在半導體芯片制造的微觀世界里，精度就是生命線，晶圓厚度測量的精準程度直接關聯著最終產品的性能優劣。而測量探頭的 “溫漂” 問題，宛如精密時鐘里的一粒微塵，雖小卻能攪亂整個測量體系的精準節奏。深入探究其產生根源以及帶來的連鎖影響，對于半導體產業的高質量發展至關重要。

一、“溫漂” 問題的產生緣由

1.環境溫度波動

半導體制造車間是一個復雜的熱環境生態。一方面，大量設備持續運行散發可觀熱量，如光刻機、刻蝕機等核心裝備，它們在長時間高強度工作過程中，猶如一個個 “小火爐”，讓車間局部溫度不斷攀升。另一方面，車間的通風、空調系統若無法實現精準的溫度均衡調控，外界氣候變化、人員進出帶來的冷熱氣流交換，都會導致車間整體溫度處于動態變化之中。對于高精度的測量探頭而言，哪怕是零點幾攝氏度的環境溫度起伏，都可能使其內部敏感元件的物理特性悄然改變，成為溫漂現象滋生的溫床。

2.探頭自身發熱

測量探頭在工作時并非完全 “冷靜”，基于電學原理運行的探頭，電流通過內部電路元件必然產生焦耳熱。以常見的電阻式測量探頭為例，當持續通電進行晶圓厚度測量時，電阻元件因自身特性會將電能轉化為熱能，隨著測量時間延長，熱量逐漸累積。同時，一些光學探頭中的光源部件，如激光發生器，在發光過程也會釋放熱量，改變光路系統周邊的溫度場。這些由探頭自身運行產生的熱量，若不能及時散發出去，就會在探頭內部形成局部高溫區域，引發關鍵部件的熱變形、熱膨脹等問題，進而誘發溫漂。

3.材料熱特性局限

目前市面上的測量探頭多采用多種材料復合構建，以滿足不同的測量需求。然而，大多數材料都難以擺脫熱脹冷縮的物理本性。例如，探頭中的金屬結構件，在溫度變化時，其原子間距會相應改變，宏觀上表現為尺寸的伸縮；光學鏡片常用的玻璃材質，溫度升高時，折射率會發生變化，導致光線傳播路徑偏離理想狀態。即便選用了相對低熱膨脹系數的材料，在納米級甚至更高精度要求的晶圓厚度測量場景下，這些材料熱特性帶來的細微變化依然足以引發顯著的測量誤差，成為溫漂現象的內在驅動因素。

二、對晶圓厚度測量的深遠影響

4.精度的 “慢性侵蝕”

在晶圓厚度以納米為度量單位的精細測量中，溫漂帶來的精度偏差不容小覷。如前文所述的環境溫度每波動 1℃，對于電容式測量探頭，其電容極板相關參數改變換算到晶圓厚度測量值，誤差可達數納米至數十納米。這意味著，原本符合工藝標準、厚度精準控制在極小公差范圍內的晶圓，可能因溫漂被誤判為厚度不合格，反之亦然。這種誤判不僅浪費寶貴的晶圓材料，更會打亂后續一系列精細加工工序的精準節奏，使芯片良品率大打折扣。

5.測量穩定性 “搖搖欲墜”

半導體制造往往涉及對同一片晶圓不同位置或同一批次大量晶圓的連續測量。溫漂問題若得不到有效遏制，測量穩定性將遭受重創。由于車間溫度的自然起伏以及探頭自身發熱的不確定性，測量數據會毫無規律地跳動。工程師上午測得一組看似穩定的晶圓厚度數據，到下午隨著溫度升高，溫漂加劇，新測量的數據可能整體偏離上午的結果，標準差急劇增大。如此不穩定的測量輸出，讓工藝人員難以準確判斷晶圓厚度的一致性，無法精準把控工藝參數，給芯片制造過程中的質量管控蒙上厚重陰影。

6.長期可靠性 “隱憂重重”

從長期視角審視，溫漂猶如一顆定時炸彈，威脅著測量探頭及整個測量系統的壽命與可靠性。頻繁的溫度變化致使探頭材料反復熱脹冷縮，加速內部機械結構的磨損，電子元件的老化速度也遠超正常水平。長此以往，探頭不僅溫漂問題愈發棘手，還極易出現硬件故障，頻繁停機維修，大幅增加設備維護成本。更為致命的是，基于不準確的溫漂數據持續調整晶圓加工工藝，會像蝴蝶效應一般，在整個半導體制造流程中引發諸如蝕刻不均勻、薄膜沉積失控等一系列災難性后果，最終侵蝕芯片的電學性能、穩定性等核心競爭力，讓產品在市場浪潮中黯然失色。

綜上所述，測量探頭的 “溫漂” 問題根源復雜，影響深遠。唯有從優化車間環境溫度調控、改進探頭散熱設計、研發新型熱穩定材料以及運用智能算法補償等多維度協同發力，才能斬斷溫漂這只 “精度黑手”，護航晶圓厚度測量的精準航道，助力半導體產業乘風破浪駛向更高峰。

三、高通量晶圓測厚系統

高通量晶圓測厚系統以光學相干層析成像原理，可解決晶圓/晶片厚度TTV（Total Thickness Variation，總厚度偏差）、BOW（彎曲度）、WARP（翹曲度），TIR（Total Indicated Reading 總指示讀數，STIR（Site Total Indicated Reading 局部總指示讀數），LTV（Local Thickness Variation 局部厚度偏差）等這類技術指標。

高通量晶圓測厚系統，全新采用的第三代可調諧掃頻激光技術，相比傳統上下雙探頭對射掃描方式；可一次性測量所有平面度及厚度參數。

1，靈活適用更復雜的材料，從輕摻到重摻 P 型硅 (P++)，碳化硅，藍寶石，玻璃，鈮酸鋰等晶圓材料。

重摻型硅（強吸收晶圓的前后表面探測）

粗糙的晶圓表面，（點掃描的第三代掃頻激光，相比靠光譜探測方案，不易受到光譜中相鄰單位的串擾噪聲影響，因而對測量粗糙表面晶圓）

低反射的碳化硅(SiC)和鈮酸鋰(LiNbO3)；（通過對偏振效應的補償，加強對低反射晶圓表面測量的信噪比）

絕緣體上硅（SOI)和MEMS，可同時測量多 層 結 構，厚 度 可 從μm級到數百μm 級不等。

可用于測量各類薄膜厚度，厚度最薄可低至 4 μm ，精度可達1nm。

2，可調諧掃頻激光的“溫漂”處理能力，體現在極端工作環境中抗干擾能力強，充分提高重復性測量能力。

采用第三代高速掃頻可調諧激光器，一改過去傳統SLD寬頻低相干光源的干涉模式，解決了由于相干長度短，而重度依賴“主動式減震平臺”的情況。卓越的抗干擾，實現小型化設計，同時也可兼容匹配EFEM系統實現產線自動化集成測量。

3，靈活的運動控制方式，可兼容2英寸到12英寸方片和圓片測量。