5月21日，廈門市人民政府、廈門市海滄區(qū)人民政府與杭州士蘭微電子股份有限公司在廈門共同簽署了《戰(zhàn)略合作框架協(xié)議》。按照協(xié)議約定，各方合作在廈門市海滄區(qū)建設(shè)一條以SiC-MOSEFET為主要產(chǎn)品的8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線。該項目分兩期建設(shè)，項目一期投資規(guī)模70億元，二期投資規(guī)模約50億元，兩期建設(shè)完成后，將在廈門市海滄區(qū)形成8英寸碳化硅功率器件芯片年產(chǎn)72萬片的生產(chǎn)能力。

同日（5月21日），杭州士蘭微電子股份有限公司（以下簡稱“士蘭微”）發(fā)布公告稱，擬在廈門投資建設(shè)8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目。

資料顯示，杭州士蘭微電子股份有限公司（以下簡稱“士蘭微”）于1997年成立，總部位于杭州，2003年3月在上交所主板上市（證券代碼600460），是全球前20、國內(nèi)第一的功率芯片設(shè)計與制造一體化（IDM）企業(yè)。2018年2月，士蘭微在海滄落地12英寸特色工藝芯片制造企業(yè)士蘭集科和6英寸化合物半導體芯片制造企業(yè)士蘭明鎵，已成為國家大基金在廈門市的重點投資項目，吸引國家大基金投資9.5億元。2024年3月，士蘭微在海滄落地8英寸碳化硅芯片制造企業(yè)士蘭集宏。

根據(jù)最新公告顯示，士蘭微與廈門半導體投資集團有限公司（以下簡稱“廈門半導體集團”）、廈門新翼科技實業(yè)有限公司（以下簡稱“廈門新翼”）共同向子公司廈門士蘭集宏半導體有限公司（以下簡稱“士蘭集宏”）增資41.50億元并簽署《8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目之投資合作協(xié)議》。

其中：士蘭微認繳10億元，廈門半導體集團認繳10億元，廈門新翼認繳21.50億元。本次增資前，士蘭集宏由士蘭微出資6000萬元，100%持股，本次增資完成后，士蘭集宏的注冊資本將由0.60億元增加至42.10億元。增資完成后，廈門半導體投資集團、廈門新翼科技和士蘭微三方對士蘭集宏的持股比例分別為23.753%、51.0689%和25.1781%。

與此同時，根據(jù)士蘭微與廈門市政府、廈門市海滄區(qū)政府簽署的《戰(zhàn)略合作框架協(xié)議》，士蘭微與廈門半導體集團、廈門新翼于當日簽署了《8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目之投資合作協(xié)議》。

根據(jù)協(xié)議，士蘭集宏將作為該項目的負責主體建設(shè)一條以SiC-MOSEFET為主要產(chǎn)品的8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線。該項目分兩期建設(shè)，一期投資規(guī)模約70億元，新增8英寸SiC芯片3.5萬片/月的生產(chǎn)能力，二期投資規(guī)模約50億元，新增8英寸SiC芯片2.5萬片/月的生產(chǎn)能力。

兩期建設(shè)完成后，將在廈門市海滄區(qū)形成8英寸碳化硅功率器件芯片年產(chǎn)72萬片的生產(chǎn)能力，培育一家符合國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃、開展以第三代半導體功率器件研發(fā)、制造和銷售為主要業(yè)務(wù)、具有國際化經(jīng)營能力的半導體公司。

本次合作是繼士蘭集科“12英寸特色工藝芯片生產(chǎn)線”和士蘭明鎵“先進化合物半導體器件生產(chǎn)線”兩大重要項目后，士蘭微電子落地廈門的第三個重要項目。

審核編輯：劉清