日前消息傳出國內存儲芯片企業長江存儲已量產64層 3D NAND flash產品,并預計在明年開始規模投產,目前全球市場的主流NAND flash芯片正是64層3D 技術,這意味著中國在NAND flash產品上已趕上了全球主流技術。
韓美日壟斷NAND flash市場
目前全球的存儲芯片行業主要由韓美日所掌控,它們占有全球存儲芯片市場的份額合計超過九成以上。存儲芯片又分為NAND flash和DRAM,在NAND flash行業,占有市場份額優勢的主要有三星、東芝、美光、西部數據和SK海力士。
據市調機構DRAMeXchange發布的2018年四季度NAND flash市場份額排名顯示,三星、東芝、美光、西部數據和SK海力士占有的市場份額分別為30.4%、19.3%、15.4%、15.3%、11.2%,加上第六名的Intel占有的7.8%的市場份額,它們合計占有該行業的市場份額高達99.5%。
韓美日壟斷全球NAND flash市場,對于中國這個全球最大制造國來說顯然是不利的,自2016年以來NAND flash和DRAM的價格持續上漲,造成中國的數碼電子產品成本不斷上漲,壓低了中國制造業的利潤,而這些國外存儲芯片企業則在存儲芯片行業賺得盤滿缽滿。
這在三星身上體現的最為明顯,三星是全球最大的電視企業和智能手機企業,這兩項業務也是它的主要收入來源,不過隨著中國電視企業和手機企業的沖擊,其這兩項業務已不是它的主要利潤來源,存儲芯片才是它的最大利潤來源,受益于存儲芯片價格的持續上漲,從2017年四季度以來其盈利不斷創下記錄,直到去年四季度存儲芯片價格出現下滑勢頭,其凈利潤才在今年一季度出現了超過六成的下滑。
中國有望打破韓美日壟斷NAND flash的局面
中國是全球最大制造國,對存儲芯片有巨大需求,中國采購的存儲芯片占全球約兩成比例,龐大的市場有助于中國發展自己的存儲芯片產業,從2014年集成電路產業基金成立以來,存儲芯片產業正是其中的一個獲得支持的芯片產業之一,中國希望借此打破國外企業壟斷存儲芯片市場的局面,而長江存儲正是承擔這一重任的企業之一。
長江存儲經過數年的努力,在去年已研發出32層的3D NAND flash,不過此時全球的主流已是64層的3D NAND flash,缺乏市場競爭力,它也認識到了這一點,將32層 3D NAND flash產品作為打造技術技術、測試生產線的產品而沒有大規模投產,直到日前研發出64層 NAND flash才計劃大規模投產。
64層3D NAND flash為當前的主流技術產品,全球前六大NAND flash廠商之中的美光和Intel也是在去年5月才投產64層 3D NAND flash產品,因此長江存儲研發出64層 3D NAND flash具有劃時代的意義,意味著中國的存儲芯片企業在技術上已跟上國外存儲芯片企業的腳步。
近十多年來,中國在高科技產業上已取得了多項成就,其中最為人所熟知的無疑就是液晶面板產業,國內最大的面板企業京東方在連虧近十年、備受各方的質疑過程中成長,到如今京東方已成為全球最大的面板企業,其在面板生產技術上已實現了對日韓面板企業的趕超,對比之下長江存儲在NAND flash市場的進展比京東方的面板行業的進展還要快,長江存儲成立于2016年,僅僅3年時間就追上了全球的主流技術。
面對中國存儲芯片企業即將大規模投產NAND flash,全球的NAND flash廠商正在迅速擴張產能,導致NAND flash的價格持續下跌,它們似乎是希望借此將中國的存儲芯片企業扼殺的襁褓之中,不過從中國的高端制造業的發展可以看出,中國向來善于在逆境中求生存發展,在這種惡劣的競爭環境中,相信中國存儲芯片企業終將改變全球的市場格局。
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原文標題:中國打破國外企業壟斷存儲芯片的局面可望變成現實
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