SiC(碳化硅)器件作為第三代半導體,具有禁帶寬度大、熱導率高、電子飽和遷移速率高和擊穿電場高等特性,碳化硅器件在高溫、高壓、高頻、大功率電子器件領域和新能源汽車、光伏、航天、軍工等環境應用領域有著不可替代的優勢...以下針對SiC器件進行深度分析:
審核編輯:郭婷
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原文標題:第三代半導體:SiC碳化硅深度產業分析【推薦】
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