美光公司公布了將業界最高的 1β （1-beta） 技術擴展的16gb ddr5內存。美光公司的 1β DDR5 DRAM 最大功能為7200 mt/s，目前提供給所有數據中心和電腦客戶。美光公司以 1β 為基礎的ddr5內存使用了先進的高k cmos技術、4相時鐘和時鐘同步，與以前的產品相比，最大提高了50%，每瓦提高了33%的性能。

隨著數據中心工作負載所需cpu核心數量的增加，對更高內存帶寬和容量的要求增加，克服了“內存墻”問題，優化了總擁有費用。美光公司的 1β DDR5 DRAM 可以進一步擴展性能，支持數據中心和客戶端平臺之間的人工智能（ai）訓練和推理、生成ai、數據分析和內存數據庫（imdb）應用程序。新的 1β DDR5 DRAM 產品線為數據中心和客戶端應用提供了目前在4800 mt/s到7200 mt/s之間的模塊密度。

美光計算設計集團副總裁布萊恩- callaway表示：“ 1β DDR5 DRAM 的客戶端及數據中心平臺的量產和上市是業界的重要里程碑?！蓖ㄟ^與生態伙伴及客戶的合作，推動這些高性能存儲產品的迅速采用?！?/p>

美光公司的 1β 技術提供了廣泛的基于內存的解決方案組合。其中包括使用 16Gb、24Gb 和 32Gb DRAM 芯片的 DDR5 RDIMM 和 MCRDIMM、使用 16Gb 和 24Gb DRAM 芯片的 LPDDR5X、HBM3E 和 GDDR7。

內存的名稱由20nm節點變更為10nm，但更仔細地看，從1x、1y、1z分為1z三代，后面是1α，1β，1γ。

在1α，1β，1γ這三代中，三星開始對1使用euv技術，但代價和成本都很高。美光目前批量生產的一技術是最先進的。

1β工藝水平相當于13納米，而美光公司仍然沒有使用euv工程，因此可以避免使用昂貴的攝影師。美光公司通過第二代HKMG工藝、ArF浸液多重光刻等工藝代替euv光刻，在1β存儲器上提高了35%的存儲器密度，節約了15%的電力。