概述
ADMV7420 是一款完全集成的系統級封裝 (SiP) 同相/正交 (I/Q) 下變頻器，可在直流至 2 GHz 的中頻 (IF) 輸出范圍和 81 GHz 至 86 GHz 的射頻 (RF) 輸入范圍之間工作。該套件提供 10 dB 的小信號轉換增益，以及 30 dBc 的鏡像抑制。ADMV7420 在低噪聲放大器之后使用鏡像抑制混頻器，該混頻器由 6× 本地振蕩器 (LO) 放大器驅動。針對直接轉換應用提供差分 I 和 Q 混頻器輸出。或者，可以針對單端應用使用一個外部 90° 混合和兩個外部 180° 混合來組合輸出。

ADMV7420 采用完全集成的表面安裝 34 端子 11 mm × 13 mm 芯片陣列小外形無鉛腔面 (LGA_CAV) 封裝。ADMV7420 的外殼工作溫度范圍為 ?40°C 至 +85°C。
數據表：*附件：ADMV7420 E頻段低噪聲下變頻器SiP，81GHz至86GHz技術手冊.pdf

應用

• E 頻段通信系統
• 高容量無線回程
• 測試與測量
• 航空航天和防務

特性

• 轉換增益：10 dB（典型值）
• 鏡像抑制：30 dBc（典型值）
• 噪聲指數：5 dB（典型值）
• 輸入 IP3：1 dBm（典型值）
• 輸入 IP2：26 dBm（典型值）
• 輸入 P1dB：?5 dBm（典型值）
• RFIN 時的 6× LO 泄漏：
• I/Q 幅度不平衡：0.5 dB（典型值）
• I/Q 相位不平衡：5°（典型值）
• 完全集成的表面安裝 34 端子 11 mm × 13 mm LGA_CAV 封裝

框圖

引腳配置描述

接口示意圖

典型性能特征

應用信息

上電偏置順序

ADMV7420的功能模塊采用多個有源放大器和倍頻器級，均使用耗盡型贗配高電子遷移率晶體管（pHEMT）。為確保晶體管不被損壞，在設備的本振（LO）或中頻（IF）端口上施加射頻功率之前，請按照以下上電偏置順序操作，且不要違反該順序：

1. 給VG_MULT、VG_AMP、VG12_LNA和VG34_LNA施加 -2 V的偏置電壓。
2. 給VG_MIXER施加1 V的偏置電壓。
3. 給VD12_LNA施加2 V的偏置電壓。
4. 給VD_MULT施加1.5 V的偏置電壓。
5. 給VD_AMP和VD34_LNA施加4 V的偏置電壓。
6. 在 -2 V至0 V之間調整VG_AMP電壓，使**I_{VD_AMP}**的總電流達到175 mA。
7. 在 -2 V至0 V之間調整VG12_LNA電壓，使**I_{VD12_LNA}**的總電流達到22 mA。
8. 在 -2 V至0 V之間調整VG34_LNA電壓，使**I_{VD34_LNA}**的總電流達到44 mA。
9. 在LO端口上施加LO輸入信號，并在 -2 V至0 V之間調整VG_MULT電壓，使**I_{VD_MULT}**的總電流達到80 mA
   斷電順序

要關閉ADMV7420，請執行以下步驟：

1. 給VD_MULT、VD_AMP、VD12_LNA和VD34_LNA施加0 V的偏置電壓。
2. 給VG_MIXER施加0 V的偏置電壓。
3. 給VG_MULT、VG_AMP、VG12_LNA和VG34_LNA施加0 V的偏置電壓。
   布局

將ADMV7420底面的外露焊盤焊接到低導熱和低導電的接地平面上。該焊盤通常焊接到一個延伸到阻焊層的開孔處。將這些接地過孔連接到所有其他接地層，以最大程度地減少設備封裝的散熱。
圖73展示了用于連接ADMV7420的WR - 12波導開口的接口板上推薦的機械布局。推薦的印刷電路板（PCB）焊盤圖案輪廓如圖74所示。

典型應用電路