工部門(Foundry);其中內存包括DRAM、NAND Flash,系統邏輯芯片包括系統級芯片SOC、圖像傳感器CIS、顯示驅動芯片、智能卡芯片、電源管理芯片。
三星電子半導體事業部年收入占三星電子總收入的30%左右,對三星電子公司旗下的信息和手機(IT&Mobile)、消費類電子產品(Consumer Electronics)兩大事業部的終端產品而言,是拉大后位競爭者距離,縮小前方領先者差距,并強化重點終端產品差異化程度的重要角色。
三星電子成立于1969年,1974年通過收購韓泰半導體公司(Hankook Semiconductor)50%的股份,成立半導體事業部,開始進軍半導體產業;1975年開發出手表芯片;1977年7月開始生產雙極晶體管;1979年收購全資擁有韓泰半導體,并更名三星半導體;1983年正式進軍存儲器行業,開發出韓國第首個64K DRAM;1988年半導體業務和電子及無線通訊業務合并成立三星電子;1994年開始研發DSP;1995年推出第一個8位MCU;1997年推出700MHz Alpha處理器;2000年發布0.25μm 66MHz手機應用處理器S3C44B0X;2002年成立SoC研發中心;2005年進入CMOS傳感器領域,并開始晶圓代工業務。
三星半導體在全球擁有七大生產基地,分別位于韓國器興、韓國華城、韓國安陽、韓國平澤、美國奧斯汀、中國蘇州、中國西安。
三星電子半導體事業部目前是全球最大的存儲芯片制造商,2018年位居全球營收排行榜第一位。
強化晶圓代工,挑落臺積電
1.三星電子晶圓代工發展歷程
2005年,三星電子開始進入12英寸邏輯工藝晶圓代工領域,至今已經整整15年了,通過專注于先進的工藝節點,致力為客戶提供最優化的產品和服務,目前晶圓代工業務已經成長為面向全球FABLESS產業的低功耗、高性能SOC的代工公司之一。
從2005年到2009年,三星電子的年代工營收不足4億美元。到2010年啃上蘋果(Appple),開始代工蘋果A系列處理器(包括A4、A5、A6、A7),代工營業收入出現爆長,2010年整體代工收入激增至12億美元(其中蘋果A系列處理器產品代工收入達8億美元)。由于蘋果手機等移動終端產品出貨激增,三星電子的晶圓代工營收水漲船高,到2013年達到39.5億美元,當年蘋果的代工收入占到公司代工總收入的86%。可以說2010--2013年三星電子的代工營收完全是靠蘋果在支撐。
由于20納米工藝制程良率無法突破等多方面的原因,2014年三星電子失去蘋果A系列處理器訂單,蘋果A8處理器全部交由臺積電(TSMC)代工;2015年好不容易搶到A9處理器部分訂單,但由于良率和功耗控制不如臺積電,導致2016年的A10處理器又全部由臺積電包圓。由于失去蘋果這個大客戶,導致2014年和2015年晶圓代工營收出現下滑。
為了填補產能,三星電子代工部門積極出擊,搶下高通(Qualcomm)應用處理器和服務器芯片、超微半導體(AMD)的微處理器芯片、英偉達(Nvidia)的圖形處理芯片、安霸(Ambarella)的視覺處理芯片、特斯拉(Tesla)的自駕系統芯片的訂單,得以彌補蘋果跑單的窘境。2016年營收達到44億美元,超過2013年的水平,創下三星電子晶圓代工營收的新紀錄。
2.晶圓代工拆分
2017年5月12日,三星電子宣布調整公司業務部門,將晶圓代工業務部門從系統LSI業務部門中獨立出來,成立三星電子晶圓代工。據悉,新部門主要負責為全球客戶--高通和英偉達等--制造非存儲芯片,從而與以臺積電為首的純晶圓代工公司競爭。
根據市場研究公司IC Insights的數據顯示,三星電子2017年晶圓代工營收達46億美元,在全球晶圓代工市場以6%的市占率排名第四,前三分別是臺積電(TSMC)的56%,格芯半導體(GlobalFoundries)的9%,聯電(UMC)的8.5%;2018年晶圓代工營收達100億美元,市占率達14%,排名全球第二。
2018年三星電子排名全球第二大晶圓代工公司,并非業績大增,實乃拆分部門導致。原因是晶圓代工部門自立門戶,不再隸屬于系統LSI業務。所以現在包括處理器芯片(Exynos等)、CIS圖像傳感器、顯示驅動芯片、電源管理芯片的生產收入都算作晶圓代工部門營收,因此營收一路高漲,市占率一夕飆高。
但千萬別因此就小瞧三星的晶圓代工。
下面我們來談談三星電子的晶圓代工的產能和工藝等情況。
3.晶圓代工工廠和產能
截止2018年底,三星電子晶圓代工專屬線有5條,包括4條12英寸和1條8英寸。
韓國器興(Kiheung)的S1,建成于2005年,是三星首條12英寸邏輯代工生產線,目前量產65納米至8納米低功耗芯片,產品主要用于計算機網絡、智能手機、汽車、以及日益成長的物聯網市場等。
美國奧斯汀(Austin)的S2是由原8英寸廠改造而來;2010年8月開始潔凈室建設,2011年4月開始12英寸邏輯產品投產,當年達產43000片;目前量產65納米至14納米產品。2010年設立研發中心,旨在為系統LSI部門開發高性能、低功耗、復雜的CPU和系統IP架構和設計。
韓國華城(Hwasung)的S3,是2018年建成投產的12英寸邏輯生產線,目前主要生產10納米至8納米產品,將是三星7納米產品的主力生產廠。
韓國華城的S4,是原DRAM用產線FAB11進行改造,目前CMOS影像傳感器(CIS)專用生產線。位于華城的12英寸DRAM產線FAB13也正在加緊改造為CMOS影像傳感器專用生產線。
韓國華城的EUV專用產線自2018年2月開工建設以來,正在加緊建設。工廠將投資60億美元,將于明年下半年完成建設、2020年正式投產。初期以7納米產品為主,輔以EUV***。
韓國器興的8英寸晶圓代工線FAB 6于2016年開放,從180納米到70納米節點都可涵蓋,工藝技術包括嵌入式快閃記憶體(eFlash)、功率元件、影像感測器CIS,以及高電壓制程的生產,主要針對韓國本土的FABLESS。
目前,三星電子代工業務可以提供包括65納米、45納米、32/28納米HKMG、14納米FinFET、10納米FinFET、7納米FinFET EUV工藝,客戶包括蘋果、高通、超微半導體、賽靈思、英偉達、恩智浦(NXP)以及韓國本土公司Telechips等。
到2019年底,三星電子晶圓代工專屬線將增至7條,包括6條12英寸和1條8英寸。
4.晶圓代工工藝:追求先進制程永不停歇
2005年三星電子進入晶圓代工業;2006年首個客戶簽約65納米;2009年45納米工藝開始接單,同年11月在半導體研究所成立邏輯工藝開發團隊,以強化晶圓代工業務;2010年1月首個推出32納米HKMG工藝。
由于蘋果訂單的丟失,三星在工藝研發方面加大投入,試圖證明基其技術領先地位。
2014年推出第一代14納米FinFET工藝,稱作14LPE(Low Power Early,低功耗早期),并于2015年成功量產;2016年1月推出第二代14納米FinFET工藝并量產,稱作14LPP(Low Power Plus,低功耗增強),功耗降低15%,用于Exynos 8 OCTA及高通驍龍(Snapdragon)820處理器;2016年5月推出第三代14納米FinFET工藝并量產,稱作14LPC;2016年11月推出第四代14納米FinFET工藝,稱為14LPU(Low PowerUltimate,低功耗終極)。并在14納米的基礎上,推出微縮版11LPP。
2016年10月17日,第一代10納米FinFET工藝量產,稱為10LPE,首款產品是應用處理器Exynos 8895,另一客戶就是高通驍龍830,新工藝性能可以提供27%,功耗將降低40%;2017年11月,開始批量生產第二代10納米FinFET工藝,稱為10LPP,性能提高10%,功耗降低15%,首款產品是Exynos 9810,另一客戶就是高通驍龍845;2018年6月,推出了第三代10納米FinFET工藝,稱為10LPU,性能再次得以提升。三星電子采用10納米的三重圖案光刻技術。
三星電子強調,10納米工藝系列(包括8納米衍生產品)的生命周期很長。8LPP/8LPU在生產工藝轉換為EUV光刻技術之前,具有最大的競爭優勢。但我們要注意到,臺積電10納米工藝的營收已經逐季下滑,給人已經放棄的感覺。而7納米工藝制程已經成為臺積電第一大營收來源。
那么我們來看看三星電子的10納米以下工藝的布局情況。
8LPP:8LPP在生產工藝轉換為EUV(Extreme Ultra Violet)光刻技術之前,具有最大的競爭優勢。結合三星10nm技術的關鍵工藝流程創新,與10LPP相比,8LPP在性能和門電路密度方面提供了額外的優勢。2018年11月成功量產Exynos 9系列(9820)。
7LPP:7LPP將是第一個使用EUV光刻解決方案的半導體工藝技術。這里要強調兩點,一是通過和ASML的合作,開發出了250W最大的EUV源功率,這是EUV進入到大量生產中的最重要的里程碑,EUV光刻技術的部署將打破摩爾定律擴展的障礙,為單一的納米半導體技術的發展鋪平了道路;二是關鍵IP將于2019年上半年完成研發,下半年將進行投產。
5LPE:5LPE將采用三星獨特的智能縮放(Smart Scaling)解決方案,將其納入基于EUV的7LPP技術之上,可實現更大面積擴展和超低功耗優勢。
4LPE/LPP:4LPE/LPP是三星電子最后一次應用高度成熟和行業驗證的FinFET技術,結合此前5LPE工藝的成熟技術,芯片面積更小,性能更高,可以快速達到高良率量產,也方便客戶升級。
3LPP:3LPP將第一次使用全新的MBCFETTM(Multi Bridge Channel FET,多橋接通道場效應晶體管)結構,基于三星電子特有的GAAFET(Gate All Around FET,環繞柵極場效應晶體管)技術。GAAFET需要重新設計晶體管底層結構,克服當前技術的物理、性能極限,增強柵極控制,性能大大提升。預計2020年投入風險性試產。
5、加強封裝技術,布局FOPLP
2019年4月,三星電子收購三星電機(SEMCO)的FOPLP業務。三星電子希望作憑籍搭配FOPLP封裝技術,再次挑戰臺積電的InFO,希望搶下2020年蘋果A系列處理器的代工訂單。
首先我們來了解一下FOPLP。FOPLP是Fan-Out Panel Level Packaging(面板級扇出型封裝)的縮寫。
據悉,FOPLP可降低封裝厚度、增加導線密度、提升產品電性能,面板大工作平臺可提高生產效率,可運用于5G、AI、生技、自駕車、智慧城市及物聯網等相關產品。由于有著成本上的優勢,看好面板級扇出型封裝技術未來發展。目前積極布局FOPLP的公司除OAST公司安靠(Amkor)、日月光(ASE)/Deca、長電科技(JCET)、納沛斯(nepes)、力成科技(PTI)、硅品(SPIL)外,還有PCB供應商三星電機(SEMCO)、欣興電子(Unimicron)。
三星電機(SEMCO,Samsung Electro-Mechanics)成立于1973年,是三星電子的兄弟公司。三星電機主要由四個業務部門組成:元件解決方案部門,生產無源元件,如多層陶瓷電容(MLCC)和電感;基板解決方案部門,生產高密度互連板(HDI)、封裝基板和RFPCB;模組解決方案部門,生產攝像頭模組、WiFi模組;FOPLP部門,2016年新設立,從事面板級扇出型封裝技術研發。
三星電子在和臺積電爭搶蘋果A系列處理器訂單失利后,痛定思痛,決定成立特別工作小組,目標開發先進封裝FOPLP技術,且2018年正式應用于三星智能型手表Galaxy Watch的處理器封裝應用中。
于是三星電機于2016年正式成立FOPLP部門,并收購三星面板(Samsung Display)位于韓國天安(Cheonan)的液晶面板廠,進行改造,建設FOPLP生產線,2017年10月開始搬入設備,2018年10月正式量產。
三星電機研發FOPLP最初是用來生產電源管理芯片(PMIC),進入2018年之后,開始為三星Galaxy Watch制造用于應用處理器(AP)芯片,預計2019年全面跨入異質集成、晶圓堆疊的3D SiP系統級封裝。
三星電機用于Galaxy Watch的FOPLP有3個重布線層(RDL)和1個背面RDL(Backside RDL)。三星電機表示,將標準的層疊(PoP)結構應用于AP和PMIC的多芯片封裝,可以將封裝的厚度減少20%以上,從而提高了電氣和熱性能,并有助于擴大產品的電池容量。
三星電機目前使用510x415mm規格的面板制造FOPLP,800x600mm規格的面板已經開發成功。據悉面板尺寸可以根據客戶要求更改。
三星電子收購三星電機的POPLP業務,就是要力拼臺積電。三星電機在FOPLP技術投入巨大,已量產的FOPLP-PoP與I-Cube 2.5D先進封裝技術,據稱可與臺積電的InFO、CoWoS封裝分庭抗禮。
臺積電當年就是憑借InFO、CoWoS封裝技術從三星電子手中搶到蘋果A系列處理器訂單。
規劃第二跑道,發力FD-SOI
三星電子是FD-SOI的重要推動力量。
按三星電子官方消息,晶圓業務部門的發展路徑從28納米節點開始分為兩條,一條是按照摩爾定律繼續向下發展,不斷提升FinFET的工藝節點,從14納米到目前的10納米,進而轉向下一步的7納米,好像,三星把8納米以下的數字都用上,8納米、7納米、6納米、5納米、4納米、3納米......
另一條線路就是FD-SOI工藝,從28納米(28FDS)起步,目前推出18納米(18FDS)。
不過三星研發FD-SOI的時間不長。2014年5月14日,三星電子從意法半導體(STM)獲得了28納米FD-SOI工藝授權許可,并利用它創建了三星的28FDS工藝。2015年有三星電子代工業務人士透露,晶圓質量已于2014年9月確認,產品質量已于2015年3月確認,說明FD-SOI技術已經完全過關了。
28 FDS于2015年開始投入風險生產,2016年正式大規模量產。據悉目前有超過40種產品,為射頻應用、嵌入式MRAM提供達400 GHz以上的最大頻率,并可應用于汽車。28FDS有一個1.0伏的Vdd。據悉,三星電子在現有的28FDS基礎上,于2017、2018年添加RF與嵌入式非揮發性記憶體(NVM)技術,相比成熟的28LPP+eFlash+RF工藝,28FDS+eMRAM+RF更具競爭力,其速度提升了25%。
18FDS將于2019年下半年開始風險生產,大規模量產要到2020。其特點是后端采用三星的成熟14納米FinFET(14LPE / 14LPP)相同的BEOL互連,但采用了新的晶體管和FEOL。相比28FDS,18FDS提升了22%的性能(在相同的復雜性和功耗下),降低了37%的功耗(在相同的頻率和復雜度下),芯片面積減少了35%。據悉,18FDS也將支持RF和eMRAM,使得三星電子代工服務能滿足2020年及以后的5G時代RF和嵌入式存儲器的各種應用需求。相比28FDS的Vdd(器件內部的工作電壓)為1.0V,而18FDS的Vdd僅為0.8V。
2018年6月,ARM公司和三星電子推出業界首款采用28FDS的嵌入式MRAM(eMRAM)編譯器IP。2019年3月,ARM公司和三星電子宣布推出采用18FDS的嵌入式MRAM(eMRAM)編譯器IP,包括7個內存編譯器、3個邏輯庫、2個GPIO庫(1.8和3.3V)、3個POP IP和eMRAM內存編譯器;支持汽車AEC-Q100一級設計要求,并配備ASIL-D支持完整的汽車安全套件。
三星電子還利用其在存儲器制造方面的技術和規模優勢,著力打造eMRAM,以滿足未來市場的需求。
2019年3月,三星電子宣布基于28FDS成熟工藝成功規模量產eMRAM(嵌入式磁阻內存),可廣泛應用于MCU微控制器、IoT物聯網、AI人工智能領域。
更加關鍵的是,SOI晶圓供應商Soitec于2019年1月22日宣布擴大與三星電子合作,旨在保證FD-SOI晶圓的供應,加強FD-SOI供應鏈,并保證三星電子終端客戶的大批量生產。
目前,三星電子的FD-SOI客戶包括意法半導體、恩智浦、亞馬遜(Amazon)旗下的Blink等。
三星電子的兩大工藝路線FinFETT和FD-SOI已經準備妥當,正在揖門接單。下面我們來看看三星電子的產品情況,包括應用處理器、CMOS圖像傳感器等,這些產品能否大賣,將極大影響其代工業務的營收。
應用處理器蓄勢待發,挑戰現有格局
事實上,智能手機應用處理器(AP)芯片領域,能夠擺得上桌面就是華為麒麟、蘋果A系列、高通驍龍、聯發科曦力和三星電子Exynos,當然還有紫光展銳。
但目前Exynos應用處理器只是三星電子自用,而沒有大規模外賣。至于原因,歸納網上各種說法,無外乎主要有兩個方面:一個是高通的芯片制造由臺積電轉向了三星,其中交換的條件就是三星的旗艦手機必須要搭載驍龍處理器,這是一個雙贏的局面;另一個原因也是三星電子的無奈,那就是基帶通信的問題,由于三星電子沒有電信CDMA這方面的專利,所以Exynos處理器其實就是通信的殘缺版,無法滿足一部分用戶的需求,所以三星也不得不將部分旗艦的芯片換成高通驍龍。
2016年韓國公平交易委員會(KFTC)宣判高通專利授權模式違反公平競爭原則,并對高通開出8.54億美元的高額罰單,創下韓國反壟斷史上最高罰金記錄。為了降低韓國公平交易委員會開出的天價罰單的影響,2018年2月高通與三星簽訂了長期交叉授權協議,其內容之一便是允許三星電子Exynos應用處理器SoC供給第三方。
三星電子Exynos應用處理器SoC得以外賣,使得三星電子可以打包兜售的方式進軍全球應用處理器市場,將充實自家晶圓代工訂單需求,大大拉動其晶圓代工業務的營收,并可以練兵旗下先進制程業務。
重整CMOS圖像傳感器業務,力拼索尼
2018年12月,三星電子設備解決方案(DS)部門通過組織重組,在系統LSI部門下建立了一個“傳感器業務團隊”,負責LSI事業部內的CMOS圖像傳感器產品規劃和銷售,工藝研發由設備解決方案部門的代工部門完成。
CMOS圖像傳感器(CIS)可將半導體設備中的光轉換成電信號,是數碼相機和智能手機的標配。近年來,配備多個相機鏡頭的智能手機越來越流行,CMOS圖像傳感器的需求也在不斷增加,并且隨著自動駕駛車輛越來越受歡迎,CMOS圖像傳感器需求將進一步激增,原因在于CMOS圖像傳感器可以成為自動駕駛車輛的視神經,識別道路和周圍環境的實時變化。
伴隨著手機雙攝的應用以及被應用于汽車等領域,CMOS圖像傳感器的增長需求增長迅速。市場研究公司IC Insights預測,到2022年,圖像傳感器市場市值預計從2018年的137億美元增加至190億美元。
三星電子CMOS圖像傳感器之前默默無聞,2013年推出ISOCELL技術之后,開始奮起直追。根據IC Insights的數據顯示,從銷售量上看,三星電子CMOS圖像傳感器份額在2017年的市場占有率已經達到25.4%,和索尼的28.3%的市占率差距已縮小至3個百分點。但從銷售額看,索尼CMOS傳感器的全球市占率搞達52.2%,遙遙領先于三星電子的19.1%。從銷售額的角度看,三星電子的CMOS圖像傳感器想要追上龍頭索尼,還有段不小距離。
不過三星電子認為獨創的ISOCELL技術比索尼技術強,2018年6月推出ISOCELL Plus技術。在推出新技術的同時,三星電子正在提升CMOS圖像傳感器生產能力,表示要超越索尼(Sony),成為市場領導者。事實上,早在2017年三星電子就開始擴充12英寸CMOS圖像傳感器產能。截止2017年12月三星電子12英寸CMOS圖像傳感器的產能為每月4.5萬組,2017年開始改造12英寸DRAM產線FAB 11,2018年底完成改造;同時對FAB 13進行改造,據悉,FAB 11和FAB 13的產能超過每月7萬組,預計2019年底三星電子CMOS圖像傳感器產能將達12萬組,超過索尼影像傳感器每月10萬組的產能。
三星電子的傳感器業務原來主要面向移動終端市場,現在增加了汽車圖像傳感器。三星電子表示,公司汽車圖像傳感器符合行業各種嚴苛的標準,能夠承受從?40°到105°C的極端溫度條件,可滿足汽車電子委員會AEC-Q100 2級標準(AEC-Q100 Grade 2)要求,憑借卓越的弱暗電流,即使在極端環境下也能提供優質圖像。三星電子強調,公司汽車圖像傳感器采用先進的成像技術,推動著自動駕駛的創新和安全。
2018年10月,三星電子推出了汽車圖像傳感器品牌ISOCELL Auto。并向特斯拉提供車輛圖像傳感器,這是三星電子向汽車企業提供CMOS圖像傳感器的第一例,對三星電子擴大代工事業的意義非常大。
三星電子的底氣:抗壓能力強
三星電子一方面在位于華城的S3晶圓廠投入了56億美元升級,部署7納米LPP EUV制程技術進行風險試產;一方面投資6萬億韓元(約54億美元)建設全新的EUV產線,預計2019年竣工,2020年擴大生產規模。
三星電子真是大手筆呀!
不過,這對于在風云詭譎的存儲器市場血拼了30多年的三星來說,實在不是個事!逆勢加碼投資,會是三星電子甩開競爭對手的好時機嗎?有專家表示,行業景氣不好時,正是內部練兵時。
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