不知道這篇文字應該叫電路邏輯結構還是高速信令,想寫的原因是基于之前學習模型或者看芯片的設計規范時,會有下面的一些信息:
IBIS模型,電路邏輯模型結構里面有COMS電路,由一個上拉的PMOS管和一個下拉的NMOS管構成,在I/O的接口位置,還有兩個鉗位二極管。
IBIS模型簡化結構
看芯片datasheet ,也會有各種電路邏輯結構:
所以,就想了解一下這些電路邏輯結構。
信號完整性的工作,不管是SI,PI還是EMI,都是管控信號傳播路徑,來滿足相關標準。而我們看到的紅圈標記的東西,是另一種標準,即發送/接收端確定以何種的高低電平與結構進行信號轉移傳遞。有的資料說,這就是高速信令。
TTL 和CMOS邏輯電路是大學時期數字信號的基礎知識,那里面有邏輯電平分類:5V(5V TTL 5V COMS)3.3V ,2.5V,1.8V等。TTL 和CMOS邏輯電路都是5V電源電壓。但這里面還有區別,輸入高低電平和輸出高低電平不一樣,比如TTL輸出高電平>=2.4V,而CMOS輸入高電平是3.5V,這時候CMOS電路檢測不到高電平,就滿足不了要求。
可以通過轉換符合電平輸出的芯片,或者增加上拉電阻的方式,來輸出符合要求的電平。一般來說CMOS電路可以直接驅動TTL,但是TTL 不能直接驅動CMOS。
所以不同信令之間需要轉換電路來完成對接。
TTL 電路是電流控制器件,CMOS電路是電壓控制器件,這有什么區別呢?電壓控制需要一個開關的過程,有傳輸延遲,大概在25~50ns,電流控制雖然延遲小,但功耗大。
不同應用會選擇不同的邏輯電路。背板系統的總線驅動之前采用TTL或CMOS邏輯電路。但是其3.3~5V的高電壓擺幅導致高功耗,也不能提供正確匹配所需的負載條件。這個時候,采用GTLP(Gunning Transceiver Logic Plus),更低的電壓擺幅和集電極開路輸出級解決了這些問題。
差分信令,第一時間想到的就是LVDS。
LVDS(Low-Voltage Differential Signaling,低電壓差分信令)又稱RS-644總線接口,是一種數據傳輸和接口技術。LVDS是PCB板級或子系統間高速數據傳輸的一種高可靠、低功耗、低噪聲、低成本的解決方案。
LVDS采用的是電流模邏輯。LVDS輸出包括一個恒流源,它驅動差分對的電流。兩個N管導通,在接收器前的匹配電阻上產生正向壓降,輸出高電平;兩個P管導通,在接收器前的匹配電阻上產生反向壓降,則輸出低電平。接收器匹配電阻上的壓降,正向為高,反向為低。
這一邏輯結構采用低功耗CMOS管,電流源的電流一般為3.5mA,接收器前的匹配電阻一般為100Ω,產生的壓降為350mV。
LVDS與TTL/CMOS邏輯的接口設計非常方便,采用SerDes芯片就可以輕松實現TTL/CMOS邏輯并行總線到LVDS串行總線的轉換,以及從LVDS串行總線到TTL/CMOS邏輯并行總線的轉換。
高速信令有單端信令和差分信令之分。
信令指標有很多,比如:邏輯信號電平,應用場景,電壓擺幅,驅動方式,負載匹配,是否支持熱插拔,支持最大的數據率等。
邏輯電路及電壓要求
說到應用場景,總結一下常見的一些高速信令:
AGTL+(Assisted Gunning Transceiver Logic+)用于處理器、存儲器和I/O之間的多處理接口以及各種Intel芯片組的系統總線的信令技術。
HSTL(High-speed Transceiver Logic)一般工作在200MHz以上,是高速存儲器應用的I/O接口首選,非常適用于多存儲器組地址總線的驅動。在中頻范圍(100~180MHz),I/O端口的單端信令還有GTL/GTL+、SSTL和LVTTL。
SSTL(Stub-Series Terminated Logic)信令標準是專為高速存儲器應用開發而制定的。特別針對工作頻率為333MHz或以上單雙數據率的SDRAM,還支持眾多存儲器、3D圖形卡、LCD顯示、DTV接口和機頂盒等。
JEDEC定義了3種SSTL標準:EIA/JESD8-8 3.3V SSTL(SSTL 3);EIA/JESD8-9B 2.5V SSTL(SSTL 2);EIA/JESD8-15 1.8V SSTL(SSTL 18)。
ECL差分信令能提供比其他任何邏輯更短的傳播時延和更高的切換速率。有的器件每個差分對能夠傳輸12Gbps的數據率,應用在高速測試儀器、光纖網絡儀器、超高速路由器、網絡存儲設備、10 Gb以太網、企業計算服務器和高性能工作站等。
CML(Current-Mode Logic)信令屬于ECL工藝,廣泛應用于新型高速器件,應用于網絡物理層和SerDes器件。CML串行差分信令數據率為1~10Gbps,速度取決于驅動器和接收器的生產工藝技術。
應用部分,硬件工程師很關注,信號完整性方面,我們更關注相關邏輯電路在實際版圖的設計,相關規則:1.走線阻抗匹配;2.對稱性走線;3.減少過孔數量及相關不連續點;4.走線角度……都是關于管控信號完整性的高速設計的相關規則。未來高速設計的規則會成為一種常態,如何在設計中管控和取舍,這里就不過多展開了。
審核編輯:劉清
-
NMOS
+關注
關注
3文章
295瀏覽量
34511 -
信號完整性
+關注
關注
68文章
1416瀏覽量
95571 -
轉換電路
+關注
關注
2文章
205瀏覽量
30520 -
鉗位二極管
+關注
關注
1文章
33瀏覽量
9208
發布評論請先 登錄
相關推薦
評論