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電源layout布局

硬件設(shè)計(jì)解析 ? 來(lái)源:愛(ài)搞研究的阿燦 ? 作者:愛(ài)搞研究的阿燦 ? 2023-03-29 14:47 ? 次閱讀

電源layout布局

1. Layout布局推薦及要求

1.1 布線(xiàn)基本原則

1)輸入電源與輸出電源需要通過(guò)GND隔離,且避免平行走線(xiàn)。
??2)功率電路與控制電路需分區(qū)域布局,避免重疊。
??3)低頻信號(hào)線(xiàn)需遠(yuǎn)離高頻信號(hào)線(xiàn)。
??4)高di/dt、dv/dt走線(xiàn)盡可能短。
??5)線(xiàn)徑間距要求要滿(mǎn)足爬電要求、3W、3H;大電流電源線(xiàn)徑加粗,保證電源平面更好。

1.2 線(xiàn)寬原則

1)線(xiàn)寬由流過(guò)的電流大小決定,大電流走線(xiàn)要提供足夠的線(xiàn)寬,優(yōu)化效率減少發(fā)熱;特別是LX節(jié)點(diǎn),由條件的情況下可以使用鋪銅。
??2)控制電路線(xiàn)寬至少20mil,例如Vcc,AGND(SGND);為了減少柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)(DH、DL)阻抗,建議使用25mil線(xiàn)寬;其他信號(hào)線(xiàn)寬至少10mil。

1.3 旁路/去耦電容

1)輸入電容、旁路電容應(yīng)該盡量靠近DC-DC芯片放置。
??2)旁路電容必須盡量靠近DC-DC芯片的輸入電源引腳,輸入電容可以放置在距離DC-DC芯片大約1 inch 范圍內(nèi)。
??3)多個(gè)電容時(shí),小容值、小封裝靠近IC

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注意:根據(jù)上述所講對(duì)半徑和過(guò)孔方式選擇。

1.4 過(guò)孔設(shè)計(jì)

1)電流方向相同:過(guò)孔之間的中心距離應(yīng)大于過(guò)孔的長(zhǎng)度。
??2)電流方向相反:過(guò)孔之間的中心距離應(yīng)小于過(guò)孔的長(zhǎng)度。
??3)過(guò)孔VIa位置選擇。

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1.5 接地方式

1)單點(diǎn)接地,保持整個(gè)地平面。
??2)模擬地和數(shù)字地需采用單點(diǎn)連接的方法。

85bceb8c-cd3d-11ed-a826-dac502259ad0.png

1.6 熱設(shè)計(jì)

1)在MOSFET、電感周?chē)峁┳銐虻匿併~,改善散熱;增加過(guò)孔,利用裸焊盤(pán)改善電路板散熱。

1.7 電感設(shè)計(jì)

1)遠(yuǎn)離干擾電路(時(shí)鐘電路、通訊電路、模擬采樣電路等)。
??2)DC-DC變換器是一個(gè)較強(qiáng)的電磁場(chǎng)干擾源,通常其EMI頻譜范圍自開(kāi)關(guān)頻率延伸至100MHz以上。為了減小電容性耦合和磁場(chǎng)環(huán)路耦合,必須將DC-DC變換器遠(yuǎn)離其它電路,尤其是小信號(hào)模擬電路。
??3)對(duì)于輸出多路的開(kāi)關(guān)電源盡量使相鄰電感之間垂直放置,避免電感磁干擾進(jìn)行疊加。

85db46cc-cd3d-11ed-a826-dac502259ad0.png


??4)功率電感地平面鋪銅分析:
??①鋪銅影響:1.降低電感感量;2.增加系統(tǒng)損耗;3.增加GND平面噪音。
??②鋪銅好處:1.有利于EMI;2.因?yàn)槭瞧帘坞姼袑?duì)電感感量影響不大;3.可以幫助電感進(jìn)行散熱。
??③電感分類(lèi):1.非屏蔽工字形電感,磁力線(xiàn)會(huì)完全暴露在空氣中;2.半屏蔽電感,在非屏蔽工字形電感外圍增加磁屏蔽材料,漏磁量有限;3.一體成型電感,在工藝中將繞組和導(dǎo)磁材料一次鑄造而成,基本沒(méi)有磁力線(xiàn)溢出。

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④鋪銅感量結(jié)論:
??1.感量變化如下圖所示:

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??2.鋪銅EMI結(jié)論:
??(1)首先講一下渦流效應(yīng),可以更好的想象電感的磁場(chǎng):交變磁場(chǎng)經(jīng)過(guò)導(dǎo)體表面,根據(jù)電磁感應(yīng)定律,會(huì)在導(dǎo)體表面形成感應(yīng)電流,感應(yīng)電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)方向總是起到削弱原磁場(chǎng)大小的作用,這就是渦流效應(yīng)。

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??(2) BUCK電路未鋪銅原始模型如圖所示:沒(méi)有鋪銅時(shí),漏磁會(huì)溢出到空氣中。
?????BUCK電路鋪銅原始模型如圖所示:當(dāng)電感下面鋪銅后會(huì)產(chǎn)生渦流效應(yīng),渦流的作用時(shí)抵消部分漏感產(chǎn)生的磁場(chǎng),減少對(duì)元器件的影響。

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86eba12e-cd3d-11ed-a826-dac502259ad0.png


??(3)EMI濾波器參考:將EMI濾波器以及連接器置于PCB背面,可以更好切斷EMI的傳播途徑,可以參考下圖所示。

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??⑤鋪銅結(jié)論:

8725a9fa-cd3d-11ed-a826-dac502259ad0.png

1.8 噪聲優(yōu)化

1)由于肖特基二極管一端連接DC-DC芯片的SW引腳,該引腳的信號(hào)為矩形波,若布線(xiàn)過(guò)長(zhǎng),走線(xiàn)的寄生電感就會(huì)很容易拾取到噪聲,附加在SW信號(hào)中,形成噪聲尖峰。肖特基二極管的布局基本要點(diǎn)是緊靠IC放置,并采用短且寬的線(xiàn)直接連接DC-DC芯片的SW引腳和GND引腳。
??2)反饋采樣電阻盡量靠近DC-DC芯片F(xiàn)B引腳。反饋?zhàn)呔€(xiàn)要盡可能短,但是要遠(yuǎn)離噪聲源比如電感和二極管,有時(shí)為了避開(kāi)噪聲源,走線(xiàn)走得長(zhǎng)一些也是必要的。

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