7月31日，是世界氮化鎵日。在這個充滿探索與突破的時代，氮化鎵憑借其卓越的特質和廣袤的應用維度，化作科技領域的一顆冉冉升起的新星。氮化鎵的登場，給電子行業帶來了具有里程碑意義的創新。其高電子遷移率、高擊穿電場和高熱導率等特性，使其在功率器件、射頻器件及光電轉化設備等展現出無與倫比的優勢。這不僅大幅提升了相關器件的效率和穩定程度，還為全球能源合理運用、環境友好型發展等重要課題帶來了新的希望和助力。

京東方華燦光電作為最早一批布局氮化鎵行業的企業之一，在這個特殊的日子，向氮化鎵這個具有劃時代意義的材料致以最誠摯的敬意。京東方華燦光電首席技術官王江波博士在接受充電頭網采訪的時候表示：在慶祝世界氮化鎵日之際，京東方華燦深感榮幸能作為行業一員，共同見證氮化鎵在半導體領域的飛速發展。氮化鎵作為第三代半導體的核心材料，其卓越的性能為充電領域帶來了革命性的突破。我們堅信，氮化鎵技術的應用將不斷推動充電技術的創新與進步，為用戶帶來更加高效、安全的充電體驗。京東方華燦將持續關注氮化鎵技術的最新動態，并致力于將其應用于更多領域，為行業發展貢獻自己的力量。 在氮化鎵技術的浪潮中，京東方華燦光電始終站在技術創新的前沿，不斷探索與突破。近年來，公司在氮化鎵材料的研發、生產及應用方面取得了顯著進展。

在氮化鎵器件方面，京東方華燦光電以消費電子市場作為起步，逐步走向數據中心，工業車用等中大功率電力電子市場。對此，京東方華燦光電已開發出多款的650V系列產品，儲備產品電壓高達1200V，覆蓋不同的功率范圍，搭配多種封裝方式，可匹配手機快充、電腦適配器、服務器電源等不同場景的需求。

自有外延對應的器件良率已達到理想投產水平，可實現較好的器件結果和性能參數。京東方華燦光電已實現在6/8英寸硅襯底上無裂紋HEMT外延的優化，在表面粗糙度和厚度一致性已達到理想的水準。根據測試驗證，京東方華燦光電GaN外延的閾值電壓、耐壓、柵壓容限等靜態參數均可對標國內外頭部產品。

自有工藝線方面，京東方華燦光電23年已經全面通線，可以實現從外延到芯片的流片，24年CP良率已達目標水平。

自有襯底工廠藍晶科技已經實現6inch 藍寶石襯底的規格優化和量產，也開始了8inch 藍寶石襯底的產品儲備，能夠為自產高壓、高性價比的GaN on sapphire器件全面賦能。

在應用方案方面，已開發完成30~150W參考設計，可提供給客戶更好的技術支持服務。

展望未來，隨著技術的創新與發展，氮化鎵在電機控制、車載充電等方面的應用也將迎來爆發式增長。京東方華燦光電將加強上下游產業鏈合作，共同推動技術進步和產業升級，為人類社會帶來更加高效、安全、綠色的生活方式。