MASTERGAN4介紹

ST推出世界首款集成半橋驅動IC和一對氮化鎵（GaN）的MASTERGAN產品平臺。該解決方案可用于最高400W以下的一代消費性電子、工業充電器，以及電源轉接器等。MASTERGAN4是一款集成了柵極驅動器和兩個半橋配置增強型GaN功率晶體管的先進功率系統封裝。集成功率GaN具有650V漏源阻斷電壓和225m?的RDS（ON）, 而嵌入式柵極驅動器的高側可以容易地由集成自舉二極管提供,以及優化的柵極驅動器和電路保護功能，可簡化高達200W的高能功率轉換應用的設計。GaN晶體開發性能出色，工作頻率更高，能效更高，散熱發熱更少，設計人員可以選用尺寸更小的磁性元件和散熱器，適用尺寸更小，更輕的電源，充電器和適配器。

作為ST MasterGaN系列的最新產品，MasterGaN4解決了復雜的柵極控制及電路布局難題，簡化了寬頻GaN功率半導體的應用設計，MasterGaN4的輸入電壓可以3.3V-15V, 可以直接連接到控制器，例如：霍爾效應感測器或微控制器、DSP處理器、FPGA可程式設計等CMOS IC。MasterGaN4非常適用于對稱半橋拓樸及軟開關拓樸：有源鉗位反激和有源鉗位正激變換器。

MASTERGAN4在下部和上部驅動部分都具有UVLO保護，防止電源開關在低效或危險條件下運行，并且聯鎖功能避免了交叉導通情況。4.75V-9.5V的寬電源電壓方便MasterGaN4連接到現有電源軌。內置保護功能包括柵極驅動器互鎖、高低邊欠壓鎖定(UVLO)以及過熱保護，可進一步簡化應用設計。還有一個專用的關斷引腳。

MASTERGAN4在-40°C至125°C的工業溫度范圍內工作，采用9mm x 9mm x 1mm GQFN封裝，超過2mm的爬電距離確保在高壓應用中的使用安全。

技術規格：

?集成半橋柵極驅動器和高壓GaN功率晶體管的600 V封裝系統：

–QFN 9 x 9 x 1 mm封裝

–RDS（開啟）=225m?

–IDS（最大）=6.5 A

?反向電流能力

?零反向恢復損失

?低壓側和高壓側的UVLO保護

?內部自舉二極管

?聯鎖功能

?停機功能專用引腳

?精確的內部計時匹配

?3.3 V至15 V兼容輸入，具有滯后和下拉功能

?過熱保護

?物料清單減少

?非常緊湊和簡化的布局

?靈活、簡單、快速的設計

可應用的范圍：

?開關模式電源

?充電器和適配器

?高壓PFC、DC-DC和DC-AC轉換器

器件封裝圖：

管腳分布圖：

典型應用圖：