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MS1205N——激光測(cè)距用高精度時(shí)間測(cè)量(TDC)電路

王子文 ? 來源:jf_30348363 ? 作者:jf_30348363 ? 2024-10-21 17:58 ? 次閱讀

產(chǎn)品簡述

MS1205N 是一款高精度時(shí)間測(cè)量(TDC)電路,具有四通

wKgZomcVy3uAZiT4AABu-RlLX1c247.png

道、多脈沖的采樣能力、高速 SPI 通訊、多種測(cè)量模式,適合

于激光雷達(dá)和激光測(cè)距。

主要特點(diǎn)

? 單精度模式 60ps

? 雙精度模式 30ps

? 非校準(zhǔn)測(cè)量范圍 3.5ns(0ns)至 25μs

? 單精度校準(zhǔn)測(cè)量范圍 3.5ns(0ns)至 16μs

? 雙精度校準(zhǔn)測(cè)量范圍 3.5ns(0ns)至 4μs

? 20ns 最小脈沖間隔,四通道最多可接收 40 個(gè)脈沖

? 4 線 SPI 通信接口

? 工作電壓 2.5V 至 3.6V

? 工作溫度-40°C 至+125°C

? QFN40 封裝

應(yīng)用

? 激光雷達(dá)

? 激光測(cè)距

? 脈沖測(cè)量

產(chǎn)品規(guī)格分類

wKgaomcVy5OAT4zhAAAjFVfUD_M044.png

管腳圖

wKgZomcVy62AIfKsAAEjk7zO2e0948.png

管腳說明

wKgZoWcXT4iAXOacAAH8QnbxvGI648.png

wKgaoWcXT5qAPwfqAAEGMRNksOA823.png

內(nèi)部框圖

wKgaoWcXT62ATHBPAAELVN2zkYE757.png

極限參數(shù)

芯片使用中,任何超過極限參數(shù)的應(yīng)用方式會(huì)對(duì)器件造成永久的損壞,芯片長時(shí)間處于極限工作

狀態(tài)可能會(huì)影響器件的可靠性。極限參數(shù)只是由一系列極端測(cè)試得出,并不代表芯片可以正常工作在

此極限條件下。

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推薦工作條件

沒有特別規(guī)定,環(huán)境溫度為 Ta = 25°C ±2°C 。

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*包括晶振管腳 XIN, XOUT

電氣參數(shù)

直流特性

Vcc = Vdd = 3.0 V, Tj = -40 到 +85°C。

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如有需求請(qǐng)聯(lián)系——三亞微科技 王子文(16620966594)

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功能描述

1. SPI接口

MS1205N 有 2 個(gè) SPI 接口,分別控制 1# 和 2#,SPI 接口是與 4 線制 SPI 兼容的,它需要一個(gè) Serial

Select Not(SSN)信號(hào),因此不能工作在 3-線制 SPI 接口。

SSN 的下降沿或者第一個(gè) SCK 的上升沿將會(huì)復(fù)位 INTN 管腳(中斷管腳)狀態(tài)。

從最高位(MSB)開始傳輸,以最低位(LSB)結(jié)束。傳輸是以字節(jié)方式完成的。通過給 SSN 發(fā)送一個(gè)

LOW-HIGH-LOW 的電平,數(shù)據(jù)傳輸可以在每個(gè)字節(jié)后停止。

wKgZoWcXUHaACmmfAAHwPRzvdpc195.png

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4. 電源電壓

為了達(dá)到最佳測(cè)量效果,好的電源非常重要。電源應(yīng)該具有高電容性和低電感性。MS1205N 提供

兩對(duì)電源供應(yīng)端口:VCC - I/O 供電電壓 ,VDD - 內(nèi)核供電電壓。

所有的 Ground 引腳都應(yīng)該連接到印刷電路板的地層上。 VCC 和 VDD 應(yīng)該通過一個(gè)電池或者固定

的線性電壓調(diào)節(jié)器給出。不要應(yīng)用開關(guān)式的調(diào)節(jié)器,避免由于 IO 電壓引起的干擾。

時(shí)間數(shù)字轉(zhuǎn)換器能夠有好的測(cè)量效果,完全取決于好的電源供電。芯片測(cè)量主要是脈沖式的電

流,因此雙通濾波非常重要:VCC 47 μF(最小 22 μF),VDD 100 μF(最小 22 μF)。

電壓應(yīng)該通過一個(gè)模擬的調(diào)節(jié)器給出,推薦不要使用開關(guān)式的電壓調(diào)節(jié)。

5. 操作碼及寄存器

5.1 配置寄存器

MS1205N 有 2×1 組 32 位的配置寄存器,分別對(duì)應(yīng) 1#和 2#的寄存器設(shè)置。

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如有需求請(qǐng)聯(lián)系——三亞微科技 王子文(16620966594)

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6. 時(shí)間測(cè)量

6.1. 概述

非校準(zhǔn)模式測(cè)量范圍,從 3.5ns 到 25μs(0-25μs 在兩個(gè) stop 通道之間測(cè)量)。

校準(zhǔn)模式單精度測(cè)量范圍,從 3.5ns 到 16μs(0-16μs 在兩個(gè) stop 通道之間測(cè)量)。

校準(zhǔn)模式雙精度測(cè)量范圍,從 3.5ns 到 4μs(0-4μs 在兩個(gè) stop 通道之間測(cè)量)。

單精度模式典型精度為 60ps,2 個(gè) stop 通道相對(duì)于 start 通道。

雙精度模式典型精度為 30ps,僅 stop1 通道相對(duì)應(yīng) start 通道。

內(nèi)置特殊防抖技術(shù),使測(cè)量時(shí)間高度精準(zhǔn)。

20ns 的脈沖之間最小間隔。

四個(gè) stop 通道可同時(shí)采集,且每個(gè) stop 通道最多 10 個(gè)脈沖。

每個(gè) stop 通道可選擇上升或下降沿捕獲,或者選擇上升和下降沿同時(shí)捕獲。

自動(dòng)測(cè)量 START 和 STOP 脈沖之間的時(shí)間間隔,無需再進(jìn)行寄存器設(shè)置。

可任意設(shè)置溢出時(shí)間,從而減少高速測(cè)量時(shí)溢出時(shí)間等待。

在非校準(zhǔn)模式下,可以任意測(cè)量比預(yù)期脈沖數(shù)少的脈沖。

典型應(yīng)用: 激光測(cè)距、激光雷達(dá)、脈沖測(cè)量。

6.2. 高精度時(shí)間測(cè)量原理

數(shù)字式 TDC 運(yùn)用內(nèi)部的邏輯門延時(shí)來進(jìn)行高精度的時(shí)間間隔的測(cè)量,下圖闡述了這種絕對(duì)時(shí)間

TDC 的測(cè)量原理結(jié)構(gòu)。該電路結(jié)構(gòu)確保電路通過特殊的測(cè)量方法,使信號(hào)通過邏輯門的時(shí)間可以非常

精確。最高的測(cè)量精度完全取決于內(nèi)部通過邏輯門的傳播時(shí)間。

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時(shí)間測(cè)量是通過一個(gè) start 信號(hào)觸發(fā),經(jīng)過內(nèi)部防抖處理后,TDC 的門電路開始高速計(jì)數(shù),直到

stop 信號(hào)產(chǎn)生記錄計(jì)數(shù)結(jié)果,達(dá)到 STOP 預(yù)期脈沖數(shù)后停止計(jì)數(shù)。

3.3V 和 25°C 時(shí),MS1205N 的單精度最小分辨率是 60ps。溫度和電壓對(duì)門電路的傳播延時(shí)時(shí)間有

很大的影響。通常是通過校準(zhǔn)來補(bǔ)償由溫度和電壓變化而引起的誤差。在校準(zhǔn)過程中,TDC 測(cè)量 0.5

個(gè)和 1.5 個(gè)時(shí)鐘周期,相減后得一個(gè)時(shí)鐘周期的 TDC 計(jì)數(shù)結(jié)果,即為校準(zhǔn)值。測(cè)量范圍受計(jì)數(shù)器大小

的限制,以下是非校準(zhǔn)模式下的最大測(cè)量范圍:tyy = 60 ps x 442368 ≈ 25 μs。

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每一個(gè)輸入端均可以被單獨(dú)設(shè)置成上升沿、下降沿或上下沿同時(shí)觸發(fā)有效。可通過設(shè)置寄存器的

bit8-10 位(EG_START,NEG_STOP1,NEG_STOP2)和寄存器的 bit0-1 位(REFDGEx) 來選擇觸發(fā)沿。

時(shí)間測(cè)量結(jié)束后,MS1205N 會(huì)自動(dòng)將各個(gè)脈沖的測(cè)量結(jié)果順序?qū)懙较鄳?yīng)的結(jié)果寄存器,無需再進(jìn)

行寄存器操作設(shè)置。在計(jì)算結(jié)果的過程中,先計(jì)算 STOP1 通道的脈沖,然后計(jì)算 STOP2 通道的脈沖,

所以當(dāng)使用單通道時(shí),必須使用 STOP1。

6.3. 非校準(zhǔn)時(shí)間測(cè)量

6.3.1 非校準(zhǔn)時(shí)間測(cè)量概述

非校準(zhǔn)時(shí)間測(cè)量,實(shí)際上就是應(yīng)用數(shù)字式 TDC 內(nèi)部的邏輯門延時(shí)來實(shí)現(xiàn)高精度時(shí)間測(cè)量,非校準(zhǔn)

模式下的最大測(cè)量范圍是 3.5ns-25μs。單精度模式下,可以同時(shí)測(cè)量兩個(gè) STOP 通道,且每個(gè)通道最多

可以測(cè)量 10 個(gè) STOP 脈沖。雙精度模式下,僅可以使用 STOP1 通道。

非校準(zhǔn)時(shí)間測(cè)量過程中,無需高速時(shí)鐘參與,所以可以通過寄存器設(shè)置來關(guān)閉高速時(shí)鐘

(START_CLKHS=0)。在該模式下,測(cè)量速度最快,結(jié)果寄存器直接輸出門延時(shí)個(gè)數(shù)。在非校準(zhǔn)模式下,

結(jié)果寄存器有效位為 20 位,測(cè)量時(shí)間計(jì)算如下,該測(cè)量時(shí)間受溫度和電壓影響。

測(cè)量時(shí)間=RES_X × 60ps (DOUBLE_RES=0)

測(cè)量時(shí)間=RES_X × 30ps (DOUBLE_RES=1)

非校準(zhǔn)模式下也可以實(shí)現(xiàn)時(shí)間測(cè)量和 CAL 值的同時(shí)測(cè)量,在該模式下,需要開啟高速時(shí)鐘

(START_CLKHS=1)和開啟自動(dòng)校準(zhǔn)(NO_CAL_AUTO=0),這樣就會(huì)在測(cè)量時(shí)間的同時(shí),產(chǎn)生一個(gè) Tref× N 周

期的門延時(shí)個(gè)數(shù),然后將 CAL 值 RES_Tref 存在指定的結(jié)果寄存器中。測(cè)量時(shí)間如下計(jì)算,該測(cè)量時(shí)間

和溫度和電壓無關(guān),僅和高速時(shí)鐘抖動(dòng)有關(guān)。

測(cè)量時(shí)間=RES_X/RES_Tref×Tref× N, N = 1,2,4,8

非校準(zhǔn)模式測(cè)量溢出,當(dāng)溢出時(shí)間功能關(guān)閉(EN_SEL_TIMO=0)的情況下,溢出時(shí)間相當(dāng)于 TDC 溢

出,也就是要 25μs 后產(chǎn)生溢出,并且狀態(tài)寄存器 Bit13=1(TDC 溢出);當(dāng)溢出時(shí)間功能開啟

(EN_SEL_TIMO=1)的情況下,溢出時(shí)間由溢出時(shí)間選擇(SEL_TIMO)進(jìn)行設(shè)置,溢出時(shí)間僅和高速時(shí)鐘相

關(guān),不受時(shí)鐘分頻(DIV_CLKHS)的影響。例如,高速時(shí)鐘為 8MHz,SEL_TIMO=0 的情況下,溢出時(shí)間為

125ns,溢出時(shí)狀態(tài)寄存器 Bit14=1(時(shí)間溢出)。

非校準(zhǔn)模式下,當(dāng)測(cè)量脈沖個(gè)數(shù)小于預(yù)期脈沖個(gè)數(shù)時(shí),可以正常輸出測(cè)量脈沖的值,雖然這時(shí)狀

態(tài)寄存器溢出,但測(cè)量到的脈沖的產(chǎn)生的結(jié)果是正確的,這種應(yīng)用可以解決在測(cè)距過程中多個(gè)不定目

標(biāo)的問題。

6.3.2 寄存器設(shè)置

主要的設(shè)置為:

(1)選擇測(cè)量預(yù)期脈沖個(gè)數(shù)

寄存器 bit 31-28 設(shè)置 STOP2 預(yù)期脈沖個(gè)數(shù) HITIN2=0 或者 2-B;

寄存器 bit 27-24 設(shè)置 STOP1 預(yù)期脈沖個(gè)數(shù) HITIN1=2-B,不能設(shè)置為 0;否則無法開啟測(cè)量。

(2)選擇測(cè)量精度

寄存器 bit 18, DOUBLE_RES = 1 選擇雙精度模式,測(cè)量精度為典型 30ps,但僅有一個(gè) stop 通道

可用。DOUBLE_RES = 0 選擇單精度模式,測(cè)量精度為典型 60ps,這時(shí)兩個(gè) stop 通道都可用。

(3)校準(zhǔn)選擇

在非校準(zhǔn)模式下,校準(zhǔn)將關(guān)閉,寄存器 bit 13 CALIBRATE=0;

(4)產(chǎn)生 CAL 值

在非校準(zhǔn)模式下,可以選擇產(chǎn)生 CAL 值和不產(chǎn)生 CAL 值,寄存器 bit 12 NO_CAL_AUTO=0 時(shí),產(chǎn)

生 CAL 值,NO_CAL_AUTO=1 時(shí),不產(chǎn)生 CAL 值。

(5)溢出選擇

在非校準(zhǔn)模式下,寄存器 bit 7 EN_SEL_TIMO=0 溢出時(shí)間關(guān)閉,這時(shí),溢出時(shí)間為 TDC 溢出。當(dāng)

EN_SEL_TIMO=1 時(shí),開啟溢出時(shí)間,且溢出時(shí)間和寄存器 bit 23-22 SEL_TIMO 設(shè)置有關(guān)。

(6)選擇輸入觸發(fā)方式

可通過設(shè)置寄存器的 Bit 8-10(NEG_X),在每一個(gè)輸入端口(Start,Stop1,Stop2)選擇邊沿觸發(fā)方式。

當(dāng) RFEDGE=0 時(shí),NEG_X=0 則上升沿觸發(fā),NEG_X=1 則下降沿觸發(fā)。還可以通過設(shè)置寄存器的

Bit0&1(REFDGE1 & FEDGE2),選擇 STOP 是由上升沿或下降沿單獨(dú)觸發(fā)(RFEDGE=0),還是上升沿和下

降沿同時(shí)觸發(fā)(RFEDGE=1)。當(dāng) RFEDGE=1 時(shí),Bit 9-10 選擇無效。

(7)中斷

中斷引腳 INTN 可以有不同的中斷源,在寄存器的 Bits4-6(EN_INT)中進(jìn)行選擇,非校準(zhǔn)模式選擇

bit 6 = 1 和 bit 5= 1;

Reg bit 4 = 1 ALU 已經(jīng)準(zhǔn)備好

Reg bit 5 = 1 預(yù)期脈沖個(gè)數(shù)全部被接收到

Reg bit 6 = 1 測(cè)量時(shí)間溢出

6.3.3 測(cè)量流程

wKgZomcXUyaAIfx9AAFemjVzHKk836.png

wKgaomcXU0eAdwxDAAFE7fNu93Y602.png

6.4 校準(zhǔn)時(shí)間測(cè)量

注:校準(zhǔn)測(cè)量單精度最大測(cè)量范圍 16μs,雙精度最大測(cè)量范圍 4μs。

6.4.1 校準(zhǔn)時(shí)間測(cè)量概述

在高速振蕩器開啟情況下進(jìn)行校準(zhǔn)時(shí)間測(cè)量,測(cè)量的門延時(shí)數(shù)量和 Tref 門延時(shí)數(shù)量通過 ALU 進(jìn)行

計(jì)算并輸出到結(jié)果寄存器。輸出的結(jié)果為 24 位浮點(diǎn)數(shù),高 8 位為整數(shù)位,低 16 位為小數(shù)位。校準(zhǔn)模

式下的最大測(cè)量范圍是 3.5ns-16μs,單精度模式下,可以同時(shí)測(cè)量兩個(gè) STOP 通道,且每個(gè)通道最多可

以測(cè)量 10 個(gè) STOP 脈沖,雙精度模式下,僅可以使用 STOP1 通道。

校準(zhǔn)時(shí)間測(cè)量過程中,需要開啟高速時(shí)鐘(START_CLKHS=1)和校準(zhǔn)開啟(CALIBRATE=1)。當(dāng)產(chǎn)生校準(zhǔn)

值關(guān)閉(NO_CAL_AUTOCALIBRATE=1),結(jié)果寄存器輸出非校準(zhǔn)值(可參考非校準(zhǔn)部分介紹)。當(dāng)產(chǎn)生校

準(zhǔn)值開啟(NO_CAL_AUTOCALIBRATE=0)時(shí),結(jié)果寄存器輸出校準(zhǔn)后的值 RES_X,測(cè)量時(shí)間如下計(jì)算,被

測(cè)時(shí)差不能超過 2 ×Tref× DIV_CLKHS。

測(cè)量時(shí)間= RES_X × Tref × N, N = 1, 2,4,8;

在校準(zhǔn)時(shí)間測(cè)量中,必須開啟溢出時(shí)間功能(EN_SEL_TIMO=1),溢出時(shí)間由溢出時(shí)間選擇

(SEL_TIMO)進(jìn)行選擇,這里的時(shí)間僅和高速時(shí)鐘相關(guān),不受時(shí)鐘分頻(DIV_CLKHS)的影響。例如,高速

時(shí)鐘為 8MHz,SEL_TIMO=0 的情況下,溢出時(shí)間為 250ns,這時(shí)狀態(tài)寄存器 Bit14=1(時(shí)間溢出)。

校準(zhǔn)模式下,測(cè)量脈沖個(gè)數(shù)必須大于或者等于預(yù)期脈沖個(gè)數(shù)。當(dāng)測(cè)量脈沖小于預(yù)期脈沖個(gè)數(shù)時(shí),

ALU 不進(jìn)行計(jì)算,這時(shí),狀態(tài)寄存器 Bit14=1(時(shí)間溢出),且 EN_ERR_VAL=1 的情況下,結(jié)果寄存器

0 輸出全 F。

6.4.2 寄存器設(shè)置

主要的設(shè)置為:

(1)選擇測(cè)量預(yù)期脈沖個(gè)數(shù)

寄存器 bit 31-28 設(shè)置 STOP2 預(yù)期脈沖個(gè)數(shù) HITIN2=0 或者 2-B;

寄存器 bit 27-24 設(shè)置 STOP1 預(yù)期脈沖個(gè)數(shù) HITIN1=2-B,不能設(shè)置為 0,否則無法開啟測(cè)量。

(2)選擇測(cè)量精度

寄存器 bit 18, DOUBLE_RES = 1 選擇雙精度模式,測(cè)量精度為典型 30ps,但僅有一個(gè) stop 通道

可用。DOUBLE_RES = 0 選擇單精度模式,測(cè)量精度為典型 60ps,這時(shí)兩個(gè) stop 通道都可用。

(3)校準(zhǔn)選擇

在校準(zhǔn)模式下,高速晶振和校準(zhǔn)都必須開啟,寄存器 bit 13 CALIBRATE=1 和 bit 19 START_CLKHS=1

(4)產(chǎn)生 CAL 值

在校準(zhǔn)模式下,必須選擇產(chǎn)生 CAL 值,寄存器 bit 12 NO_CAL_AUTO=0 時(shí),產(chǎn)生 CAL 值。

(5)溢出選擇

在校準(zhǔn)模式下,必須開啟溢出,寄存器 bit 7 EN_SEL_TIMO=1 開啟溢出時(shí)間,且溢出時(shí)間和寄存

器 bit 23-22 SEL_TIMO 設(shè)置有關(guān)。

(6)選擇輸入觸發(fā)方式

可通過設(shè)置寄存器的 Bit 8-10(NEG_X),在每一個(gè)輸入端口(Start,Stop1,Stop2)選擇邊沿觸發(fā)方式。

當(dāng) RFEDGE = 0 時(shí),NEG_X = 0 則上升沿觸發(fā),NEG_X = 1 則下降沿觸發(fā)。還可以通過設(shè)置寄存器的

Bit0&1(REFDGE1 & FEDGE2),可以選擇 STOP 下降沿單獨(dú)觸發(fā)(RFEDGE=0),還是上升沿和下降沿同時(shí)

觸發(fā)(RFEDGE=1)。當(dāng) RFEDGE=1 時(shí),Bit 9-10 選擇無效。

(7)中斷

中斷引腳 INT 可以有不同的中斷源,在寄存器的 Bits4-6(EN_INT)中進(jìn)行選擇。由于 Reg bit 5=1 中

斷輸出最早,Reg bit 4=1 輸出最晚,用戶可以根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行選擇。

Reg bit 4 = 1 ALU 已經(jīng)準(zhǔn)備好

Reg bit 5 = 1 預(yù)期脈沖個(gè)數(shù)全部被接收到

Reg bit 6 = 1 測(cè)量時(shí)間溢出&TDC 溢出

(8)高速時(shí)鐘分頻

由于校準(zhǔn)測(cè)量時(shí)間小于 2 ×Tref× DIV_CLKHS(Tref 只與外接高速晶振相關(guān),如外接 4M,則 Tref =

250ns),所以如果需要增長測(cè)量時(shí)間,則需要設(shè)置高速時(shí)鐘分頻,在寄存器的 Bits20-21(DIV_CLKHS)

中進(jìn)行設(shè)置,但 2 ×Tref× DIV_CLKHS 不能超出測(cè)量范圍的最大值 16μs。

6.4.3 測(cè)量流程

wKgaoWcXVByAEA0WAAFHQ-r3VGQ118.png

典型應(yīng)用圖

wKgZoWcXVDSACNndAADn6NAOVgk256.png

封裝外形圖

wKgaoWcXVEyAeqvTAABi4hsqSjw004.png

審核編輯 黃宇

——愛研究芯片的小王

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