本文(上)回顧了氮化鎵的發(fā)展歷程和意法半導(dǎo)體MasterGaN產(chǎn)品系列和解決方案。請點擊閱讀。
VIPerGaN50是ST VIPerGaN系列產(chǎn)品中的第一位成員。VIPerGaN 系列產(chǎn)品隸屬于VIPerPlus。傳統(tǒng)的VIPerPlus系列的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)是將一顆PWM控制器以及高壓的功率器件集成在一個封裝內(nèi)。ST的VIPerGaN 產(chǎn)品系列相當(dāng)于將傳統(tǒng)的硅基高壓功率器件替換成氮化鎵功率器件,與傳統(tǒng)的VIPerPlus 系列一樣, VIPerGaN 產(chǎn)品具有低待機功耗、高效率的優(yōu)勢。器件穩(wěn)定及ESD防護,且芯片內(nèi)部支持多種保護功能。
對于使用者來說,更容易實現(xiàn)低功耗,并且同時節(jié)省了使用者的材料清單里器件的數(shù)量。從上圖可以看出,VIPerGaN50可以支持的功率最大,可以到50W,內(nèi)部的氮化鎵功率器件耐壓是650V。VIPerGaN50的加入,同時也打破了傳統(tǒng)VIPerPlus功率在20W以內(nèi)的限制。
VIPerGaN50將最新的PWM控制器功能和技術(shù)與寬帶技術(shù)相結(jié)合。它采用650V耐壓的氮化鎵高電子遷移率晶體管,作為集成電源設(shè)備,搭配最新的全功能PWM控制器和所有的VIPerPlus系列一樣,VIPerGaN內(nèi)置了高壓啟動功能以及各種保護功能。
內(nèi)置的氮化鎵晶體管和柵極驅(qū)動器,允許有效的準(zhǔn)諧振PWM控制器,開關(guān)頻率最大可以運行到240K赫茲,以保持外部磁性元件的小型化以及非常緊湊的布局。VIPerGaN除了具有氮化鎵的低開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗的優(yōu)點外,還集成了動態(tài)消隱及可調(diào)谷同步和自適應(yīng)突發(fā)模式,使所有功率水平的功耗最小化,并且它的待機功耗僅為30毫瓦。所有的這些功能都集成在一個非常小的封裝,QFN5x6的封裝內(nèi),使用VIPerGaN進行設(shè)計,可以使材料清單非常簡單,便于設(shè)計緊湊和高效的交直流轉(zhuǎn)換電源。
嵌入在VIPerGaN50中的氮化鎵晶體管具有650V的耐壓。但在其850V的耐壓下,可維持最多1微秒的脈沖時間。該功率器件的導(dǎo)通電阻為450毫歐,極電流可達4A。雖然VIPerGaN50的RDS(on)很低,開關(guān)損耗很低。
但在芯片的散熱設(shè)計的時候,需要注意的是,在封裝的底部有一個裸露的散熱焊盤。該焊盤應(yīng)連接到足夠的銅平面,以優(yōu)化開關(guān)性能和散熱性能。目前在我們的官網(wǎng)上可以找到兩款有關(guān)VIPerGaN50的評估版。兩塊評估板都可以支持,85V到265V的交流。
如上圖所示。目前在ST官網(wǎng)上可以找到兩款有關(guān)VIPERGAN50的評估板。兩個評估板都能提供85到265VAC的輸入范圍。一種是固定輸出的,固定電壓輸出的評估板輸出電壓固定在12V,電流最大可以到4.2A。另外一塊,評估板可以支持USB PD的輸出,輸出電壓可以支持到5V到20V直流輸出。輸出的功率最大可以支持到45W。這兩塊評估板都非常有助于為大型和小型電器。電動汽車充電器、照明運動控制輔助用品和緊湊型USB 電。電源的小型化設(shè)計。VIPerGaN50具有非常豐富的功能。這些功能可以通過簡單的外圍電路進行選擇控制。
如圖所示。四個接地引腳和裸露的墊片應(yīng)綁在牢固的接地平面上,以降低噪聲和熱阻。兩個漏極引腳直接連接到輸出功率晶體管的漏極。BR引腳提供brown in brown out 的功能, IOVP為輸入過壓設(shè)置。
HV為集成高壓啟動電路設(shè)置。TB是一個重要的引腳,用于控制動態(tài)效應(yīng),時間和股同步調(diào)整, fb 是占空比控制的反饋引腳,ZCD用于感應(yīng)變壓器消磁的過淋檢測以及前饋補償和輸出OVP傳感,VDD為電源電壓,最后的DRV引腳是集成氮化鎵三級驅(qū)動器的旁路引腳。
接下來將為大家簡單介紹一下ST45W USB PD評估版的性能及參數(shù)。目前45W評估版可以支持85V到265V,交流電壓輸入,輸出支持5V3A,9V 3A,12V 3A,15V 3A、20V 2.25A。板子尺寸為63x32x22毫米。
其最大輸出功率可以支持45W。功率密度為18.3V每立方英寸。峰值效率可以到92%以上。這里是評估版各個重要器件,分別在115V和230V交流輸入時的溫度數(shù)據(jù)的展示。
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