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碳化硅市場契機迎爆發(fā) 瀚天天成尋求IPO上市

MZjJ_DIGITIMES ? 來源:未知 ? 作者:胡薇 ? 2018-07-20 10:06 ? 次閱讀

碳化硅是引領電力電子,特別是大功率電力電子,下一個50年最佳電子材料。

隨著全球人口的增加與城市化進程的加快,環(huán)保與可持續(xù)發(fā)展意識越發(fā)受到眾人重視。作為安全、節(jié)能和高效的功率轉換材料,碳化硅(SiC)打開了新一代半導體能源大門,尤其在電子電力領域,成為了下一個改變世界的革命性課題。

對碳化硅的探索,國內領先的半導體公司瀚天天成(Epiworld International)從未停止腳步。自2011年在廈門火炬高新區(qū)成立起,已經形成3吋、4吋以及6吋的完整碳化硅半導體外延晶片生產線,并滿足600V、1200V、1700V器件制作的需求,除此之外,還擁有由中、美、日三國共同組成的頂尖研發(fā)技術團隊。

碳化硅半導體不僅僅是個新興基礎材料,也是躋身科技大國不可缺的重要科技話語權。

DIGITIMES特此專訪瀚天天成電子科技(廈門)有限公司總經理馮淦博士,他表示,“碳化硅是技術新的制高點,是引領電力電子,特別是大功率電力電子,下一個50年最佳電子材料。”

整個產業(yè)備受市場關注,厚積薄發(fā)的瀚天天成獲得業(yè)內認可,今年產能已供不應求。“目前已著手實施擴大產能的規(guī)劃,預計今年年底完成二期廠房的土地建設,在明年上半年逐步釋放新產能。二期擴建預期實現(xiàn)十倍產能的增長,達產年可實現(xiàn)每年30萬片的產能目標。”對于未來的發(fā)展,馮淦博士充滿信心。

市場契機迎爆發(fā) 展望IPO上市

碳化硅,是繼第一代硅、鍺和第二代砷化鎵等材料之后的第三代新型半導體材料。作為碳化硅半導體產業(yè)鏈中的中游產品,碳化硅外延片對整個產業(yè)起著承上啟下的關鍵。在馮淦看來,與國際碳化硅巨頭相比,國內雖然起步晚了多年,但目前已經初具產業(yè)鏈規(guī)模,是一個實現(xiàn)“換代超車”的契機。

根據(jù)國家新能源汽車推廣規(guī)劃,2015年國內電動汽車充電站數(shù)量將達到4000座,同時大力推廣充電樁的建設;2016—2020年,國家電網的充電站建設目標高達10000座,建成完整的“四縱四橫”電動汽車充電網絡。隨著新能源及大功率電源轉換相關產業(yè)的成熟,SiC功率器件需求將迎來高速增長。

馮淦表示,除政策積極鼓勵外,在電力電子領域,全球50%的終端應用落在國內市場,如汽車電子、光伏逆變器PFC電源等,良好的市場契機和需求空間使得國內碳化硅產業(yè)更加忙碌。

據(jù)了解,瀚天天成是國內第一家提供商業(yè)化6吋碳化硅外延片的供應商。不僅承擔了一項國家科技重大專項(02專項)項目和兩項國家863課題項目,同時還與株洲中車時代電氣股份有限公司建立合作,為其提供3300V碳化硅功率器件的外延片,將極大提升動車組的整體性能和工作效率。

此外他透露,隨著市場接受度越來越高,從今年起,瀚天天成不僅加大產能與研發(fā)的持續(xù)擴充,同時將尋求IPO上市安排,尋求更大的發(fā)展空間。

瀚天天成生產車間

立足海西 實現(xiàn)核心技術“廈門造”

在馮淦博士看來,碳化硅半導體不僅為產業(yè)轉型帶來革命級發(fā)展,更是要讓其核心技術提升國家與地區(qū)的綜合競爭力,實現(xiàn)“廈門造”中國芯。

值得一提的是,近日由瀚天天成所牽頭編寫的《碳化硅外延層載流子濃度測定—汞探針電容—電壓法》標準發(fā)布,已成功列入國家團體標準,更將為規(guī)范我國碳化硅半導體材料行業(yè)、促成其健康有序的發(fā)展提供強有力的支撐作用。

瀚天天成“Epi World”的宏圖雄心,不僅是要建立一個碳化硅半導體研發(fā)、生產和銷售基地,吸引海內外一大批相關聯(lián)的集成電路企業(yè)入駐,更要促進上下游相關企業(yè)的快速發(fā)展和聚集,共同打造一個新型電力電子器件產業(yè)集群,形成完整的產業(yè)聚落,中國“碳化硅谷”。

馮淦認為,在推動建設本土特色化電子電力產業(yè)集群上,廈門擁有天時地利人和。首先,廈門擁有良好的經濟基礎和政策環(huán)境;其次,廈門擁有如三安光電、聯(lián)芯半導體等知名半導體企業(yè)的產業(yè)鏈集聚效應,同時還有如金龍客車、科華恒盛等碳化硅器件的重要終端客戶群。也因此,形成廈門材料、器件和終端的整個產業(yè)鏈互補式發(fā)展與整體提升。

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原文標題:【專訪】瀚天天成“EpiWorld”厚積薄發(fā) 助力國產碳化硅產業(yè)換代超車

文章出處:【微信號:DIGITIMES,微信公眾號:DIGITIMES】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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