色哟哟视频在线观看-色哟哟视频在线-色哟哟欧美15最新在线-色哟哟免费在线观看-国产l精品国产亚洲区在线观看-国产l精品国产亚洲区久久

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

碳化硅功率器件及應用

國晶微第三代半導體碳化硅SiC ? 來源:國晶微第三代半導體碳化 ? 2023-05-10 09:43 ? 次閱讀

碳化硅(SiC)半導體材料是自第一代元素半導體材料(Si、Ge)和第二代化合物半導體材料(GaAs、GaP、InP等)之后發展起來的第三代半導體材料。作為一種寬禁帶半導體材料,碳化硅具有禁帶寬度大、擊穿場強高、熱導率大、載流子飽和漂移速度高、介電常數小、抗輻射能力強、化學穩定性良好等特點,可以用來制造各種耐高溫的高頻大功率器件,應用于硅器件難以勝任的場合,或在一般應用中產生硅器件難以產生的效果。

1.碳化硅材料的特點

SiC材料的一個顯著特點是同質多型,制作器件最常用的是4H-SiC和6H-SiC兩種。如表1所示,和傳統的半導體材料,如Si、GaAs等相比,SiC材料具有更高的熱傳導率(3~13倍),使得SiC器件可以在高溫下長時間穩定工作;更高的臨界擊穿電場(4~20倍)和更大的載流子飽和速率,有利于提高器件的工作頻率。

2.SiC材料制備

SiC單晶的制備最常用的方法是物理氣相傳輸(PVT),大約占晶圓供應量的90%以上。此外,高溫化學氣相淀積(CVD)也越來越重要,該方法能產生極低雜質含量的晶錠。同時,這兩種方法均可應用于制備SiC外延。20世紀50年代Lely使用兩層石墨舟,使外層的坩堝加熱到2500℃,SiC透過里層的多空石墨升華進入內層形成晶體。70年代后期,Tairrov和Tsvetkov對Lely法進行了改進,SiC源在石墨舟的底部,底部溫度達2200℃,頂部溫度較低并放置籽晶,溫度梯度為20~40℃/cm,這種方法又稱為PVT。

由于SiC單晶的制備難度較大,成本高,因此SiC外延生長在SiC器件技術中舉足輕重。對于不同的襯底,生長SiC外延可以分為兩種:以SiC為襯底的同質外延生長和以Si和藍寶石為襯底的異質外延生長。自從較大直徑的SiC晶片商業化后,SiC同質外延生長技術發展很快,SiC同質外延生長主要采用以下方法:升華或物理氣相傳輸(PVT)、分子束外延(MBE)、液相外延(LPE)及化學氣相淀積(CVD)。

分子束外延法將原材料進行蒸發并作為分子束進行傳輸,最后到達經過預熱、處于旋轉狀態的襯底。這種方法可以提供高純質量、高精準厚度、低溫(600~1200℃)的外延層。液相外延是一種相對比較簡單而且成本較低的生長方法,生長發生在三相平衡線上,但這種方法對外延層表面形貌難以進行很好地控制,進而限制了LPE的使用。

1deefba0-ee6f-11ed-90ce-dac502259ad0.png

化學氣相淀積法中,襯底放在旋轉同時被加熱的石墨托盤上,氣相的分子束擴散到襯底表面并分解,由襯底表面吸收后與表面反應,形成外延層。這種方法目前是SiC襯底生產的主要外延工藝。

3.SiC功率器件及應用

SiC功率器件主要包括功率二極管(SBD和PiN等)、單極型功率晶體管(MOSFET、JFET和SIT等)和雙極型載流子功率晶體管(BJT和GTO等)。

3.1功率二極管

肖特基勢壘二極管(SBD)作為一種單極性器件,在導通過程中沒有額外載流子注入和儲存,因而基本沒有反向恢復電流,其關斷過程很快,開關損耗很小。由于碳化硅材料的臨界雪崩擊穿電場強度較高,可以制作出超過1000V的反向擊穿電壓。在3kV以上的整流器應用領域,由于SiC PiN二極管與Si器件相比具有更快的開關速度、高結溫承受能力、高電流密度和更高的功率密度,SiC PiN二極管在電力設備、能量儲備、超高壓固態電源領域扮演更重要的角色。

3.2單極型功率晶體管

碳化硅MOSFET的突出優勢體現在:導通電阻小;低電容,開關速度快;驅動電路簡單;正溫度系數易于并聯。因而,應用碳化硅MOSFET能夠提高系統的效率,降低散熱需求,提高開關頻率且增加雪崩強度。這些優勢決定了其在太陽能轉換器、高壓DC/DC變換器和電機驅動等領域中具有廣闊的應用。由于SiC MOSFET存在溝道電子遷移率和SiO2層擊穿的問題,因此作為沒有肖特基接觸和MOS界面的單極器件SiC JFET就很有吸引力。SiC JFET有著優良的特性和結構和相對簡化的制造工藝。SiC JFET產品分為常開溝道型(normally-on)和常閉溝道型(normally-off)兩種,其中常閉溝道型能夠與現有的標準柵極驅動芯片相匹配,而常開溝道型則需要負壓維持關斷狀態。SIT(靜電感應晶體管),主要用于從超高頻到微波頻率的大功率放大器和發射器、電源調節設備中的大功率轉換。

3.3雙極型載流子功率晶體管

SiC雙極型功率器件BJT因SiC臨界雪崩擊穿電場強度是Si的10倍,而比Si BJT的二次擊穿臨界電流密度高100倍,不會有Si BJT那樣嚴峻的二次擊穿問題,此外,臨界雪崩擊穿電場強度高這一材料優勢也使SiC BJT在相同的阻斷電壓下可比Si BJT有較窄的基區和集電區,這對提高電流增益β和開關速度十分有利,SiC BJT主要分為外延發射極和離子注入發射極BJT,典型的電流增益在10~50之間。與碳化硅功率MOS相比,對3kV以上的阻斷電壓,碳化硅晶閘管的通態電流密度可以提高幾個數量級,特別適合高壓大電流開關方面的應用。對碳化硅晶閘管的開發主要集中于GTO,目前阻斷電壓最大的GTO器件,阻斷電壓為12.7kV。

SiC材料的優良特性及SiC功率器件的巨大性能優勢,激勵著人們不斷地研究與開發,隨著大尺寸SiC晶圓生長技術和器件制造技術的的發展,SiC功率器件將在民用和軍事方面得到更廣泛的應用。

無錫國晶微半導體技術有限公司是寬禁帶第三代半導體碳化硅SiC功率器件、氮化鎵GaN光電器件以及常規集成電路研發及產業化的高科技創新型企業,從事碳化硅場效應管,碳化硅肖特基二極管、GaN光電光耦繼電器、單片機集成電路等產品芯片設計、生產與銷售并提供相關產品整體方案設計配套服務,總部位于江蘇省無錫市高新技術開發區內,并在杭州、深圳和香港設有研發中心和銷售服務支持中心及辦事處。

公司具有國內領先的研發實力,專注于為客戶提供高效能、低功耗、低阻值、品質穩定的碳化硅高低功率器件及光電集成電路產品,同時提供一站式的應用解決方案和現場技術支持服務,使客戶的系統性能優異、靈活可靠,并具有成本競爭力。

公司的碳化硅功率器件涵蓋650V/2A-100A,1200V/2A-90A,1700V/5A-80A等系列,產品已經投入批量生產,產品完全可以對標國際品牌同行的先進品質及水平。先后推出全電流電壓等級碳化硅肖特基二極管、通過工業級、車規級可靠性測試的碳化硅MOSFET系列產品,性能達到國際先進水平,應用于太陽能逆變電源、新能源電動汽車及充電樁智能電網、高頻電焊、軌道交通、工業控制特種電源、國防軍工等領域。由于其具有高速開關和低導通電阻的特性,即使在高溫條件下也能體現優異的電氣特性,大幅降低開關損耗,使元器件更小型化及輕量化,效能更高效,提高系統整體可靠性,可使電動汽車在續航里程提升10%,整車重量降低5%左右,并實現設計用充電樁的高溫環境下安全、穩定運行。

特別在高低壓光耦半導體技術方面更是擁有業內領先的研發團隊。在國內創先設計開發了28nm光敏光柵開關PVG芯片技術,并成功量產應用于60V、400V、600V高低壓、低內阻、低電容的光電耦合繼電器芯片、涵蓋1500kVrms SOP超小封裝及3750kVrms隔離增強型常規SMD、DIP等不同封裝,單路、雙路、混合雙路、常開常閉等電路產品,另包括200V SOI MOS/LIGBT集成芯片、100V CMOS/LDMOS集成芯片、8bit及32bit單片機等集成電路產品,均獲得市場及各重點科研單位、檢測機構的新產品認定。

公司核心研發團隊中大部分工程師擁有碩士及以上學位,并有多名博士主持項目的開發。公司建立了科技創新和知識產權管理的規范體系,在電路設計、半導體器件及工藝設計、可靠性設計、器件模型提取等方面積累了眾多核心技術,擁有多項國際、國內自主發明專利。

“國之重器,從晶出發,自強自主,成就百年”是國晶微半導體的企業目標,我們為員工提供精彩的發展空間,為客戶提供精良的產品服務,我們真誠期待與您攜手共贏未來。

審核編輯:湯梓紅

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 半導體
    +關注

    關注

    334

    文章

    27687

    瀏覽量

    221413
  • 功率器件
    +關注

    關注

    41

    文章

    1794

    瀏覽量

    90557
  • SiC
    SiC
    +關注

    關注

    29

    文章

    2880

    瀏覽量

    62830
  • GaAs
    +關注

    關注

    2

    文章

    510

    瀏覽量

    23031
  • 碳化硅
    +關注

    關注

    25

    文章

    2816

    瀏覽量

    49185

原文標題:碳化硅功率器件及應用!

文章出處:【微信號:國晶微第三代半導體碳化硅SiC,微信公眾號:國晶微第三代半導體碳化硅SiC】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關推薦

    【羅姆BD7682FJ-EVK-402試用體驗連載】基于碳化硅功率器件的永磁同步電機先進驅動技術研究

    項目名稱:基于碳化硅功率器件的永磁同步電機先進驅動技術研究試用計劃:申請理由:碳化硅作為最典型的寬禁帶半導體材料,近年來被越來越廣泛地用于高頻高溫的工作場合。為了提高永磁同步電機伺服控
    發表于 04-21 16:04

    如何加快碳化硅功率器件“上車”

    據柏松介紹,中國電子科技集團2021年已經量產車載充電器用的碳化硅功率器件,2022年第二代產品的裝車量超過100萬臺。
    發表于 02-15 13:48 ?238次閱讀

    碳化硅功率器件的可靠性應用

    碳化硅功率器件在新能源汽車領域的應用主要有以下幾個方面。
    的頭像 發表于 04-27 14:05 ?891次閱讀

    碳化硅功率器件的基本原理及優勢

    ? 隨著新能源汽車的快速發展,碳化硅功率器件在新能源汽車領域中的應用也越來越多。碳化硅功率器件
    的頭像 發表于 09-05 09:04 ?2720次閱讀

    碳化硅功率器件的結構和工作原理

    碳化硅功率器件是一種利用碳化硅材料制作的功率半導體器件,具有高溫、高頻、高效等優點,被廣泛應用于
    發表于 09-28 18:19 ?1732次閱讀

    碳化硅功率器件的特點和應用現狀

      隨著電力電子技術的不斷發展,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新型的半導體材料,在電力電子領域的應用越來越廣泛。與傳統的硅功率器件相比,
    的頭像 發表于 12-14 09:14 ?804次閱讀

    碳化硅功率器件的原理和應用

    隨著科技的快速發展,碳化硅(SiC)功率器件作為一種先進的電力電子設備,已經廣泛應用于能源轉換、電機控制、電網保護等多個領域。本文將詳細介紹碳化硅
    的頭像 發表于 12-16 10:29 ?1351次閱讀

    碳化硅功率器件的實用性不及硅基功率器件

    碳化硅功率器件的實用性不及硅基功率器件嗎? 碳化硅功率
    的頭像 發表于 12-21 11:27 ?652次閱讀

    碳化硅功率器件的優勢應及發展趨勢

    隨著科技的不斷進步,碳化硅(SiC)作為一種新型的半導體材料,在功率器件領域的應用越來越廣泛。碳化硅功率
    的頭像 發表于 01-06 14:15 ?799次閱讀

    碳化硅功率器件簡介、優勢和應用

    碳化硅(SiC)是一種優良的寬禁帶半導體材料,具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數等特點,因此在高溫、高頻、大功率應用領域具有顯著優勢。碳化硅功率
    的頭像 發表于 01-09 09:26 ?3001次閱讀

    碳化硅功率器件的優點和應用

    碳化硅(SiliconCarbide,簡稱SiC)功率器件是近年來電力電子領域的一項革命性技術。與傳統的硅基功率器件相比,
    的頭像 發表于 09-11 10:44 ?622次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的優點和應用

    碳化硅功率器件的原理簡述

    隨著科技的飛速發展,電力電子領域也迎來了前所未有的變革。在這場變革中,碳化硅(SiC)功率器件憑借其獨特的性能優勢,逐漸成為業界關注的焦點。本文將深入探討碳化硅
    的頭像 發表于 09-11 10:47 ?604次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的原理簡述

    碳化硅功率器件的優勢和應用領域

    在電力電子領域,碳化硅(SiC)功率器件正以其獨特的性能和優勢,逐步成為行業的新寵。碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料,具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數等特點,使得
    的頭像 發表于 09-13 10:56 ?808次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的優勢和應用領域

    碳化硅功率器件的工作原理和應用

    碳化硅(SiC)功率器件近年來在電力電子領域取得了顯著的關注和發展。相比傳統的硅(Si)基功率器件碳化
    的頭像 發表于 09-13 11:00 ?689次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的工作原理和應用

    碳化硅功率器件有哪些應用領域

    碳化硅功率器件作為下一代半導體技術的重要代表,以其優越的性能和廣闊的應用前景,成為能源革命中的重要推動力。本文將從市場資訊的角度,深入探討碳化硅功率
    的頭像 發表于 10-24 15:46 ?539次閱讀
    主站蜘蛛池模板: 日韩精品免费在线观看 | 日本高清免费在线观看 | 中文字幕无码亚洲视频 | 男人女人边摸边吃奶边做 | 日韩爽爽影院在线播放 | 日日AV夜夜添久久奶无码 | 久久妇女高潮几次MBA | 青娱乐在线一区 | 西施打开双腿下面好紧 | 丰满的寡妇hd高清在线观看 | 热久久综合这里只有精品电影 | 父亲在线日本综艺免费观看全集 | 亚洲99精品A片久久久久久 | 美丽的姑娘BD在线观看 | 入禽太深免费观看 | 玩高中女同桌肉色短丝袜脚文 | 免费的av不用播放器的 | 综合网伊人 | 国产精品JIZZ视频免费 | 亚洲区视频在线观看 | 久久精品国产色蜜蜜麻豆国语版 | 任你懆视频 这里只有精品 人与人特黄一级 | 99视频在线免费看 | 京香在线观看 | 大学生高潮无套内谢视频 | 赤兔CHINESE最新男18GUY | 国产亚洲精品在浅麻豆 | 国产精品高清在线观看93 | 欧美亚洲日韩国码在线观看 | 欧美含羞草免费观看全部完 | 精品无码久久久久久久动漫 | 麻豆精品乱码WWW久久密 | 快播金瓶梅 | av狼新人开放注册区 | 疯狂第一次国语 | 国产亚洲精品久久无码98 | 香蕉久久av一区二区三区 | 亚洲精品国产在线观看 | 啪啪激情婷婷久久婷婷色五月 | 沦为公交两奶头春药高潮迭起 | 亚洲精品理论电影在线观看 |