繼存儲類半導體，三星希望憑借政策東風，在非存儲類半導體占據(jù)一席之地。

近日，第一財經(jīng)記者從韓國三星電子及韓國半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會方面了解到，為配合韓國政府對于半導體產(chǎn)業(yè)的扶持計劃，三星電子將出資30萬億韓元，培育非存儲類系統(tǒng)半導體產(chǎn)業(yè)，并以2030年前在全球占領(lǐng)領(lǐng)先地位作為目標。

韓國半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會方面負責人告訴第一財經(jīng)記者，針對韓國政府提出半導體主導的產(chǎn)業(yè)模式，三星和協(xié)會方面正在進行緊密的合作，而三星方面將在本月底最終公布方案，不過初步的措施和方案已經(jīng)基本確定，而這也將成為韓國建國以來最大規(guī)模的產(chǎn)業(yè)扶持政策，涵蓋政府、行業(yè)協(xié)會和企業(yè)。

第一財經(jīng)記者了解到，三星電子將在月末公布的方案主要包括：投資30億韓元，構(gòu)造三星電子的科研力量，并與高校協(xié)同設立半導體學科，同步繼續(xù)扶持晶圓代工等內(nèi)容。

其中，三星電子的負責人向第一財經(jīng)記者透露，作為三星電子扶持非存儲半導體計劃的首個舉措，三星將在韓國京畿道華城設立極紫外光刻（EUV）工廠，作為半導體工程中的核心工序之一，每臺設備的市價超過2000億韓元，而作為利用措施的配套，三星電子正在尋求通過將EUV技術(shù)應用于10nm DRAM產(chǎn)線來提高EUV設備的利用率。

針對該項目三星電子將在近期發(fā)布追加投資計劃，三星方面也將考慮在位于京畿道平澤地區(qū)的空余地塊追加建設生產(chǎn)AP、CIS等非存儲類半導體的工廠；不過，該負責人同時表示，這項投資計劃的具體細節(jié)和規(guī)模尚未最終確定，并會在后期進行披露，而韓國業(yè)界也預計，若包括建廠計劃及配套內(nèi)容，三星電子應當投資的金額可能將超過100萬億韓元。

另外，三星電子將針對LG等其他競爭企業(yè)及中小企業(yè)開放生態(tài)鏈，并邀請本土企業(yè)作為設計及研發(fā)方參與；而作為首個具體措施，三星電子或?qū)⒋S向LG集團旗下的Siliconworks所研發(fā)的高性能半導體設備進行開放，而此前三星電子的代工廠僅向英特爾、蘋果等海外企業(yè)開放，韓國本土的中小企業(yè)則主要向TSMC等境外企業(yè)進行代工。

從技術(shù)的層面，此前作為晶圓代工的領(lǐng)先企業(yè)，TSMC曾唯一擁有7nm工藝的代工廠，并計劃明年推出EUV版本的升級版7nm工藝，近期三星電子方面在投入7nm工藝的基礎上，將6nm工藝提前在下半年投入量產(chǎn)。據(jù)業(yè)界人士介紹，三星電子已經(jīng)基本完成5nm工藝的開發(fā)，并在此基礎上正在開發(fā)并在中短期內(nèi)準備推出3nm工藝的代工技術(shù)。

除此以外，三星還將聯(lián)手SK海力士等本土競爭企業(yè)，在首爾國立大學等多個大學設立“半導體學科”，并在原則上保證畢業(yè)后能夠進入三星電子等本土半導體企業(yè)，半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會方面預計，在2025年前類似學科的設立能為韓國業(yè)界培養(yǎng)1萬名具有高素養(yǎng)的半導體設計及生產(chǎn)人員。

4月初，韓國總統(tǒng)文在寅在會議上，正式宣布韓國政府將在未來著重扶持的三大未來產(chǎn)業(yè)，其中非存儲類半導體占據(jù)較為重要的地位，而業(yè)界人士透露，三星電子月底的戰(zhàn)略發(fā)布時，韓國政府的高級官員及SK海力士等競爭企業(yè)的人士也將出席，以表示韓國政府和業(yè)界的重視。

三星電子在扶持非存儲類半導體的背后，除了來自政策的東風，同時也有源自市場的壓力。據(jù)全球半導體市場統(tǒng)計機構(gòu)WSTS預計，2019年全球半導體市場的規(guī)模將為4545億美元，其中三星占據(jù)優(yōu)勢的存儲芯片的市場份額僅為1355億美元，僅占據(jù)全球市場的三成，剩余絕大多數(shù)部分均為非存儲類半導體。據(jù)三星電子發(fā)布的第一季度業(yè)績公告顯示， 三星電子在2019年第一季度的營業(yè)利潤為6.2萬億韓元，同比下降60.36%、環(huán)比下降38.5%，尤其是半導體市場所面臨的調(diào)整期，使三星電子的營業(yè)利潤跌至2016年第三季以來最低水平。

截至2018年底，三星電子和SK海力士兩大韓系制造商在2018年存儲類半導體的全球市場占有率為74.6%，而根據(jù)市場調(diào)查機構(gòu)DRAM Exchange提供的數(shù)據(jù)，2019年3月份以DDR4 8GB的DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）為準，市場價格為4.56美元，相比于2018年9月的峰值下跌達44.3%，其中僅在第一個季度內(nèi)就下跌37%，韓國半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會的一份報告也認為，即便是在第二季度，市場價格仍將下跌10%以上，韓系制造商仍要保持高利潤的時代很有可能一去不復返。

去年5月，三星電子將其代工業(yè)務從系統(tǒng)原有部門中分拆出來，另外設立事業(yè)部；而根據(jù)WSTS的另外一份統(tǒng)計顯示，2019年第一季度全球半導體代工市場的占有率，臺資TSMC占據(jù)第一名，達到48.1%，三星電子緊隨其后，為19.1%。

韓國大信證券分析師李秀彬向第一財經(jīng)記者指出，相比于DRAM等存儲芯片更容易受到市場周期的影響，非存儲類半導體的需求周期則更加穩(wěn)定。

“尤其是三星在上一季度的財報中獲得不理想的業(yè)績，其背后和 半導體產(chǎn)業(yè)整體的需求過剩、全球大型企業(yè)放緩數(shù)據(jù)中心的建設等共同作用之下，高度依賴內(nèi)存芯片產(chǎn)生利潤將成為三星電子所面臨的脆弱之處，并引發(fā)投資者對于三星電子收益構(gòu)造的擔憂。”李秀彬表示。

韓國高麗大學經(jīng)營學系教授、韓國經(jīng)營學會會長李斗熙告訴第一財經(jīng)記者，雖然從短期來看，三星電子通過一系列措施，降低了對于市場的沖擊，但考慮到三星電子占據(jù)韓國KOSPI股指市值的近20%，日均交易量更是達到30%左右，若三星電子的不振進入長期，將導致韓國的金融市場更加脆弱。