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氮化硼絕緣高導(dǎo)熱墊片---5G新材料

Cavan0755 ? 來(lái)源:Cavan0755 ? 作者:Cavan0755 ? 2022-10-22 19:35 ? 次閱讀

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關(guān)鍵詞:5G材料,高導(dǎo)熱絕緣材料,低介電材料,氮化硼高端材料

導(dǎo)語(yǔ):5G時(shí)代巨大數(shù)據(jù)流量對(duì)于通訊終端的芯片天線等部件提出了更高的要求,器件功耗大幅提升的同時(shí),引起了這些部位發(fā)熱量的急劇增加。BN氮化硼散熱膜是當(dāng)前5G射頻芯片、毫米波天線、AI、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域最為有效的散熱材料,具有不可替代性。

致力于解決當(dāng)前我國(guó)電子封裝及熱管理領(lǐng)域面臨的瓶頸技術(shù)問(wèn)題,建立了國(guó)際先進(jìn)的熱管理解決方案及相關(guān)材料生產(chǎn)技術(shù),是國(guó)內(nèi)低維材料技術(shù)領(lǐng)域頂尖的創(chuàng)新型研發(fā)團(tuán)隊(duì)。本產(chǎn)品是國(guó)內(nèi)首創(chuàng)自主研發(fā)的高質(zhì)量二維氮化硼納米片,成功制備了大面積、厚度可控的二維氮化硼散熱膜,具有透電磁波、高導(dǎo)熱、高柔性、低介電系數(shù)、低介電損耗等多種優(yōu)異特性,解決了當(dāng)前我國(guó)電子封裝及熱管理領(lǐng)域面臨的“卡脖子”問(wèn)題,擁有國(guó)際先進(jìn)的熱管理TIM解決方案及相關(guān)材料生產(chǎn)技術(shù),是國(guó)內(nèi)低維材料技術(shù)領(lǐng)域頂尖的創(chuàng)新型高科技產(chǎn)品。 產(chǎn)品的應(yīng)用方向?yàn)?G通訊絕緣熱管理,主要目標(biāo)市場(chǎng)可分為終端設(shè)備,智能工業(yè),及新能源汽車三大板塊。5G技術(shù)是近年來(lái)最受矚目的關(guān)鍵科技,也是國(guó)內(nèi)外重點(diǎn)發(fā)展的核心產(chǎn)業(yè)之一。隨著5G商用,工業(yè)4.0、智慧城市、無(wú)人駕駛等科技建設(shè)的推進(jìn),該項(xiàng)目已經(jīng)初步形成了萬(wàn)億的市場(chǎng)規(guī)模,并持續(xù)快速發(fā)展。

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5G技術(shù)---移動(dòng)通信產(chǎn)業(yè)的新發(fā)動(dòng)機(jī)

什么是5G?

“5G”一詞通常用于指代第 5 代移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)。5G 是繼之前的標(biāo)準(zhǔn)(1G、2G、3G、4G 網(wǎng)絡(luò))之后的最新全球無(wú)線標(biāo)準(zhǔn),并為數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用提供更高的帶寬。除其他好處外,5G 有助于建立一個(gè)新的、更強(qiáng)大的網(wǎng)絡(luò),該網(wǎng)絡(luò)能夠支持通常被稱為 IoT 或“物聯(lián)網(wǎng)”的設(shè)備爆炸式增長(zhǎng)的連接——該網(wǎng)絡(luò)不僅可以連接人們通常使用的端點(diǎn),還可以連接一系列新設(shè)備,包括各種家用物品和機(jī)器。公認(rèn)的5G的優(yōu)勢(shì)是:

?具有更高可用性和容量的更可靠的網(wǎng)絡(luò)

?更高的峰值數(shù)據(jù)速度(多 Gbps)

?超低延遲

與前幾代網(wǎng)絡(luò)不同,5G 網(wǎng)絡(luò)利用在 26 GHz 至 40 GHz 范圍內(nèi)運(yùn)行的高頻波長(zhǎng)(通常稱為毫米波)。由于干擾建筑物、樹(shù)木甚至雨等物體,在這些高頻下會(huì)遇到傳輸損耗,因此需要更高功率和更高效的電源。5G部署最初可能會(huì)以增強(qiáng)型移動(dòng)寬帶應(yīng)用為中心,滿足以人為中心的多媒體內(nèi)容、服務(wù)和數(shù)據(jù)接入需求。增強(qiáng)型移動(dòng)寬帶用例將包括全新的應(yīng)用領(lǐng)域、性能提升的需求和日益無(wú)縫的用戶體驗(yàn),超越現(xiàn)有移動(dòng)寬帶應(yīng)用所支持的水平。

毫米波是5G的關(guān)鍵技術(shù)

毫米波通信是未來(lái)無(wú)線移動(dòng)通信重要發(fā)展方向之一,目前已經(jīng)在大規(guī)模天線技術(shù)、低比特量化ADC、低復(fù)雜度信道估計(jì)技術(shù)、功放非線性失真等關(guān)鍵技術(shù)上有了明顯研究進(jìn)展。但是隨著新一代無(wú)線通信對(duì)無(wú)線寬帶通信網(wǎng)絡(luò)提出新的長(zhǎng)距離、高移動(dòng)、更大傳輸速率的軍用、民用特殊應(yīng)用場(chǎng)景的需求,針對(duì)毫米波無(wú)線通信的理論研究與系統(tǒng)設(shè)計(jì)面臨重大挑戰(zhàn),開(kāi)展面向長(zhǎng)距離、高移動(dòng)毫米波無(wú)線寬帶系統(tǒng)的基礎(chǔ)理論和關(guān)鍵技術(shù)研究,已經(jīng)成為新一代寬帶移動(dòng)通信最具潛力的研究方向之一。

毫米波的優(yōu)勢(shì): 毫米波由于其頻率高、波長(zhǎng)短,具有如下特點(diǎn):

頻譜寬,配合各種多址復(fù)用技術(shù)的使用可以極大提升信道容量,適用于高速多媒體傳輸業(yè)務(wù);可靠性高,較高的頻率使其受干擾很少,能較好抵抗雨水天氣的影響,提供穩(wěn)定的傳輸信道;方向性好,毫米波受空氣中各種懸浮顆粒物的吸收較大,使得傳輸波束較窄,增大了竊聽(tīng)難度,適合短距離點(diǎn)對(duì)點(diǎn)通信;波長(zhǎng)極短,所需的天線尺寸很小,易于在較小的空間內(nèi)集成大規(guī)模天線陣。

毫米波的缺點(diǎn):毫米波也有一個(gè)主要缺點(diǎn),那就是不容易穿過(guò)建筑物或者障礙物,并且可以被葉子和雨水吸收。這也是為什么5G網(wǎng)絡(luò)將會(huì)采用小基站的方式來(lái)加強(qiáng)傳統(tǒng)的蜂窩塔。

什么是熱管理?

熱管理?顧名思義,就是對(duì)“熱“進(jìn)行管理,英文是:Thermal Management。熱管理系統(tǒng)廣泛應(yīng)用于國(guó)民經(jīng)濟(jì)以及國(guó)防等各個(gè)領(lǐng)域,控制著系統(tǒng)中熱的分散、存儲(chǔ)與轉(zhuǎn)換。先進(jìn)的熱管理材料構(gòu)成了熱管理系統(tǒng)的物質(zhì)基礎(chǔ),而熱傳導(dǎo)率則是所有熱管理材料的核心技術(shù)指標(biāo)。

導(dǎo)熱率,又稱導(dǎo)熱系數(shù),反映物質(zhì)的熱傳導(dǎo)能力,按傅立葉定律(見(jiàn)熱傳導(dǎo)),其定義為單位溫度梯度(在1m長(zhǎng)度內(nèi)溫度降低1K)在單位時(shí)間內(nèi)經(jīng)單位導(dǎo)熱面所傳遞的熱量。熱導(dǎo)率大,表示物體是優(yōu)良的熱導(dǎo)體;而熱導(dǎo)率小的是熱的不良導(dǎo)體或?yàn)闊峤^緣體。

5G手機(jī)以及硬件終端產(chǎn)品的小型化、集成化和多功能化,毫米波穿透力差,電子設(shè)備和許多其他高功率系統(tǒng)的性能和可靠性受到散熱問(wèn)題的嚴(yán)重威脅。要解決這個(gè)問(wèn)題,散熱材料必須在導(dǎo)熱性、厚度、靈活性和堅(jiān)固性方面獲得更好的性能,以匹配散熱系統(tǒng)的復(fù)雜性和高度集成性。

什么是氮化硼?

氮化硼是由氮原子和硼原子所構(gòu)成的晶體?;瘜W(xué)組成為43.6%的硼和56.4%的氮,具有四種不同的變體:六方氮化硼(HBN)、菱方氮化硼(RBN)、立方氮化硼(CBN)和纖鋅礦氮化硼(WBN)。

氮化硼問(wèn)世于100多年前,最早的應(yīng)用是作為高溫潤(rùn)滑劑的六方氮化硼,不僅其結(jié)構(gòu)而且其性能也與石墨極為相似,且自身潔白,所以俗稱:白石墨。

氮化硼(BN)陶瓷是早在1842年被人發(fā)現(xiàn)的化合物。國(guó)外對(duì)BN材料從第二次世界大戰(zhàn)后進(jìn)行了大量的研究工作,直到1955年解決了BN熱壓方法后才發(fā)展起來(lái)的。美國(guó)金剛石公司和聯(lián)合碳公司首先投入了生產(chǎn),1960年已生產(chǎn)10噸以上。

1957年R·H·Wentrof率先試制成功CBN,1969年美國(guó)通用電氣公司以商品Borazon銷售,1973年美國(guó)宣布制成CBN刀具。

1975年日本從美國(guó)引進(jìn)技術(shù)也制備了CBN刀具。

1979年首次成功采用脈沖等離子體技術(shù)在低溫低壓卜制備崩c—BN薄膜。

20世紀(jì)90年代末,人們已能夠運(yùn)用多種物理氣相沉積(PVD)和化學(xué)氣相沉積(CVD)的方法制備c-BN薄膜。

從中國(guó)國(guó)內(nèi)看,發(fā)展突飛猛進(jìn),1963年開(kāi)始BN粉末的研究,1966年研制成功,1967年投入生產(chǎn)并應(yīng)用于我國(guó)工業(yè)和尖端技術(shù)之中。

物質(zhì)特性:

CBN通常為黑色、棕色或暗紅色晶體,為閃鋅礦結(jié)構(gòu),具有良好的導(dǎo)熱性。硬度僅次于金剛石,是一種超硬材料,常用作刀具材料和磨料。

氮化硼具有抗化學(xué)侵蝕性質(zhì),不被無(wú)機(jī)酸和水侵蝕。在熱濃堿中硼氮鍵被斷開(kāi)。1200℃以上開(kāi)始在空氣中氧化。真空時(shí)約2700℃開(kāi)始分解。微溶于熱酸,不溶于冷水,相對(duì)密度2.29。壓縮強(qiáng)度為170MPa。在氧化氣氛下最高使用溫度為900℃,而在非活性還原氣氛下可達(dá)2800℃,但在常溫下潤(rùn)滑性能較差。氮化硼的大部分性能比碳素材料更優(yōu)。對(duì)于六方氮化硼:摩擦系數(shù)很低、高溫穩(wěn)定性很好、耐熱震性很好、強(qiáng)度很高、導(dǎo)熱系數(shù)很高、膨脹系數(shù)較低、電阻率很大、耐腐蝕、可透微波或透紅外線。

物質(zhì)結(jié)構(gòu):

氮化硼六方晶系結(jié)晶,最常見(jiàn)為石墨晶格,也有無(wú)定形變體,除了六方晶型以外,氮化硼還有其他晶型,包括:菱方氮化硼(r-BN)、立方氮化硼(c-BN)、纖鋅礦型氮化硼(w-BN)。人們甚至還發(fā)現(xiàn)像石墨稀一樣的二維氮化硼晶體。

通常制得的氮化硼是石墨型結(jié)構(gòu),俗稱為白色石墨。另一種是金剛石型,和石墨轉(zhuǎn)變?yōu)榻饎偸脑眍愃?,石墨型氮化硼在高溫?800℃)、高壓(8000Mpa)[5~18GPa]下可轉(zhuǎn)變?yōu)榻饎傂偷稹J切滦湍透邷氐某膊牧希糜谥谱縻@頭、磨具和切割工具。

應(yīng)用領(lǐng)域:

1. 金屬成型的脫模劑和金屬拉絲的潤(rùn)滑劑。

2. 高溫狀態(tài)的特殊電解、電阻材料。

3. 高溫固體潤(rùn)滑劑,擠壓抗磨添加劑,生產(chǎn)陶瓷復(fù)合材料的添加劑,耐火材料和抗氧化添加劑,尤其抗熔融金屬腐蝕的場(chǎng)合,熱增強(qiáng)添加劑、耐高溫的絕緣材料。

4. 晶體管的熱封干燥劑和塑料樹(shù)脂等聚合物的添加劑。

5. 壓制成各種形狀的氮化硼制品,可用做高溫、高壓、絕緣、散熱部件。

6. 航天航空中的熱屏蔽材料。

7. 在觸媒參與下,經(jīng)高溫高壓處理可轉(zhuǎn)化為堅(jiān)硬如金剛石的立方氮化硼。

8. 原子反應(yīng)堆的結(jié)構(gòu)材料。

9. 飛機(jī)、火箭發(fā)動(dòng)機(jī)的噴口。

10.高壓高頻電及等離子弧的絕緣體。

11.防止中子輻射的包裝材料。

12.由氮化硼加工制成的超硬材料,可制成高速切割工具和地質(zhì)勘探、石油鉆探的鉆頭。

13.冶金上用于連續(xù)鑄鋼的分離環(huán),非晶態(tài)鐵的流槽口,連續(xù)鑄鋁的脫模劑。

14.做各種電容器薄膜鍍鋁、顯像管鍍鋁、顯示器鍍鋁等的蒸發(fā)舟。

15.各種保鮮鍍鋁包裝袋等。

16.各種激光防偽鍍鋁、商標(biāo)燙金材料,各種煙標(biāo),啤酒標(biāo)、包裝盒,香煙包裝盒鍍鋁等等。

17.化妝品用于口紅的填料,無(wú)毒又有潤(rùn)滑性,又有光澤。

未來(lái)前景:

由于鋼鐵材料硬度很高,因而加工時(shí)會(huì)產(chǎn)生大量的熱,金剛石工具在高溫下易分解,且容易與過(guò)渡金屬反應(yīng),而c-BN材料熱穩(wěn)定性好,且不易與鐵族金屬或合金發(fā)生反應(yīng),可廣泛應(yīng)用于鋼鐵制品的精密加工、研磨等。c-BN除具有優(yōu)良的耐磨性能外,耐熱性能也極為優(yōu)良,在相當(dāng)高的切削溫度下也能切削耐熱鋼、鐵合金、淬火鋼等,并且能切削高硬度的冷硬軋輥、滲碳淬火材料以及對(duì)刀具磨損非常嚴(yán)重的Si-Al合金等。實(shí)際上,由c-BN晶體(高溫高壓合成)的燒結(jié)體做成的刀具、磨具已應(yīng)用于各種硬質(zhì)合金材料的高速精密加工中。

c-BN作為一種寬禁帶(帶隙6.4 eV)半導(dǎo)體材料,具有高熱導(dǎo)率、高電阻率、高遷移率、低介電常數(shù)、高擊穿電場(chǎng)、能實(shí)現(xiàn)雙型摻雜且具有良好的穩(wěn)定性,它與金剛石、SiC和GaN一起被稱為繼Si、Ge及GaAs之后的第三代半導(dǎo)體材料,它們的共同特點(diǎn)是帶隙寬,適用于制作在極端條件下使用的電子器件。與SiC和GaN相比,c-BN與金剛石有著更為優(yōu)異的性質(zhì),如更寬的帶隙、更高的遷移率、更高的擊穿電場(chǎng)、更低的介電常數(shù)和更高的熱導(dǎo)率。顯然作為極端電子學(xué)材料,c-BN與金剛石更勝一籌。然而作為半導(dǎo)體材料金剛石有它致命的弱點(diǎn),即金剛石的n型摻雜十分困難(其n型摻雜的電阻率只能達(dá)到102Ω·cm,遠(yuǎn)遠(yuǎn)未達(dá)到器件標(biāo)準(zhǔn)),而c-BN則可以實(shí)現(xiàn)雙型摻雜。例如,在高溫高壓合成以及薄膜制備過(guò)程中,添加Be可得到P型半導(dǎo)體;添加S、C、Si等可得到n型半導(dǎo)體。因此綜合看來(lái)c-BN是性能最為優(yōu)異的第三代半導(dǎo)體材料,不僅能用于制備在高溫、高頻、大功率等極端條件下工作的電子器件,而且在深紫外發(fā)光和探測(cè)器方面有著廣泛的應(yīng)用前景。事實(shí)上,最早報(bào)道了在高溫高壓條件下制成的c-BN發(fā)光二極管,可在650℃的溫度下工作,在正向偏壓下二極管發(fā)出肉眼可見(jiàn)的藍(lán)光,光譜測(cè)量表明其最短波長(zhǎng)為215 nm(5.8 eV)。c-BN具有和GaAs、Si相近的熱膨脹系數(shù),高的熱導(dǎo)率和低的介電常數(shù),絕緣性能好,化學(xué)穩(wěn)定性好,使它成為集成電路的熱沉材料和絕緣涂覆層。此外c-BN具有負(fù)的電子親和勢(shì),可以用于冷陰極場(chǎng)發(fā)射材料,在大面積平板顯示領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。在光學(xué)應(yīng)用方面,由于c-BN薄膜硬度高,并且從紫外(約從200 nm開(kāi)始)到遠(yuǎn)紅外整個(gè)波段都具有高的透過(guò)率,因此適合作為一些光學(xué)元件的表面涂層,特別適合作為硒化鋅(ZnSe)、硫化鋅(ZnS)等窗口材料的涂層。此外,它具有良好的抗熱沖擊性能和商硬度,有望成為大功率激光器和探測(cè)器的理想窗窗口材料。

玻纖基材の氮化硼高導(dǎo)熱絕緣片

一、簡(jiǎn)介

SPA-SP035是一款純氮化硼填充且具有高導(dǎo)熱、超強(qiáng)耐電壓、密度低、低介電性能的硅酮彈性體。該材料超薄、柔軟、韌性強(qiáng),可滿足新能源汽車電池和電子封裝應(yīng)用的導(dǎo)熱絕緣需求。

SPA-SP035 is a boron nitride-filled silicone elastomer with high thermal conductivity, high breakdown voltage, low density, and low dielectric properties. It is ultrathin and flexible with high strength, which can meet the thermal management requirements in the applications such as electric vehicle batteries and electronic packaging.

二、性能參數(shù)

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三、產(chǎn)品特性

1、 高導(dǎo)熱系數(shù)(Z方向) 3.5W/(m·K) High thermal conductivity;

2、低熱阻 Low thermal resistance;

3、 高擊穿電壓High Breakdown voltage ;

4、高機(jī)械強(qiáng)度High mechanical strength。

四、產(chǎn)品應(yīng)用

?電池封裝
Battery packing
?高壓器件
High voltage
?大功率電源
High Power supply
?通信設(shè)備
Communication

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審核編輯 黃昊宇

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    全球最具潛力的前沿<b class='flag-5'>材料</b>30種 | <b class='flag-5'>5G</b>毫米波<b class='flag-5'>絕緣</b>透波<b class='flag-5'>氮化硼</b>散熱膜

    碳化硅 (SiC) 與氮化鎵 (GaN)應(yīng)用 | 氮化硼導(dǎo)熱絕緣

    SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)。由于使用的生產(chǎn)工藝,WBG設(shè)備顯示出以下優(yōu)點(diǎn):1.寬帶隙半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)在帶隙和擊穿場(chǎng)方面相對(duì)相似。氮化鎵的帶隙為3.2eV
    的頭像 發(fā)表于 09-16 08:02 ?805次閱讀
    碳化硅 (SiC) 與<b class='flag-5'>氮化</b>鎵 (GaN)應(yīng)用  | <b class='flag-5'>氮化硼</b><b class='flag-5'>高</b><b class='flag-5'>導(dǎo)熱</b><b class='flag-5'>絕緣</b>片

    V0阻燃等級(jí)氮化硼導(dǎo)熱絕緣

    傳遞,進(jìn)行散熱。MOS管在電子電路中起到放大或者開(kāi)關(guān)電路的作用,所以絕緣導(dǎo)熱性能材料是為MOS管散熱
    的頭像 發(fā)表于 06-18 08:09 ?544次閱讀
    V0阻燃等級(jí)<b class='flag-5'>氮化硼</b><b class='flag-5'>高</b><b class='flag-5'>導(dǎo)熱</b><b class='flag-5'>絕緣</b>片

    芯片散熱降溫仿真測(cè)試方案

    晟鵬展位圖公司介紹廣東晟鵬材料技術(shù)有限公司(廣東晟鵬科技有限公司)主要從事以氮化硼材料為主的電子封裝熱管理材料研發(fā)與生產(chǎn),是二維氮化硼商業(yè)化
    的頭像 發(fā)表于 06-06 08:10 ?613次閱讀
    芯片散熱降溫仿真測(cè)試方案

    晟鵬技術(shù) | 打造全球領(lǐng)先的中國(guó)散熱品牌

    晟鵬展位圖公司介紹廣東晟鵬材料技術(shù)有限公司(廣東晟鵬科技有限公司)主要從事以氮化硼材料為主的電子封裝熱管理材料研發(fā)與生產(chǎn),是二維氮化硼商業(yè)化
    的頭像 發(fā)表于 06-05 08:10 ?1100次閱讀
    晟鵬技術(shù) | 打造全球領(lǐng)先的中國(guó)散熱品牌

    5G芯片超薄絕緣導(dǎo)熱透波氮化硼散熱片

    ”嗎?芯片制造商比以往任何時(shí)候都更關(guān)注導(dǎo)熱材料和其他能夠帶走多余熱量的技術(shù)。芯片散熱需要做到“內(nèi)外兼修”,在降低能耗的同時(shí),還需保障組件的穩(wěn)定性和壽命。90%以上的熱量
    的頭像 發(fā)表于 05-22 08:09 ?582次閱讀
    <b class='flag-5'>5G</b>芯片超薄<b class='flag-5'>絕緣</b><b class='flag-5'>導(dǎo)熱</b>透波<b class='flag-5'>氮化硼</b>散熱片

    科學(xué)家提出傾斜臺(tái)階面外延生長(zhǎng)菱方氮化硼單晶方法

    來(lái)源:中國(guó)科學(xué)院物理研究所 常見(jiàn)的六方相氮化硼(hBN)因化學(xué)穩(wěn)定、導(dǎo)熱性能好以及表面無(wú)懸掛鍵原子級(jí)平整等特點(diǎn),被視為理想的寬帶隙二維介質(zhì)材料。菱方相氮化硼(rBN)可以保持hBN較多
    的頭像 發(fā)表于 05-07 17:55 ?875次閱讀
    科學(xué)家提出傾斜臺(tái)階面外延生長(zhǎng)菱方<b class='flag-5'>氮化硼</b>單晶方法

    北京大學(xué)問(wèn)世世界最薄光學(xué)晶體:氮化硼晶體

    據(jù)悉,光學(xué)晶體被譽(yù)為激光技術(shù)的核心部件,廣泛運(yùn)用于微納加工、量子光源及生物檢測(cè)等領(lǐng)域。北京大學(xué)科研團(tuán)隊(duì)通過(guò)不斷嘗試,最終確定氮化硼作為最適合研發(fā)新型激光器的材料。
    的頭像 發(fā)表于 04-26 10:41 ?754次閱讀

    5G通信散熱的VC及絕緣導(dǎo)熱透波氮化硼材料

    下,VC等相變傳熱技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用切實(shí)決定著通信產(chǎn)品散熱可靠性與性能升級(jí)空間,具有至關(guān)重要的意義。關(guān)鍵字:二維氮化硼材料,5G,絕緣導(dǎo)熱均熱
    的頭像 發(fā)表于 04-02 08:09 ?1082次閱讀
    <b class='flag-5'>5G</b>通信散熱的VC及<b class='flag-5'>絕緣</b><b class='flag-5'>導(dǎo)熱</b>透波<b class='flag-5'>氮化硼</b><b class='flag-5'>材料</b>

    導(dǎo)熱絕緣透波超薄氮化硼均熱膜

    隨著第五代移動(dòng)通信技術(shù)(5G技術(shù))的出現(xiàn)與快速發(fā)展,電子產(chǎn)品尤其是智能手機(jī)、平板電腦等產(chǎn)品,越發(fā)朝著高性能、集成和微型化的方向發(fā)展。功耗成倍的增長(zhǎng)將導(dǎo)致電子芯片在狹小空間內(nèi)產(chǎn)生過(guò)高的熱流密度
    的頭像 發(fā)表于 02-23 08:09 ?871次閱讀
    <b class='flag-5'>高</b><b class='flag-5'>導(dǎo)熱</b><b class='flag-5'>絕緣</b>透波超薄<b class='flag-5'>氮化硼</b>均熱膜
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