動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-03-03 13:29

  除了邁克爾遜干涉和Linnik型干涉外，常見(jiàn)的干涉設(shè)計(jì)還有哪些？

  

  除了邁克爾遜干涉和Linnik型干涉外，常見(jiàn)的干涉設(shè)計(jì)還有多種，以下是一些主要的類(lèi)型： 馬赫-增德?tīng)枺∕ach-Zehnder）干涉： 原理：通過(guò)分束器將一束光分成兩束，這兩束光分別在不同的路徑中傳播，然后再通過(guò)另一個(gè)分束器重新組合。由于兩束光在傳播過(guò)程中可能經(jīng)歷不同的光程，因此會(huì)產(chǎn)生干涉現(xiàn)象。 應(yīng)用：馬赫-增德?tīng)柛缮鎯x常用于透射樣本的測(cè)量，如生物樣本、全息

  測(cè)量 白光干涉儀

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• 發(fā)布了文章 2025-02-24 14:23

  去除碳化硅外延片揭膜后臟污的清洗方法

  

  引言 碳化硅（SiC）作為新一代半導(dǎo)體材料，因其出色的物理和化學(xué)特性，在功率電子、高頻通信、高溫及輻射環(huán)境等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。然而，在SiC外延片的制備過(guò)程中，揭膜后的臟污問(wèn)題一直是影響外延片質(zhì)量和后續(xù)器件性能的關(guān)鍵因素。臟污主要包括顆粒物、有機(jī)物、無(wú)機(jī)化合物以及重金屬離子等，它們可能來(lái)源于外延生長(zhǎng)過(guò)程中的反應(yīng)副產(chǎn)物、空氣中的污染物或處理過(guò)程中的殘留

  半導(dǎo)體材料 外延片 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2025-02-11 14:39

  SiC外延片的化學(xué)機(jī)械清洗方法

  

  引言 碳化硅（SiC）作為一種高性能的半導(dǎo)體材料，因其卓越的物理和化學(xué)性質(zhì)，在電力電子、微波器件、高溫傳感器等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。然而，在SiC外延片的制造過(guò)程中，表面污染物的存在會(huì)嚴(yán)重影響外延片的質(zhì)量和性能。因此，采用高效的化學(xué)機(jī)械清洗方法，以徹底去除SiC外延片表面的污染物，成為保證外延片質(zhì)量的關(guān)鍵步驟。本文將詳細(xì)介紹SiC外延片的化學(xué)機(jī)械清洗方法

  SiC 半導(dǎo)體 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2025-02-11 09:43

  繼經(jīng)典邁克爾遜干涉后的零差式激光干涉技術(shù)的出現(xiàn)

  

  零差式激光干涉技術(shù)是在經(jīng)典邁克爾遜干涉原理的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的一種高精度測(cè)量技術(shù)。以下是對(duì)這一技術(shù)的詳細(xì)介紹： 一、經(jīng)典邁克爾遜干涉原理 邁克爾遜干涉儀是一種利用分振幅法產(chǎn)生雙光束以實(shí)現(xiàn)干涉的光學(xué)儀器，它是最著名的干涉儀之一，為光學(xué)干涉測(cè)量中各類(lèi)干涉儀的原型。其原理主要是利用兩束相干光波在空間某點(diǎn)相遇時(shí)相互疊加，形成穩(wěn)定的明暗相間的干涉條紋，當(dāng)被測(cè)物體發(fā)生移動(dòng)

  測(cè)量 激光干涉儀 白光干涉儀

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• 發(fā)布了文章 2025-02-10 11:28

  外差式激光干涉和零差式激光干涉的區(qū)別

  

  外差式激光干涉和零差式激光干涉是兩種不同的激光干涉測(cè)量技術(shù)，它們?cè)诠ぷ髟怼⑻攸c(diǎn)和應(yīng)用方面存在顯著的差異。以下是對(duì)這兩種技術(shù)的詳細(xì)比較： 一、工作原理 外差式激光干涉 外差式激光干涉儀又稱(chēng)雙頻干涉儀或交流干涉儀，其工作原理是利用兩種不同頻率的單色光作為測(cè)量光束和參考光束。 通過(guò)光電探測(cè)器的混頻，輸出差頻信號(hào)，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)被測(cè)物體的精確測(cè)量。 零差式激光干涉 零

  3D 測(cè)量 白光干涉儀

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• 發(fā)布了文章 2025-02-10 09:35

  有效抑制SiC外延片掉落物缺陷生成的方法

  

  引言 碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料，因其出色的物理和化學(xué)特性，在功率電子、高頻通信及高溫環(huán)境等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。然而，在SiC外延生長(zhǎng)過(guò)程中，掉落物缺陷（如顆粒脫落、乳凸等）一直是影響外延片質(zhì)量和器件性能的關(guān)鍵因素。這些缺陷不僅會(huì)降低外延片的良品率，還可能對(duì)后續(xù)器件的可靠性產(chǎn)生嚴(yán)重影響。因此，有效抑制SiC外延片掉落物缺陷的生成，對(duì)于提升Si

  SiC 半導(dǎo)體 晶圓

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• 發(fā)布了文章 2025-02-08 14:24

  白光干涉儀的膜厚測(cè)量模式原理

  

  白光干涉儀的膜厚測(cè)量模式原理主要基于光的干涉原理，通過(guò)測(cè)量反射光波的相位差或干涉條紋的變化來(lái)精確計(jì)算薄膜的厚度。以下是該原理的詳細(xì)解釋?zhuān)?一、基本原理 當(dāng)光線(xiàn)照射到薄膜表面時(shí)，部分光線(xiàn)會(huì)在薄膜表面反射，形成表面反射光；另一部分光線(xiàn)會(huì)穿透薄膜，在薄膜與基底的界面上反射，然后再次穿過(guò)薄膜返回，形成內(nèi)部反射光。這兩束反射光在空間中相遇時(shí)，如果它們的相位差是2π的整

  測(cè)量 白光干涉儀

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• 發(fā)布了文章 2025-02-08 09:45

  應(yīng)力消除外延生長(zhǎng)裝置及外延生長(zhǎng)方法

  

  引言 在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，碳化硅（SiC）因其出色的物理和化學(xué)特性，如高硬度、高熱導(dǎo)率、高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度等，成為制造高功率、高頻電子器件的理想材料。然而，在大尺寸SiC外延生長(zhǎng)過(guò)程中，襯底應(yīng)力問(wèn)題一直是影響外延片質(zhì)量和性能的關(guān)鍵因素。為了克服這一問(wèn)題，應(yīng)力消除外延生長(zhǎng)裝置及外延生長(zhǎng)方法應(yīng)運(yùn)而生。本文將詳細(xì)介紹這種裝置和方法的工作原理、技術(shù)特點(diǎn)以及應(yīng)用前景。 應(yīng)力

  SiC 半導(dǎo)體 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2025-02-07 15:11

  白光干涉儀的光譜干涉模式原理

  

  白光干涉儀的光譜干涉模式原理主要基于光的干涉和光譜分析。以下是對(duì)該原理的詳細(xì)解釋?zhuān)?一、基本原理 白光干涉儀利用干涉原理測(cè)量光程之差，從而測(cè)定有關(guān)物理量。在光譜干涉模式中，白光作為光源，其發(fā)出的光經(jīng)過(guò)擴(kuò)束準(zhǔn)直后，通過(guò)分光棱鏡等光學(xué)元件被分成兩束相干光。一束光經(jīng)被測(cè)表面反射回來(lái)，另一束光經(jīng)參考鏡反射。兩束反射光最終匯聚并發(fā)生干涉，形成干涉條紋。 二、光譜干涉的

  測(cè)量 白光干涉儀

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• 發(fā)布了文章 2025-02-07 09:55

  碳化硅外延晶片硅面貼膜后的清洗方法

  

  引言 碳化硅（SiC）外延晶片因其卓越的物理和化學(xué)特性，在功率電子、高頻通信、高溫傳感等領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用。在SiC外延晶片的制備過(guò)程中，硅面貼膜是一道關(guān)鍵步驟，用于保護(hù)外延層免受機(jī)械損傷和污染。然而，貼膜后的清洗過(guò)程同樣至關(guān)重要，它直接影響到外延晶片的最終質(zhì)量和性能。本文將詳細(xì)介紹碳化硅外延晶片硅面貼膜后的清洗方法，包括其重要性、常用清洗步驟、所用化學(xué)試劑及

  半導(dǎo)體 晶片 碳化硅

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