在mos的日常使用中若出現(xiàn)不明原因損壞時(shí)，會(huì)出現(xiàn)需要開(kāi)蓋直接觀察的情況。最完美的流程是將MOS寄回廠，封裝廠有專(zhuān)用的溶液進(jìn)行腐蝕，然后他們的工程師會(huì)出具失效報(bào)告（耗時(shí)長(zhǎng)，且等來(lái)的答案不一定令人滿(mǎn)意）。

但很多情況下，我們甚至沒(méi)有途徑和時(shí)間將其寄回廠。例如學(xué)生黨做畢業(yè)設(shè)計(jì)，根本等不了這么久、或者因?yàn)榫唾I(mǎi)了幾十個(gè)根本不睬學(xué)生。

所以，下面介紹一種簡(jiǎn)易的可以在學(xué)校實(shí)驗(yàn)室就輕易完成的化學(xué)開(kāi)蓋手法。

第一步，物理開(kāi)蓋。將MOSFET咔嚓成如圖一右邊這個(gè)樣子。（不清楚如何操作可以看我上一篇文章）物理開(kāi)蓋因?yàn)槭址▎?wèn)題，會(huì)殘留一些環(huán)氧樹(shù)脂在晶片上。如圖一右邊mos，晶片上有一個(gè)小黑點(diǎn)就是環(huán)氧樹(shù)脂。小黑點(diǎn)下面有一個(gè)鋁層。我們把鋁層去掉了，環(huán)氧樹(shù)脂也就沒(méi)了。

圖一

第二步，準(zhǔn)備一個(gè)燒杯，杯內(nèi)50ML的水+7ML的氫氧化鈉加熱至100℃，將圖一右側(cè)MOS置入溶液中。其原理為：2Al+2NaOH+6H2O=2Na [Al(OH)4]+3H2↑

其現(xiàn)象為：鋁層開(kāi)始溶解,伴隨有氣泡產(chǎn)生，如圖二。

圖二

第三步，等溶液中看不到氣泡后，撈出來(lái)，注意不要碰到晶片，隨著我們的抽絲剝繭，沒(méi)啥東西可以保護(hù)硅晶片了，所以很容易劃傷。將MOS自然吹干（去水漬）。

第四步，將處理好的MOS拿到顯微鏡下觀察，分析失效原因。

附錄：

圖3為物理開(kāi)蓋顯微鏡下呈現(xiàn)的樣子。

圖4為去鋁層后顯微鏡下呈現(xiàn)的樣子。

注：兩圖為同一款型號(hào)的MOS，但不是同一顆。

可以發(fā)現(xiàn)沒(méi)有了環(huán)氧樹(shù)脂的遮擋，圖4看到的燒點(diǎn)比圖三清晰很多。

圖三

圖四

審核編輯 黃昊宇