半導體材料是信息技術產業的基石，Ga2O3、金剛石等超寬禁帶半導體，GaN、SiC等寬禁帶半導體前景廣闊。Ga2O3是大功率、高效率、特高壓器件的理想選擇，是高靈敏、高響應日盲紫外探測器的天然材料。從Ga2O3材料國內外發展形勢來看，Ga2O3產業化時間短、技術差距小、產品應用面廣、市場空間巨大。美國、日本已對中國全面禁運Ga2O3襯底材料和相關器件設備。我國Ga元素儲量豐富，提煉技術先進，大尺寸Ga2O3單晶襯底實現低成本生產。

近日，“2023功率與光電半導體器件設計及集成應用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）指導，西安交通大學、極智半導體產業網（www.casmita.com）、第三代半導體產業主辦，西安電子科技大學、中國科學院半導體研究所、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟人才發展委員會、全國半導體應用產教融合（東莞）職業教育集團聯合組織、西安和其光電股份有限公司等單位協辦。

期間，“平行論壇2：光電子器件及應用”上，廈門大學徐翔宇帶來了“氧化鎵缺陷、合金化電子結構調控及日盲光電探測器研究”的主題報告，報告分享了高性能Ga2O3光電探測器的性能調控，以及Al/In合金化薄膜的光電調控和電子結構的研究進展與成果。

研究顯示，通過對外延薄膜后退火處理，獲得高響應度、高探測率的日盲紫外光電探測器，實現對實際日盲信號的靈敏響應。解釋了器件性能的大幅改善，是受到了由退火引起的缺陷以及表面狀態變化的共同影響。通過對Ga2O3進行Al/In合金化，實現了大范圍的帶隙調控，制備出了能夠響應全日盲波段的紫外光電探測器，并解釋了合金組分的引入對能帶結構的影響。





審核編輯：劉清