2024年9月26日，武漢芯源半導(dǎo)體CW32L010系列產(chǎn)品正式官方發(fā)布。這款產(chǎn)品以其卓越的產(chǎn)品性能，迅速在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注，并成功樹立M0+產(chǎn)品行業(yè)的新標(biāo)桿。

CW32L010系列產(chǎn)品是基于 eFlash 的單芯片低功耗微控制器，集成了主頻高達(dá) 48MHz 的 ARM? Cortex?-M0+ 內(nèi)核、高速嵌入式存儲器（多至 64K 字節(jié) FLASH 和多至 4K 字節(jié) SRAM）以及一系列全面的增強(qiáng)型外設(shè)和 I/O 口。

內(nèi)部框圖

所有型號都提供全套的通信接口（二路 UART、一路 SPI 和一路 I2C）、12 位高速 ADC、四組通用和基本定時器、一組低功耗定時器以及一組高級控制 PWM 定時器。

CW32L010 可以在 -40℃到 85℃的溫度范圍內(nèi)工作，供電電壓寬達(dá) 1.62V ~ 5.5V。支持 Sleep 和 DeepSleep兩種低功耗工作模式CW32L010 可以在 -40℃到 85℃的溫度范圍內(nèi)工作，供電電壓寬達(dá) 1.62V ~ 5.5V。支持 Sleep 和DeepSleep兩種低功耗工作模式。

產(chǎn)品優(yōu)勢

1，64K超大Flash存儲容量

在微控制器（MCU）的眾多特性中，eFlash存儲容量是最主要的關(guān)鍵參數(shù)之一。CW32L010系列產(chǎn)品存儲容量最大 64K 字節(jié) FLASH，數(shù)據(jù)保持 25 年 @-40℃ ~ +85℃，支持擦寫保護(hù)、讀保護(hù)和安全運(yùn)行庫保護(hù)功能。

確保高訪問速度：可確保指令的快速執(zhí)行，滿足實(shí)時性要求高的應(yīng)用場景。

易于升級迭代：在同等成本下，擴(kuò)大存儲容量，為用戶提供同級最寬裕的程序和非易失存儲空間，使得產(chǎn)品在面臨功能升級或迭代時，能夠更加靈活地進(jìn)行軟件更新和擴(kuò)展。

減少EEPROM依賴：通過提供充足的非易失性存儲，減少了對外部EEPROM的依賴，降低了系統(tǒng)成本和復(fù)雜性。

耐用性更高：Flash擦寫壽命高達(dá)10,000次，符合標(biāo)桿要求，確保了產(chǎn)品的長期穩(wěn)定運(yùn)行。

2、黑客級代碼安全防護(hù)

在微控制器（MCU）領(lǐng)域，保護(hù)用戶的代碼和知識產(chǎn)權(quán)至關(guān)重要。CW32L010系列MCU，以其創(chuàng)新的安全特性，為用戶提供了一個堅(jiān)不可摧的代碼保護(hù)解決方案。

盡管目前大多數(shù)MCU都支持多種安全等級，阻止通過SWD/ISP接口讀取Flash內(nèi)容。但通過下載間諜程序，用挾持內(nèi)核的方式對Flash指令區(qū)做數(shù)據(jù)訪問一般都被允許。

CW32L010系列產(chǎn)品可以阻止這個入侵，我們允許用戶劃定一塊指令存儲區(qū)域，只能通過指令總線取指令執(zhí)行，不允許通過數(shù)據(jù)總線訪問數(shù)據(jù)。在這個區(qū)域內(nèi)，即使攻擊者嘗試通過下載間諜程序挾持內(nèi)核，也無法訪問這塊被保護(hù)的存儲區(qū)域。用戶可以將包含敏感算法和關(guān)鍵功能的代碼庫存儲在該區(qū)域，確保這些核心資產(chǎn)只能被調(diào)用，無法被復(fù)制或篡改。

3、極限超低功耗0.3uA，85℃高溫漏電僅1.2uA

超低功耗工作模式非常多，一般用戶較關(guān)注待機(jī)電流（常溫/高溫）、全速運(yùn)行電流等幾個主要指標(biāo)。

CW32L010采用特別工藝制程，將待機(jī)電流控制在0.3uA，高溫待機(jī)電流是競品平均水平的1/4~1/8。

4、全新設(shè)計(jì)兼容G4相關(guān)IP的高級定時器

高級定時器通常用于三相PWM輸出，經(jīng)常需要與ADC緊密配合使用。我們?nèi)略O(shè)計(jì)了高級定時器，在對G4相關(guān)IP兼容的同時還增加了部分特色功能，例如PWM移相、多點(diǎn)比較等等，單個高級定時器支持多達(dá)6對互補(bǔ)PWM輸出。

多種靈活的PWM移相模式：在保持占空比不變的同時，可根據(jù)采樣時機(jī)的需求調(diào)整PWM邊沿位置。

5、RTC補(bǔ)償精度是0.060ppm，支持亞秒級讀數(shù)

CW32L010在設(shè)計(jì)時對RTC補(bǔ)償機(jī)制進(jìn)行了優(yōu)化，可選擇32，128，256秒為一個補(bǔ)償周期，最精細(xì)的補(bǔ)償精度可達(dá)到0.060ppm，支持亞秒級讀數(shù)。

6、全面升級的低功耗串口，支持LIN、RS485硬件使能

低功耗串口接收數(shù)據(jù)可靈活配置接口電平，可產(chǎn)生關(guān)鍵字中斷和幀超時中斷，支持LIN、RS485硬件使能、TXD和RXD互換及內(nèi)部回環(huán)功能、LSB/MSB硬件轉(zhuǎn)換。

7、85℃ Latch Up測試成績優(yōu)異，閂鎖門限測試成績高達(dá)±600mA

在MCU的設(shè)計(jì)和應(yīng)用中，靜電放電（ESD）的防護(hù)能力是衡量產(chǎn)品可靠性的重要指標(biāo)之一。其中高溫Latch Up（閂鎖）測試可以說明一定問題，CW32L010在高溫Latch Up（閂鎖）測試中表現(xiàn)出色，閂鎖門限測試成績高達(dá)±600mA，遠(yuǎn)高于行業(yè)一般水平，相比競品一般水平為3~6倍。強(qiáng)大的ESD防護(hù)能夠保護(hù)MCU內(nèi)部數(shù)據(jù)不受靜電放電的影響以及在各種環(huán)境下的長期穩(wěn)定運(yùn)行。

8、16路ADC輸入2M采樣率，采樣保持時間可獨(dú)立配置

9、內(nèi)部時鐘源特性無懼挑剔

在當(dāng)前的電子市場，"低成本內(nèi)卷"已成為一個不可忽視的現(xiàn)象。在這一背景下，外置晶體的成本優(yōu)化變得尤為重要，這一指標(biāo)考驗(yàn)的是MCU內(nèi)置RC時鐘源的技術(shù)特性。CW32L010的內(nèi)置時鐘源，不論是HSI還是LSI，都大幅優(yōu)于競品。

CW32L010系列產(chǎn)品基于華虹半導(dǎo)體最新的90nm超低漏電嵌入式閃存工藝，極其出色的性能和更合理的價格定位，為用戶帶來了極具競爭力的選擇，實(shí)現(xiàn)了高性能與低成本的完美結(jié)合。

CW32L010系列產(chǎn)品提供 QFN20、TSSOP20、SOP16 三種不同的封裝形式，不同封裝的產(chǎn)品所能實(shí)現(xiàn)的功能有所不同，具體情況如下表所示：

?CW32L010 家族產(chǎn)品功能列表

CW32L010系列產(chǎn)品的發(fā)布，是武漢芯源半導(dǎo)體對市場需求的積極響應(yīng)，也是公司持續(xù)創(chuàng)新和技術(shù)研發(fā)實(shí)力的展現(xiàn)。隨著這款產(chǎn)品的正式上市，預(yù)計(jì)將推動公司業(yè)務(wù)的增長，并為合作伙伴和客戶帶來更多價值。讓我們共同期待CW32L010系列產(chǎn)品在未來的精彩表現(xiàn)！同時，我們也期待與您攜手合作，共創(chuàng)更加美好的未來！