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電源芯片SF1538DP動態(tài)調(diào)整率好精度高

開關(guān)電源芯片 ? 來源:開關(guān)電源芯片 ? 2023-12-28 16:29 ? 次閱讀

電源芯片SF1538DP動態(tài)調(diào)整率好精度高

副邊反饋控制(SSR)方案,空載范圍大都可以空載在±0.2V以內(nèi),動態(tài)調(diào)整率較好。比如在充電器領(lǐng)域,直接對電池充電的應用,一般會對空載電壓精度要求高,可以選擇副邊電源IC+恒流芯片來做。副邊電源芯片SF1538DP既可達到要求,又可以節(jié)約成本,今天就分享給小伙伴們!

NO1

電源芯片SF1538DP封裝形式DIP-8,內(nèi)置高功率MOSFET管,耐壓650V;可編程外部過溫保護OTP,專利的“零OCP恢復間隙控制”避免低壓啟動失敗;內(nèi)置4ms軟啟動,管腳浮空保護,超低啟動電流;內(nèi)置頻率抖動改善EMI,內(nèi)置高低壓過濾補償實現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線;內(nèi)置同步斜率補償,逐周期電流限制;內(nèi)置前沿消隱。

NO2

電源芯片SF1538DP引腳說明:

1 RT 此引腳是控制開關(guān)頻率。

2 VDD 芯片供電腳。

3 FB系統(tǒng)反饋管腳。輔助繞組電壓經(jīng)電阻分壓后送至FB管腳,用于CV模式輸出電壓控制及CC模式輸出電流控制。

4 CS 電流采樣輸入腳。

5-6 Drain 內(nèi)置功率MOSFET漏極。

7-8 GND 芯片參考地。

NO3

電源芯片SF1538DP極大的提高了芯片的利用率,主要特點有:

&內(nèi)置高功率MOSFET管,耐壓650V

&可編程外部過溫保護OTP

&專利的“零OCP恢復間隙控制”避免低壓啟動失敗

&內(nèi)置軟啟動,管腳浮空保護

&超低啟動電流

&內(nèi)置頻率抖動改善EMI

&內(nèi)置同步斜率補償,逐周期電流限制

&內(nèi)置前沿消隱

SF1538DP

電源芯片SF1538DP在230VAC(±15%)下,典型輸出功率18W-26W;在85-265VAC下,典型輸出功率15W-18W。支持手持數(shù)碼適配器,電視、電腦輔助電源,手機、平板充電器,LED驅(qū)動電源和替代線性電源等應用。對需要一顆副邊反饋/內(nèi)置MOSFET小功率電源芯片的小伙伴來說,值得考慮入手這款電源芯片SF1538DP!








審核編輯:劉清

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原文標題:電源芯片SF1538DP動態(tài)調(diào)整率好精度高

文章出處:【微信號:gh_3980db2283cd,微信公眾號:開關(guān)電源芯片】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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