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新品 | 3300V,1200A IGBT4 IHV B模塊

英飛凌工業半導體 ? 2025-01-02 17:41 ? 次閱讀

新品

3300V,1200A IGBT4 IHV B模塊

b24aa1c8-c8ed-11ef-9434-92fbcf53809c.png

知名的IHV B 3.3kV單開關IGBT模塊經過了重大改進,以滿足牽引和工業應用(如中壓傳動或HVDC)當前和未來的要求。

最新推出的產品組合類型是經過優化的IGBT和二極管比率,FZ1200R33HE4D_B9足以取代英飛凌和競爭對手的1500A 3.3kV單開關。

它采用TRENCHSTOP IGBT4和發射極可控EC4二極管,具有更強的功率循環能力,標準封裝為IHV B 190x140mm2。

與前幾代產品相比,客戶可以輕松切換,同時節省成本。

產品型號:

■FZ1200R33HE4D_B9

產品特點

高短路能力

開關損耗低

低VCEsat

Tvj op max=150°C

無與倫比的動態魯棒性

火災和煙霧EN45545 R22、R23:HL3

CTI>600

與最先進型號比有2倍功率循環

用于發電工況的擴大二極管

矩形RBSOA

應用價值

2xPC,可實現200%的使用壽命或在相同壽命下,實現110%的輸出功率或8K溫度余量

故障電流RBSOA高達3000A

性能與任何1500A 3.3kV相同

與190x140毫米模塊1:1尺寸互換

在惡劣環境條件下的使用壽命為30年

競爭優勢

與IGBT3 3.3kV競爭類型相比200%功率循環,可在大多數應用中實現200%的使用壽命,或在相同使用壽命內實現110%的輸出功率,或在相同使用壽命內增加8K溫度余量

足以替代任何1500A 3.3kV型產品

比IGBT3便宜10%

應用領域

機車牽引

工業驅動器

輸配電

CAV

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