從2017到2018年，全球IC制造產業資本投資規模達到高峰，近兩年總投資均超過920億美元規模。目前中國***IC制造產業仍以晶圓代工貢獻最主要產值，隨著創新應用的發展，對于制程的需求也一直不斷攀升，縱觀2018年后的應用趨勢，半導體發展將更加多元，隨著先進制程來到10納米之下，制程微縮瓶頸浮現，同時復雜的圖形造成曝光次數增加，光罩成本隨之倍增，讓半導體產業向來信守的摩爾定律（Moore’s Law）變得窒礙難行，極紫外光（extreme ultraviolet；簡稱EUV）E技術被視為摩爾定律繼續往下走的關鍵，EUV制程技術勢在必行。

新應用對IC制造技術的影響

隨著7納米之后的解決方案討論開始浮上臺面，EUV微影技術等設備將加速2019年之后先進制程的量產。EUV微影技術的實用化，需整合研發光源、光學系統、光罩、光阻、曝光裝置等各項技術，然而制程微縮除了對制程穩定度帶來壓力外，在成本控管上亦是相當嚴肅的課題。采用新式材料與技術成為研發的另一方向，納米碳材、寬能隙材料的導入，將有助于延續摩爾定律。

***地區工研院產業經濟與趨勢研究中心（IEK）資深產業分析師劉美君指出，縱觀2018年以后的趨勢，會發現人工智能、物聯網、智慧汽車、高速運算等應用，將促進半導體產業發展更多元。未來AI將整合IoT技術發展，應用以工業、智慧城市等領域為主，分析各公司AI芯片發展，會發現所需制程幾乎還是以10納米以下為主流；但并非所有產業都需要最先進的制程，預估到2021年，45納米和22納米仍是產能占比最多的制程，在發展上最成熟穩定、良率亦是最高；10納米和14納米制程會成為要角，有急速攀升的趨勢，而年復合成長率最快的則是7納米制程。

導入EUV技術，仍有諸多難題

在過去兩年間，臺積電為了拉大和競爭對手的距離，著重在10納米以下制程能力的提升，特別是7納米與5納米量產技術的研發生產。對晶圓代工產業而言，制程能力將影響未來客戶下單的選擇，但關鍵在于良率夠高、速度要夠快，客戶對于7納米世代的制程需求亦有極高的期待，為了突破微縮制程在7納米的瓶頸，EUV技術的需求因此產生。

但就現階段來看，要藉由EUV實現7納米以下微縮制程，仍有許多棘手的問題待克服。除了生產性降低、成本增加、產能對半砍，EUV還有曝光裝置耗電太大的問題。劉美君進一步解釋，假設EUV光源效率以0.1%來計算，若期望輸出功率為150W的EUV光源，則需使用150kW的電力，以一般量產所需10臺曝光機的基本數量來看，則需消耗1500kW電力。先前媒體曾報導，全***用電過去五年的增加量，約三分之一由臺積電貢獻，導入EUV微影技術后用電還會暴增，根據臺積電評估，計劃于2020年量產的5納米制程，用電會是目前主流制程的1.48倍 。

此外，還有光罩防塵薄膜的難題存在。使用薄膜（Pellicle）最主要有兩種目的，除了增加芯片生產良率，還能減少光罩于使用時的清潔和檢驗，不過在高功率的EUV光源下，Pellicle也有可能從自身產生微塵（Particle），造成光罩的污染，因此EUV若要進入量產，微塵的控制就會變得非常重要。

摩爾定律的三種發展方向

1975年，英特爾（Intel）創辦人之一戈登·摩爾（Gordon Moore）提出摩爾定律：隨著制程的進步，集成電路上可容納的電晶體數目，約每隔一年半會增加一倍；若換算為成本，即每隔一年半可降低五成，平均每年可降低三成。就摩爾定律延伸，IC技術每隔一年半就會推進一個世代。但摩爾定律是否仍適用于目前的半導體制程生態呢？已退休的臺積電董事長張忠謀認為，摩爾定律早已無效，必須跳脫摩爾定律對于集積度的執著，只從應用看整合，也就是“創造橫向應用”來克服已經失效的摩爾定律。

劉美君分析，若要延續摩爾定律，會遇到7納米制程的抉擇困境。首先是設備難度提高，先進曝光機、刻蝕機等設備研發技術難度大，依據Intel官方計算過去研發10納米的制程，光罩成本至少要10億美元，若10納米制程的芯片產量低于1，000萬片，平均每片芯片上的光罩成本就高達100美元，一旦7納米的良率和產能無法提升，單顆芯片的成本將會十分高昂。而根據研究機構推算，10納米芯片的總設計成本約為1.2億美元，7納米芯片則為2.71億美元，較10納米高出兩倍之多！

因此7納米之后的發展，有三種可能方向。首先是延續原有CMOS技術的發展概念，持續朝向摩爾定律方向進行高集積度的IC元件設計，但7納米以后物理極限問題會漸趨嚴重。第二種是由應用需求驅動未來芯片設計功能的多樣化，例如透過3D IC等封裝新技術，整合Power、傳感器（Sensor）、致動器（actuator）等功能進入芯片設計與制造。最后一種則是跳脫原有以硅（Si）為基礎的CMOS元件制程，進入21世紀的碳素時代，以新材料、新技術來創造更高性能、低能耗的制造型態，同時又要能與現有制程相容，并具備成本優勢。

7納米以后IC制造技術的可能發展方向

尋找下世代的半導體材料

隨著IoT產品普及速度加快，元件耗電問題成為下階段半導體發展的重要課題，2020年后的電子元件，將聚焦在超低功耗的解決方案開發。劉美君指出，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬能隙功率元件，擁有較耐高溫、耐高壓、電阻小、電流大與低耗電等特性，相當適合高頻元件使用。2017年SiC Power市場規模達到275億日元，主要以通訊領域為大宗，預估在2030年將會擴大至2，270億日元。而GaN Power則是在200V的低耐壓及600V以上的中耐壓領域逐漸擴大市場規模，2017年GaN全球市場規模預估為18億日元，未來可朝向醫療器材發展，2030年時可望成長至1，300億日元。

總結而言，未來IC制造業投資風向從傳統消費性電子產品走向多元與新興應用，2018年的應用產品潮流，從過去的消費性電子轉向AI、IoT產品加值的領域進行延伸，對于芯片的規格需求，除了元件微小化外，高速運算與傳輸、多重元件異質整合、低功耗等特性，更是未來在產品與制程設計上需考量的課題。