來源：滿天芯

編輯：感知芯視界 Link

三星電子正計劃恢復(fù)位于平澤的新半導(dǎo)體工廠“P5”的基礎(chǔ)建設(shè)。隨著半導(dǎo)體行業(yè)的復(fù)蘇正式開始，這被解讀三星為擴大產(chǎn)能以應(yīng)對需求增加的措施。

據(jù)韓媒報道，業(yè)界消息稱，三星電子于上月30日召開了董事會內(nèi)部管理委員會會議，提交并通過了有關(guān)P5基礎(chǔ)建設(shè)的議程。管理委員會由首席執(zhí)行官兼 DX 部門負責(zé)人 Jong-hee Han 擔(dān)任主席，成員包括 MX 業(yè)務(wù)部門負責(zé)人 Noh Tae-moon、管理支持總監(jiān) Park Hak-gyu 和存儲業(yè)務(wù)部門負責(zé)人 Lee Jeong-bae。

三星電子于1月底暫時停止了P5基礎(chǔ)建設(shè)，投資時機也根據(jù)市場情況進行了調(diào)整。由于P5建設(shè)進度推遲，“一年一新晶圓廠”戰(zhàn)略可能被打亂。然而，僅僅四個月后，管理委員會就決定繼續(xù)進行地基建設(shè)。

三星電子的決定被認為是由于人工智能（AI）熱潮導(dǎo)致對存儲半導(dǎo)體的需求迅速增長。人工智能加速器中安裝的HBM需求大增，需要擴大DRAM產(chǎn)線。HBM采用大量DRAM晶圓，因此需要比目前更多的產(chǎn)能。此外，由于設(shè)備端AI的普及，預(yù)計移動和PC中安裝的通用DRAM的需求也將逐漸增加。

此外，隨著生成的人工智能學(xué)習(xí)數(shù)據(jù)容量的增加，對 NAND 閃存的需求也在反彈。

三星電子在第一季度業(yè)績簡報中宣布，僅根據(jù)今年的比特增長，就將HBM供應(yīng)量比去年增加三倍以上。如果通過了正在進行的NVIDIA質(zhì)量測試，供貨規(guī)模將會大得多。

據(jù)了解，P5是一座擁有8個潔凈室的大型晶圓廠，而 P1 至 P4 則只有 4 個潔凈室。這使得確保滿足市場需求的大規(guī)模生產(chǎn)能力成為可能。雖然P5的具體用途尚未確定，但預(yù)計不僅能夠滿足存儲器的需求，還能夠滿足系統(tǒng)半導(dǎo)體的需求。

P5基礎(chǔ)工程預(yù)計最早將在第三季度開始。考慮到與三星物產(chǎn)和三星工程的施工合同，預(yù)計完工時間將是2027年4月。然而，根據(jù)市場情況，啟動時間可能會大大提前。這是因為首先建立的生產(chǎn)線將能夠優(yōu)先量產(chǎn)。

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審核編輯 黃宇