新品 | CoolSiC? MOSFET 650V G2，7mΩ，采用TO247和TO247-4封裝
新品
CoolSiC MOSFET 650V G2，
7mΩ，采用TO247和TO247-4封裝
CoolSiC MOSFET 650V G2，7mΩ，采用TO-247和TO-247-4 4引腳封裝，以第1代技術的優勢為基礎，加快了系統設計的成本優化，實現高效、緊湊和可靠解決方案。CoolSiC MOSFET第2代在硬開關工況和軟開關拓撲的關鍵性能指標上都有顯著改進，適用于所有常見的系統設計。交流-直流、直流-直流和直流-交流電路及其組合。
產品型號：
■IMW65R007M2H
■IMZA65R007M2H
產品特點
優異的性能指標（FOM）
個位數RDS(on）
堅固耐用，整體質量高
靈活的驅動電壓范圍
支持單電源驅動，VGS（off）=0
避免誤開通
.XT技術改進封裝互聯
應用價值
節省物料清單
最大限度地提高單位成本的系統性能
最高可靠性
實現最高效率和功率密度
易于使用
與現有供應商完全兼容
允許無需風扇或無散熱器設計
競爭優勢
開關損耗極低
標桿性柵極閾值電壓，VGS(th)=4.5V
柵極關斷電壓為0V，可抵御寄生導通
驅動電壓靈活，與正負電源驅動兼容
用于硬換流的堅固體二極管
.XT互聯技術可實現同類最佳的散熱性能
競爭優勢
光伏逆變器
儲能系統
UPS
電動汽車充電
電機驅動
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