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東芯半導體榮獲2025中國IC設計成就獎之年度最佳存儲器

東芯半導體 ? 來源:東芯半導體 ? 2025-03-31 14:57 ? 次閱讀

2025年是IC設計成就獎舉辦的第23年,一路伴隨和見證產業的成長與發展,是中國電子業界最重要的技術獎項之一,頒獎典禮已成為半導體產業領袖的年度盛會及行業領航標!活動評選并表彰業內優秀的IC設計公司、上游服務供應商、熱門模塊/設計方案和熱門產品。

深耕存儲,創新不斷,3月27日頒獎晚宴上,東芯半導體3.3V 64Mb SPI NOR Flash–DS25Q64A-13IA4很榮幸獲選了“2025年度中國IC設計成就獎之熱門IC產品獎:年度最佳存儲器”。同時,進入“Aspencore2025中國IC設計Fabless100排行榜--TOP 10 存儲器公司”,這不但是對我們成果的肯定,也鼓舞我們持續研發創新,為日益發展的存儲需求提供高效可靠的解決方案!”

Dosilicon

從消費級到車規級:

存儲芯片如何定義終端用戶體驗

3月27日下午,東芯半導體股份有限公司副總經理陳磊也在IC領袖峰會中,以本土存儲廠商視角,結合目前存儲市場現狀和熱門的應用領域,為大家解析從消費級到車規級:存儲芯片如何定義終端用戶體驗。

活動現場

據公開數據顯示,在AI服務器的強勁需求帶動下,2024年全球DRAM和NAND Flash銷售收入創1615億美元的歷史新高。其中,NAND Flash市場規模達到656.353美元,DRAM市場規模達到958.63億美元。

一方面,由于5G/AI/汽車電子等領域的不斷發展,DRAM、NAND、NOR在不同階梯中的技術演進滿足應用市場多樣化需求,產品需要不斷迭代創新。

另一方面,利基型存儲主流廠商正在逐步退出,或能實現份額替換,AI 需求高企,產能擠壓下,部分國際大廠逐步轉向利潤更高的高帶寬內存等產品線。

加以政府政策支持、全球化轉型加速推進下游需求增長、產業鏈上下游企業協同合作以及數據安全等多重因素體現了芯片國產替代的重要性幾方面驅動行業發展,刷新本土芯片市場需求,本土存儲廠商或將獲得更多市場機遇。

作為Fabless芯片企業,東芯半導體擁有獨立自主的知識產權,聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研發、設計和銷售,是目前國內少數可以同時提供NAND/NOR/DRAM設計工藝和產品方案的存儲芯片研發設計公司,

現有六大產品矩陣,提供定制化解決方案

SPINANDFlash

單顆粒芯片設計的串行通信方案,

在同一顆粒上集成了存儲陣列和控制器

高傳輸速度,高可靠

產品現擁有38nm及2xnm的成熟工藝制程,

目前工藝制程已經推進至1xnm先進工藝制程。

PPINAND Flash

兼容傳統的并行接口標準,高可靠性。可提供容量從1Gb到16Gb,1.8V / 3.3V兩種電壓,多種封裝方式的產品,以滿足不同應用場景。在網絡通信智能音箱,機頂盒等領域中廣泛應用。

NORFlash

可提供通用SPI接口、不同規格的NOR Flash,

容量從64Mb到2Gb,1.8V/3.3V 兩種電壓,

支持Single/Dual/Quad SPI和QPI四種指令模式、DTR傳輸模式和多種封裝方式。

DDR3(L)

具備高傳輸速率以及低工作電壓。

可提供1.5V/1.35V兩種電壓模式,具有標準SSTL接口、8n-bit prefetch DDR架構和8個內部bank的DDR3 SDRAM,是主流的內存產品。

LPDDR

具有LPDDR1, LPDDR2, LPDDR4X三個系列。LPDDR1的核心電壓與IO電壓均低至1.8V,LPDDR2的VDDCA/VDDQ低至1.2V,

LPDDR4X的VDDQ更低至0.6V,

因此非常適合應用在各種移動設備中,

產品廣泛應用于可穿戴/遙控設備等便攜式產品。

MCP

產品具有NAND Flash和DDR多種容量組合,

均為低電壓設計,核心電壓1.8V

其中DDR包含LPDDR1/2/4X 多種規格使其選擇更加靈活豐富。MCP可將Flash和DDR合二為一進行封裝,簡化走線設計,節省組裝空間,高效集成電路,提高產品穩定性。

東芯半導體實現全球化運營布局,構建完整生態體系,以“存儲”為核心,向“存、算、聯”一體化領域進行技術探索,拓展行業應用領域,優化業務布局。

供應鏈構建:

我們一直秉持“本土深度、全球廣度”的供應鏈布局,堅持“雙軌并行”的發展策略,積極拓展境內外雙代工模式,在搭建和完善自主可控的國產化供應鏈體系的同時,與國內外的供應商建立了互助、互利、互信的合作關系,保證了供應鏈運轉效率和產品質量。

市場布局:

我們的產品被廣泛應用于工業控制、通訊設備、安防監控、可穿戴設備和移動終端等領域。我們也持續聚焦高附加值產品,目前我們SLC NAND Flash、NOR Flash以及MCP均有產品通過AEC-Q100測試,將適用于更嚴苛的車規環境,也歡迎大家多多咨詢。

·SLC NAND Flash :

Automotive Grade 1 -40℃~105℃

·NOR Flash:

Automotive Grade 2 -40℃~125℃

·MCP:

Automotive Grade 1 -40℃~105℃

質量把控:

我們以“品質”、“競爭力”、“客戶滿意”、“持續改進”為公司質量方針,不斷優化服務流程和運營系統,持續提升相應的產品質量與服務質量管理體系,能夠為全球客戶第一時間提供高效的服務支持。公司持續加強產品可靠性及生產制程的監控力度并建立了優秀的客戶服務團隊,將客戶服務理念貫穿到產品研發至售后的各個環節,在內部形成良好的處理閉環,并持續提升客戶服務管理能力。

東芯,為日益發展的存儲需求提供高效可靠的解決方案!

關于東芯

東芯半導體以卓越的MEMORY設計技術,專業的技術服務實力,通過國內外技術引進和合作,致力打造成為中國本土優秀的具有自主知識產權的存儲芯片設計公司。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:創新領跑!東芯半導體獲選中國IC設計成就獎之年度最佳存儲器!

文章出處:【微信號:東芯半導體,微信公眾號:東芯半導體】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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