華為、哈工大聯(lián)手：基于硅和金剛石的三維集成芯片專(zhuān)利公布
最近，華為技術(shù)有限公司和哈爾濱工業(yè)大學(xué)申請(qǐng)的“一種基于硅和金剛石的三維集成芯片的混合鍵合方法”專(zhuān)利被公布為cn116960057a。
摘要本發(fā)明涉及芯片制造技術(shù)領(lǐng)域。硅基的cu/sio2混合結(jié)合樣品和金剛石基礎(chǔ)的cu/sio2混合結(jié)合樣品的準(zhǔn)備后，進(jìn)行等離子體活性。經(jīng)等離子體活性處理后，將cu/sio2混合結(jié)合試料浸泡在有機(jī)酸溶液中清洗后干燥。硅基/或者金剛石基cu/sio2混合結(jié)合樣本的干燥后結(jié)合降低大氣表面氟化氫酸溶液硅基/金剛石基cu/sio2混合結(jié)合使樣本量身定制，預(yù)結(jié)算獲得的芯片，詞典結(jié)合打開(kāi)壓縮芯片結(jié)合，退火處理，但獲得混合結(jié)合雙樣品。該發(fā)明實(shí)現(xiàn)了以cu/sio2混合結(jié)合為基礎(chǔ)的硅/金剛石的三維異質(zhì)集成。
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