概述
HMC7586是一款集成E頻段的砷化鎵(GaAs)單芯片微波集成電路(MMIC)同相和正交(I/Q)下變頻器芯片，工作頻率范圍為71 GHz至76 GHz。 HMC7586在整個(gè)頻段內(nèi)提供12.5 dB小信號(hào)轉(zhuǎn)換增益和28 dBc鏡像抑制性能。 該器件采用低噪聲放大器，后接由6倍倍頻器驅(qū)動(dòng)的圖像抑制混頻器。

該鏡像抑制混頻器使得低噪聲放大器之后無(wú)需使用濾波器。 可針對(duì)直接變頻應(yīng)用提供差分I和Q混頻器輸出。 或者，可利用外部90°混合型器件和兩個(gè)外部180°混合型器件將輸出合并，以實(shí)現(xiàn)單邊帶應(yīng)用。 所有數(shù)據(jù)包括IF端口上1 mil金線焊的效應(yīng)。
數(shù)據(jù)表：*附件：HMC7586 71GHz至76GHz，E頻段I Q下變頻器技術(shù)手冊(cè).pdf

應(yīng)用

• E頻段通信系統(tǒng)
• 高容量無(wú)線回程
• 測(cè)試與測(cè)量

特性

• 轉(zhuǎn)換增益： 12.5 dB（典型值）
• 鏡像抑制： 28 dBc（典型值）
• 噪聲系數(shù)： 5 dB（典型值）
• 針對(duì)1 dB壓縮(P1dB)的輸入功率： -9 dBm（典型值）
• 輸出三階交調(diào)截點(diǎn)(IP3)： -1 dBm（典型值）
• 輸出二階交調(diào)截點(diǎn)(IP2)： 20 dBm（典型值）
• RFIN上6倍本振(LO)泄漏： -40 dBm（典型值）
• IFOUT上1倍LO泄漏： -50 dBm（典型值）
• 射頻(RF)回波損耗： 5 dB（典型值）
• LO回?fù)p： 20 dB（典型值）
• 裸片尺寸： 3.599 mm × 2.199 mm × 0.05 mm

框圖

引腳配置描述

接口示意圖

典型性能特征

工作原理

HMC7586 是一款基于砷化鎵（GaAs）的低噪聲 I/Q 下變頻器，集成了本振（LO）緩沖器和一個(gè) 6 倍頻器。下變頻器電路的功能框圖見(jiàn)圖 210。

射頻（RF）輸入在內(nèi)部進(jìn)行交流耦合，并匹配到 50 Ω。輸入級(jí)對(duì)射頻輸入信號(hào)進(jìn)行低噪聲放大。經(jīng)過(guò)放大的射頻輸入信號(hào)隨后被分割并驅(qū)動(dòng)兩個(gè)平衡無(wú)源混頻器。正交本振信號(hào)驅(qū)動(dòng)兩個(gè) I 和 Q 混頻器核心。本振路徑提供一個(gè) 6 倍頻器，允許使用較低頻率范圍的本振輸入信號(hào)，通常在 11.83 GHz 和 14.33 GHz 之間。該 6 倍頻器通過(guò)級(jí)聯(lián)一個(gè) 3 倍頻器和一個(gè) 2 倍頻器來(lái)實(shí)現(xiàn)。本振緩沖放大器被納入設(shè)計(jì)中，以提供典型的 2 dBm 本振驅(qū)動(dòng)電平用于全功率運(yùn)行。

毫米波砷化鎵單片微波集成電路（GaAs MMIC）的安裝和鍵合技術(shù)

使用共晶法或?qū)щ娔z將芯片直接連接到接地層。

為將射頻信號(hào)引入和引出芯片，使用50 Ω微帶傳輸線連接到0.127毫米（5密耳）厚的氧化鋁薄膜基板上（見(jiàn)圖214）。

為盡量縮短鍵合線長(zhǎng)度，應(yīng)將微帶基板盡可能靠近芯片放置。典型的芯片與基板間距為0.076至0.152毫米（3至6密耳）。
一般操作注意事項(xiàng)

僅使用真空吸嘴或鋒利的細(xì)尖鑷子夾住芯片邊緣。由于芯片表面脆弱，請(qǐng)勿用真空吸嘴、鑷子或手指觸碰芯片表面。
安裝

芯片背面有金屬化層，可以使用金/錫（AuSn）共晶焊片，或使用具有導(dǎo)電性和粘合性的導(dǎo)電膠進(jìn)行芯片貼裝。
共晶芯片貼裝

最好使用含80%錫/20%金的共晶焊片，工作表面溫度為255°C，工具溫度為265°C。當(dāng)施加含90%氮和10%氫的混合氣體時(shí)，保持工具頭溫度為290°C。請(qǐng)勿將芯片暴露在高于320°C的溫度下超過(guò)20秒。貼裝時(shí)擦拭時(shí)間不超過(guò)3秒。

導(dǎo)電膠芯片貼裝

推薦使用ABLEBOND 84-1LMIT進(jìn)行芯片貼裝。在安裝表面涂上最少的膠水，確保在放置芯片后，芯片周邊有一層薄薄的膠水。按照制造商提供的固化時(shí)間表對(duì)膠水進(jìn)行固化。

操作注意事項(xiàng)

為避免永久性損壞，請(qǐng)遵循以下注意事項(xiàng)：

• 存儲(chǔ) ：將裸芯片存放在晶圓盒或基于凝膠的靜電保護(hù)容器中，密封在靜電保護(hù)袋內(nèi)。打開(kāi)靜電保護(hù)袋后，將所有芯片存放在干燥氮?dú)猸h(huán)境中。
• 清潔度 ：在潔凈環(huán)境中操作芯片。切勿使用液體清潔系統(tǒng)清潔芯片。
• 靜電敏感性 ：遵循靜電防護(hù)措施，防止超過(guò)100 V的靜電沖擊。
• 瞬態(tài) ：在施加偏壓時(shí)，抑制儀器和偏壓電源的瞬態(tài)。為盡量減少感應(yīng)拾取，請(qǐng)使用屏蔽信號(hào)和偏壓線。

鍵合

射頻端口的鍵合推薦使用3密耳（0.0762毫米）× 0.5密耳（0.0127毫米）的金帶。中頻（IF）和本振（LO）端口推薦使用1密耳（0.0254毫米）直徑的金線進(jìn)行重新鍵合。這些鍵合采用40至60克的熱超聲鍵合壓力。推薦使用1密耳（0.0254毫米）直徑的熱超聲鍵合球鍵合。制作球鍵時(shí)壓力為40至50克，楔形鍵壓力為18至22克。在150°C的標(biāo)稱(chēng)鍵合溫度下制作所有鍵合。施加最少的超聲能量以實(shí)現(xiàn)可靠的鍵合。盡量使所有鍵合線越短越好，長(zhǎng)度小于12密耳（0.31毫米）。