具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的LMG341xR150 600V 150mΩ GaN數(shù)據(jù)表
資料介紹
LMG341xR150 GaN 功率級(jí)具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能,可讓設(shè)計(jì)人員在電力電子系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。LMG341x 的固有優(yōu)勢(shì)超越硅 MOSFET,包括超低輸入和輸出電容值、可將開(kāi)關(guān)損耗降低 80% 的零反向恢復(fù)以及可降低 EMI 的低開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴。這些優(yōu)勢(shì)支持諸如圖騰柱 PFC 之類(lèi)的密集高效拓?fù)洹?/p>
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