從金譽(yù)半導(dǎo)體上一篇文章中，我們可以看出，按照MOSFET的內(nèi)部導(dǎo)通原理來說，所有管子id電流是可以雙向流過的，讓人感覺似乎使用時(shí)D－S可以互換，也有很多資料在做功能或者產(chǎn)品對(duì)比時(shí)，也表明D-S可以互換，大多一筆帶過不做深入解釋。

那區(qū)分D/S極的意義何在？只是為了討論電流流向和計(jì)算的時(shí)候方便嗎？

前文我們了解到，MOS管的電流從源極S出發(fā)，流向漏極D。電流方向由D指向S，稱為漏極電流ID，因此MOS管的源極和漏極就是場效應(yīng)管的D極和S極。

從生產(chǎn)工藝上看，場效應(yīng)管的D極和S極是對(duì)稱的，使用時(shí)并無本質(zhì)區(qū)別。所以可以互換這個(gè)說法并沒有什么問題。

但制造MOSFET時(shí)，因?yàn)橛畜w二極管（Body Diode）并在D-S之間，故實(shí)際應(yīng)用時(shí)D－S根本就是不能互換了；體二極管是MOSFET制程過程中，天然形成的，沒有辦法避免。如下圖：

作開關(guān)管用的場效應(yīng)管，就屬于這種特例（一般為功率型NMOS管）。對(duì)于增強(qiáng)型NMOS／管，從其轉(zhuǎn)移特性看，其Ugs要大于開啟電壓(一般為幾伏)，管子才導(dǎo)通。而耗盡型NMOS管盡管Ugs可以為正、零或負(fù)值，但其Ugs=UP時(shí)(UP稱夾斷電壓，為負(fù)的幾伏)，：Id=0，管子截止，所以對(duì)于NMOS管，實(shí)際使用時(shí)，G極對(duì)地電位較低，若S極接供電(高電位)，則Ugs遠(yuǎn)小于0，超出管子的使用條件，必使管子擊穿損壞。

從輸出特性看，對(duì)于功率型NMOS管，工作時(shí)Uds>O，漏極擊穿電壓V(BR)ds很高，反之Usd很低，若S接高電位，D接低電位，則MOS管將被擊穿。

綜上所述，MOS管的D、S極不可隨意互換使用，功率型MOS管其D、S極絕不能互換。對(duì)于功率型MOS管，D、S極間多接有保護(hù)二極管D，有的G、S間極也接有保護(hù)二極管

D－S交換使用后，若外部負(fù)載電流的方向，與體二極管的導(dǎo)通方向一致時(shí)，那么柵極G將失去控制作用，此刻，若期望管子導(dǎo)通還好，但若期望管子關(guān)斷，就會(huì)發(fā)現(xiàn)根本就關(guān)不斷。因此當(dāng)場效應(yīng)管作為電源開關(guān)的時(shí)候，通常會(huì)需要外加一個(gè)快恢復(fù)二極管以保護(hù)場效應(yīng)管，或者來續(xù)流。

所以我們大致也能得出，MOSFET本質(zhì)上就是一個(gè)受驅(qū)動(dòng)電壓控制的高速電子開關(guān)，它只會(huì)工作在導(dǎo)通，或關(guān)斷2個(gè)狀態(tài)之一。以上大家還有什么問題想要了解的嗎？可以在評(píng)論區(qū)留言哦~

審核編輯：湯梓紅