半導體產業網獲悉：近日，華天盤古半導體先進封測項目、士蘭集宏的8英寸SiC功率器件芯片制造生產線項目、百立新半導體6英寸MEMS晶圓制造線項目、升陽半導體臺中港區再生晶圓新廠、南太湖新區半導體產業園B區項目、瑞聲科技高端智能制造產業基地項目、宏景半導體總部基地項目、洛陽國科（中科院）激光半導體產業園項目、新陵微電子6英寸晶圓項目、漢道精密年加工1.8億件半導體零部件項目、芯瓷科技半導體功率器件用DPC陶瓷基板項目、先導稀材高端化合物半導體材料及芯片產業化基地項目、芯粒集成晶圓級先進封裝基地項目、六方科技集成電路先進制程精密零部件新材料項目、群啟科技二期項目、嘉盛激光智能裝備項目、力量鉆石半導體高功率散熱片金剛石功能材料研發制造項目、湃芯半導體設備研發生產項目、格創·華芯砷化鎵晶圓生產基地項目等項目迎來新進展。詳情如下：

1、華天盤古半導體先進封測項目預計2月底搬機

近日，位于浦口開發區的盤古半導體先進封測項目迎來新進展。據項目負責人透露，該項目于去年6月30日舉行奠基儀式，7月打下第一根樁基，10月主體結構完工，預計今年2月底舉行搬機儀式。

據悉，盤古項目由華天科技（江蘇）有限公司控股，總投資30億元，分兩期建設，第一階段主要建設生產廠房和相關附屬配套設施。作為集成電路封測領域高能級項目，該項目聚焦板級封裝技術的開發及應用，將建設世界首條全自動板級封裝生產線。項目今年部分投產，全面達產后預計年產值不低于9億元，年經濟貢獻不低于4000萬元。

2、士蘭集宏的8英寸SiC功率器件芯片制造生產線項目即將封頂

1月22日，來自《廈門日報》的消息稱，士蘭微子公司士蘭集宏的8英寸SiC功率器件芯片制造生產線項目已順利完成鋼桁架梁吊裝，預計將在今年一季度實現封頂。

據士蘭集宏項目總指揮朱利榮介紹，鋼桁架梁吊裝是半導體芯片工程建設中的關鍵步驟，相當于為整個廠房“上梁”。隨著鋼結構的安裝完畢，封頂的目標即將指日可待。

作為省、市重點產業項目，士蘭集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產線項目總投資120億元，總建筑面積23.45萬平方米，分兩期建設。兩期全部建成投產后，將形成年產72萬片8英寸碳化硅功率器件芯片的生產能力，屆時將較好滿足國內新能源汽車碳化硅芯片需求，助力廈門市第三代半導體產業加速發展與配套產業的快速培育。據報道，該項目建設春節不停工，以保障項目建設進度。

3、總投資13億元，百立新半導體6英寸MEMS晶圓制造線項目落地浙江

據麥姆斯咨詢獲悉，百立新半導體（浙江）有限公司（以下簡稱：百立新半導體）6英寸MEMS晶圓制造線項目備案手續已批復，項目建設周期為2024年至2026年。百立新半導體成立于2024年07月31日，注冊資本為1億元，公司地址位于浙江省麗水市，法定代表人為張承銳。

百立新半導體的股權信息該項目總投資13億元，項目一期投資6億元，其中固定資產投資4.5億元，租賃廠房約10000平方米，主要建設年產72000片6英寸MEMS晶圓生產線，生產MEMS芯片、電子煙芯片及車載傳感器芯片等；項目二期投資7億元，其中固定資產投資6億元，擬用地面積約50畝，主要建設MEMS晶圓生產線。

4、南太湖新區半導體產業園B區項目順利竣工

近日，位于康山萬畝大平臺的南太湖新區半導體產業園B區項目順利完成竣工驗收。該項目是湖州市2024年度“四季看變化”點位之一，總投資約6.4億元，總用地面積約155畝，總建筑面積約21.9萬平方米，主要建設標準廠房、研發中心、綜合用房、后勤樓等8棟單體，配套用房，地下停車庫等及室外配套工程。

5、投資5.56億元,，升陽半導體臺中港區再生晶圓新廠開工

1月22日消息，中國臺灣再生晶圓與半導體設備廠商升陽半導體宣布，規劃在臺中港科技產業園區新建廠房及擴充產能，總投資額達新臺幣25億元（約合人民幣5.56億元），預計于2026年完工。

陽半導體董事長梁明成在開工典禮上表示，此次擴建展現了升陽深耕中國臺灣的信心，并為邁向全球市場奠定基礎。升陽半導體將以技術創新與卓越品質，引領再生晶圓產業的未來。升陽半導體總經理蔡幸川亦表示，升陽半導體新臺幣20億元可轉換公司債也于22日正式掛牌，這筆資金將用于擴建廠房與擴充產能，預計2025年底12英寸再生晶圓月產能將提升至80萬片，進一步滿足全球市場對高品質再生晶圓日益增長的需求。

6、投資10億元！瑞聲科技高端智能制造產業基地等項目落戶

據南京市工信局消息，1月19日，南京經開區與瑞聲科技控股有限公司（以下簡稱“瑞聲科技”）正式簽約。瑞聲科技將投資10億元，在南京經開區打造高端智能制造產業基地暨瑞聲新研產品首試基地。

據悉，此次簽約項目將在南京經開區龍潭港產城融合示范區分期建設工業電機等高端裝備及相關模組生產線，將其打造成瑞聲科技華東區域智能制造中心。2016年，瑞聲科技在南京仙林大學城投資建設全球研發中心。

瑞聲科技成立于1993年，2005年在香港上市，是全球領先的微型元器件及整體解決方案提供商。瑞聲科技產品涵蓋聲學、光學、觸感、傳感器及半導體、精密制造等領域。其中，在精密光學領域，瑞聲科技目前已躋身全球光學鏡頭三大供應商之一，微型揚聲器和線性觸控馬達產品的市場占有率已躍居全球第一。

7、亞通全國總部項目預計2月底封頂

近日，成都一批項目迎來新進展。其中，亞通全國總部項目預計2月底封頂。位于郫都高新技術產業園的亞通全國總部5G功能膜材基地項目于去年9月底開工，目前正在進行三層主體施工，可充分保證項目在2月底主體封頂，5月底完工。

據悉，亞通全國總部5G功能膜材基地項目主要從事OLED導熱屏蔽材料、光學膠、膜系列、折疊顯示屏支撐件BKT等產品的研發、生產與銷售。該項目建設期內，項目公司將加大研發投入，開展研發可量產的半導體功能膜（切割藍膜、溫控膜、DAF膜）、5G+頻屏蔽膜、顯示光學膜材等功能膜生產線。該項目建成后，將打造9條產線，規劃產能1.5億片/年。

8、宏景半導體總部基地項目用地成功摘牌

1月20日，宏景半導體總部基地項目用地成功摘牌。該項目由廣東勤為實業投資有限公司投資建設，位于洪梅鎮新莊村水鄉河西現代化產業園，總投資2億元，用地面積約13.57畝，計劃打造研發與制造一體的總部基地，主要從事研發、生產及銷售LED封裝、半導體封測、晶圓芯片等精密電子行業包裝產品。

企業情況：廣東勤為實業投資有限公司為東莞市宏景半導體材料有限公司的控股公司，東莞宏景創立于2014年，是國家高新技術企業和省“專精特新”中小企業。項目將建設為國內領先的LED封裝、半導體封測、晶圓芯片等精密電子行業包裝產品智能生產基地，更好地滿足電子消費品、新能源汽車、航天軍工、智能制造、5G等支柱性產業和新興行業的應用需求。

9、麗水經開區半導體芯片產業園二期項目竣工驗收

1月21日，麗水經開區半導體芯片產業園二期項目在經開區各級主管部門、驗收專家組及各參建單位的查驗下通過竣工驗收。項目投用后，將進一步帶動產業結構優化升級，推動半導體全鏈條產業實現高質量發展，為經開區打造特色半導體“萬畝千億”新產業平臺積蓄強勁動能。

半導體芯片產業園二期項目位于大沅街與綠源路交叉口東南側地塊，總投資約4.94億元，總建筑面積約13.6萬平方米，包含21幢單體建筑。項目主要建設內容包括廠房、科研樓、公寓等房屋建筑工程，孵化器(固廢危化庫、污水處理設施、氣體設施)以及道路、給排水、電力、通訊、綠化、亮化工程等。

10、洛陽國科（中科院）激光半導體產業園項目正式動土開工

近日，洛陽國科（中科院）激光半導體產業園項目正式動土開工。

該項目位于洛龍區牡丹大道與李賀街交匯處西北側高新技術產業園區，屬于激光半導體領域的企業和科研機構提供專業的研發平臺，主要方向是促進新技術、新產品的研發，推動激光半導體產業的技術進步，打造完整的產業鏈條。聚焦激光半導體這一前沿科技領域，是推動洛陽高新技術產業發展的重要載體，屬于國家重點建設項目。

11、年產120萬片！新陵微電子6英寸晶圓項目通線！

1月17日，在位于涪陵高新區（涪陵綜保區）電子信息標準化廠房的重慶新陵微電子有限公司生產車間內，工人們正在緊鑼密鼓地安裝設備。預計今年二季度將建成國內領先的特色工藝晶圓生產線，并實現整線通線，進行試生產。

重慶新陵微電子有限公司是由寧波達新半導體有限公司與涪陵區新城區開發（集團）有限公司共同投資于2022年7月成立的一家從事功率半導體芯片制造的高科技企業，注冊資本2億元。重慶新陵微電子有限公司的產線管理團隊擁有20多年海內外功率半導體芯片設計、晶圓制造、封測和應用的豐富經驗和能力，在涪陵高新區（涪陵綜保區）投資的6英寸IGBT功率半導體生產線項目為市級重點和區級重點項目，計劃建設一條具備70微米的超薄背面工藝和正面Trench技術的6英寸車規級晶圓生產線。主要產品包括IGBT、MOSFET等功率半導體芯片，產品應用將覆蓋新能源汽車、智能電網、光伏儲能、風力發電、工業應用、白色家電等領域。目前，重慶新陵微電子有限公司的潔凈車間裝修已基本完成；配套設施裝修已部分完工，預計一季度完成；首批7臺設備已經成功搬入廠區，設備搬入陸續進行中。預計一季度實現背面工藝通線，二季度實現整線通線，并進行試生產。預計2027年完全達產后年產約120萬片6寸晶圓，有助于滿足國內對高端功率半導體芯片的迫切需求。

12、漢道精密年加工1.8億件半導體零部件項目混凝土主體結構全部封頂

1月20日，由華磊集團承建的江蘇漢道精密制造有限公司年加工1.8億件半導體零部件項目混凝土主體結構全部封頂。

自2024年10月開工建設以來，華磊集團與建設方、監理方等單位協同發力全力跑出項目建設“加速度”。今日主體結構的封頂，全力刷新了項目建設“進度條”為順利投產奠定了堅實基礎。年加工1.8億件半導體零部件項目是淮陰區2024年打造的重點工業項目，主要生產3C消費型電子、新能源汽車零部件、半導體相關產品配件。該項目位于淮安市淮陰區高新技術產業開發區，總建筑面積72093.10㎡，計劃于2025年10月建成投產。目前，1#-3#廠房、中試樓主體已封頂，后期將加速推進鋼結構吊裝、ALC板安裝、外墻真石漆等重點建設任務。

13、總投資10億元，芯瓷科技半導體功率器件用DPC陶瓷基板項目投產

近日，“芯瓷科技”項目在金華金義新區正式投產。“芯瓷科技”項目于2023年3月份簽約落地金華金義新區，總投資額達10億元，總建筑面積約3.2萬平方米。該項目專注于年產600萬片半導體功率器件用DPC陶瓷基板的生產線建設。項目達產后，芯瓷科技預計年產量將達到600萬片，年產值有望達到9億元。

DPC陶瓷基板作為半導體功率器件的核心材料，對于提升器件性能、增強散熱能力具有重要作用。芯瓷科技憑借其在DPC陶瓷基板及封裝器件研發與制造方面的領先技術，擁有顯著的研發優勢和大規模制造能力，將為市場提供高質量、高性能的產品。

據陜建三建集團安裝公司2024年11月消息，由其參建的浙江省金華市芯瓷科技有限公司年產600萬片半導體功率器件用DPC陶瓷基板技改項目于近日順利完成設備調試并進行試運行。

14、先導稀材高端化合物半導體材料及芯片產業化基地項目主樓封頂

1月15日，先導稀材高端化合物半導體材料及芯片產業化基地項目主樓封頂，建設進度再刷新。該項目位于高新六路以南、光谷五路以東，建筑面積26萬平方米，共19棟建筑，包括研發中心、生產調度中心、辦公大樓等，預計今年年底建成投用。

先導科技集團有限公司是全球稀散金屬龍頭企業。2024年3月，該項目落戶光谷，投資120億元建設高端化合物半導體材料及芯片產業化基地項目。項目投產后，將有力填補光谷光通信及激光產業所需半導體襯底、外延材料的空白。

15、化合物半導體孵化加速及制造基地項目試驗廠房封頂

據“中冶南方” 消息：1月15日上午10點58分，中冶南方承建的武漢新城重點科技項目化合物半導體孵化加速及制造基地項目試驗廠房區域封頂，這一重大項目建設取得階段性成果。

化合物半導體孵化加速及制造基地項目是湖北省重點項目，總建筑面積約14.5萬平方米，建設內容包括4棟化合物半導體潔凈廠房、4棟孵化加速辦公廠房、綜合服務樓等。項目為國家級重點實驗室九峰山實驗室的重大配套工程，為九峰山實驗室的合作團隊和企業提供辦公空間和標準廠房，助力九峰山科技園打造創新聚集、人才聚集、產業協同的化合物半導體產業高地。

16、揚州芯粒集成晶圓級先進封裝基地項目封頂

近期，芯德科技宣布揚州晶圓級芯粒先進封裝基地項目主體結構順利封頂，再為活躍的華東市場添加了2.5D/3D項目。

該項目一期主體是揚州芯粒集成電路有限公司，成立于2023年2月，系芯德科技子公司，該項目總投資50000萬元，新建1條晶圓級芯粒封裝生產線，占地105畝、建設廠房約7萬平方米，可年產超大尺寸晶圓級芯粒封裝產品4.8萬片，預計2024年底或2025年初建成通線。項目二期建設計劃于2025年下半年啟。

芯德科技有“CAPiC晶粒及先進封裝技術平臺”技術涵蓋QFN、WLCSP、BGA、LGA、SiP、WLCSP、POP、FANOUT和2.5D/3D,chiplet、Bumping和FC。旗下規劃總投資60億元半導體芯片封裝測試生產線（一期15億元，二期45億）年產封測芯片約200億顆，年產先進凸塊工藝約350萬片，三期于2024年2月開工，2024年計劃投資1億元打造芯德科技先進封測基地生產車間，實現Hybrid BGA、Hybrid LGA等高集成度混合芯片集成電路封裝測試解決方案。

17、六方科技集成電路先進制程精密零部件新材料項目奠基

1月18日，浙江六方半導體科技有限公司舉行了盛大的奠基儀式，標志著六方科技在半導體領域的新征程正式啟航。此次奠基儀式邀請了各界的領導嘉賓以及合作伙伴，大家齊聚一堂，共同見證這一歷史性的時刻。

浙江六方半導體科技有限公司的奠基，標志著其將在半導體領域的投資、技術研發、產品創新等方面進入新階段。作為一家以技術為驅動、創新為核心的高新技術企業，六方半導體將不斷加強研發投入，推動產業鏈上下游的協同發展，努力打造成國內外具有競爭力的半導體技術企業。

18、總投資20億，嘉盛激光智能裝備項目正式開工

近日，宿城嘉盛激光智能裝備項目正式啟動，本項目共計占地面積12萬平方米，計劃總投資20億元，全面建成投產后，可年產三維五軸大口徑激光切割數控機床2000臺，產品加工效率較國際標準提高30%，年產值超25億元。

自2020年嘉泰激光智能裝備（宿遷）有限公司成立以來，得益于宿城區優良的營商環境、有力的政策支持、完善的產業配套以及嘉泰自身的管理運營與技術研發，年均產值保持40%以上的高位增長，年度開票超6億元，很快就讓嘉泰成為的行業中備受矚目的佼佼者。

19、總投資超50億元，群啟科技二期項目將封頂

昆山發布消息顯示，群啟科技廠區，二期高階半導體芯片（IC）封裝載板項目正進行繁忙地施工建設。昆山鼎鑫電子有限公司廠環部副部長徐喬奇表示，目前二期廠房已進入主體建設階段，預計2月將完成廠房主體結構的封頂作業。

鼎鑫電子最新建設的群啟科技項目為江蘇省重大產業項目，總投資52億元，總建筑面積17.3萬平方米，分為兩期建設廠房及配套設施，一期為高密度互連印刷電路板（HDI）項目，二期為高階半導體芯片（IC）封裝載板項目。

群啟科技項目產品主要應用于快速發展的智能通信產品、5G、AI、CPU、GPU、高速運算器等，全面建成達產后預計年產高階HDI電路板380萬平方英尺、半導體芯片（IC）封裝載板269萬平方英尺。

20、力量鉆石半導體項目正式建成投產！

1月15日，力量鉆石半導體高功率散熱片金剛石功能材料研發制造項目正式建成投產。

該項目是力量鉆石與臺灣捷斯奧企業的強強聯手之作，雙方瞄準行業前沿科技和國家重大需求，攜手攻克先進金剛石功能材料的關鍵技術難題，旨在全面提升公司在金剛石功能材料領域的創新能力和科技水平。為此，項目特別建設了高標準的金剛石半導體研發中心，并購置安裝了國際先進的設備，專注于研發制造大尺寸的半導體高功率金剛石散熱片。

21、宇貝年產100噸顯示材料項目正式投料試車

1月15日上午，位于安徽淮南煤化工園區的安徽宇貝高端顯示材料項目正式投料試車。

該項目總投資2.5億，主要產品為70噸高性能液晶(含氟類液晶)、30噸有機電致發光（OLED）材料，應用于手機、電視、電腦、車載等顯示和汽車尾燈、臺燈等照明領域，產品主要客戶為京東方、西安瑞聯、江蘇和成、誠志永華等國內一流顯示材料企業。據介紹，該年產100噸高端顯示材料項目2023年1月開工建設，歷經近2年時間完成土建和機電安裝施工，試生產方案于2024年12月31日通過專家論證。項目預計2025年實現產值1億元。

22、總投資3億元，光博士智能激光裝備數字制造總部項目封頂

1月15日上午，位于廣東省東莞市水鄉河西數字產業區的光博士智能激光裝備數字制造總部項目喜迎封頂，該項目從動工建設到當日順利封頂僅用了8個月。

該項目由東莞市光博士激光科技公司（下稱“光博士激光”）投資建設，項目總投資3億元，用地約20.19畝，由2棟單體建筑組成、占地面積13457平方米，建筑面積42573平方米。未來將建成智能激光裝備數字制造、創新研發基地的總部型項目，將為水鄉打造新興產業集群擴容提質、增勢賦能。

光博士首席執行官劉文介紹，該項目將是光博士建設為全球柔性材料切割設備的生產總部基地，可提供涵蓋激光標記、切割、打孔、雕刻等領域研發設計、生產制造、自主品牌為一體的一站式激光·智動化刀片智能裁解決方案，更好地滿足全市乃至全國電子電器、新能源電池、紡織服裝等支柱性產業和新興行業的應用需求。

23、英飛凌泰國功率模塊組裝新廠動工，計劃于2026年初投入運營

英飛凌已在泰國曼谷南部的北欖府開始建設一座新的高度自動化后端組裝廠，用于生產功率模塊。首座建筑計劃于2026年初投入運營，但公司尚未提供預期的產能或技術水平。進一步的產能提升將根據市場需求靈活管理。

該項目得到了泰國投資委員會（BOI）的支持。這座高度自動化的工廠將在英飛凌多樣化制造布局中發揮關鍵作用，因為全球脫碳和氣候保護努力推動了功率模塊的需求，例如在工業應用和可再生能源領域。“隨著脫碳和數字化成為半導體產業的強勁結構性增長驅動力，我們正在泰國建立一座最先進的后端工廠，以滿足未來客戶需求并增強供應鏈韌性。這項投資是我們戰略的關鍵一步，旨在進一步多樣化我們的制造足跡并優化成本，同時匹配前端產能的擴張。”英飛凌首席運營官Rutger Wijburg表示，“我們的新后端基地設計高效、韌性強、質量高，確保我們能夠可靠地向客戶交付高質量產品。

24、總投資3億元，湃芯半導體設備研發生產項目簽約

1月14日下午，高新區舉行半導體設備研發生產項目簽約活動。

湃芯半導體設備研發生產項目總投資3億元，建設第三代半導體和先進封裝前后道設備的組裝與調試生產線，產品包括IGBT貼片機、SIC貼片機、碳化硅激光退火及先進封裝ECD設備等，預計年產值1億元。項目投產后將進一步完善全區智能制造產業鏈條，為半導體產業發展夯實基礎，助推全區“359”現代化產業體系建設。

25、格創·華芯砷化鎵晶圓生產基地項目完成竣工驗收

近日，格創·華芯砷化鎵晶圓生產基地項目順利通過竣工驗收。

據悉，格創·華芯砷化鎵晶圓生產基地項目總投資33.87億元，被認證為廣東省重點項目、珠海市產業立柱項目，以化合物半導體晶圓代工技術創新為主導，致力于打造具有國際領先水平的化合物半導體工藝平臺，推出高品質、高良率的制程技術，全力協助國內企業實現射頻芯片國產化制造，成為中國最大的射頻晶圓代工廠，推動射頻科技自立自強。

去年底，華芯微電子首條6寸砷化鎵晶圓生產線正式調通，并生產出第一片6寸2um砷化鎵HBT晶圓，將于2025年上半年實現大規模量產。該晶圓具備高增益、高效能的特性，可應用于先進5G Phase 7/8手機功率放大器模組以及Wi-Fi 6/7等設備。格創·華芯砷化鎵晶圓生產基地項目是格力集團為華芯半導體旗下華芯微電子定制化打造的5.0產業新空間，為助力射頻芯片加快國產化替代進程，聯合中芯聚源，于2023年助力華芯（珠海）半導體有限公司完成A輪融資，并推動格創·華芯砷化鎵晶圓生產基地落地珠海高新區。