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開關電源MOS管的工作損耗計算

微云疏影 ? 來源:維庫 ? 作者:維庫 ? 2023-06-24 09:26 ? 次閱讀

耗計算式計算:

× RDS(on) × K ×

截止損耗計算:

× IDSS ×( 1-Don )

會依 VDS(off) 變化而變化,如計算得到的漏源電壓 VDS(off) 很大以至接近 V(BR)DSS 則可直接引用此值。

開啟過程損耗計算:

開啟過程 VDS(off_on)(t) 與 IDS(off_on)(t) 交叉波形如上圖所示。首先須計算或預計得到開啟時刻前之 VDS(off_end) 、開啟完成后的 IDS(on_beginning) 即圖示之 Ip1 ,以及 VDS(off_on)(t) 與 IDS(off_on)(t) 重疊時間 Tx 。然后再通過如下公式計算:

×∫ Tx VDS(off_on)(t) × ID(off_on)(t) ×

關斷過程損耗

首先須計算或預計得到關斷完成后之漏源電壓 VDS(off_beginning) 、關斷時刻前的負載電流 IDS(on_end) 即圖示之 Ip2 以及 VDS(on_off) (t) 與 IDS(on_off)(t) 重疊時間 Tx 。

然后再通過 如下公式計算:

×∫ Tx VDS(on_off) (t) × IDS(on_off)(t) ×

驅動損耗的計算:

× Qg ×

電容的泄放損耗計算:

首先須計算或預計得到開啟時刻前之 VDS ,再通過如下公式進行計算:

× VDS(off_end)2 × Coss ×

體內寄生二極管正向導通損耗計算:

利用體內寄生二極管進行載流的應用中(例如同步整流),需要對此部分之損耗進行計算。公式如下:

× VDF × tx ×

體內寄生二極管反向恢復損耗計算:

公式如下:

Pd_recover=VDR × Qrr × fs

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