近日，ASML明示，1nm工藝能實(shí)現(xiàn)。摩爾定律可繼續(xù)十年。

ASML表示從整個(gè)行業(yè)的發(fā)展路線來(lái)看，它們將在未來(lái)十年甚至更長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)讓摩爾定律繼續(xù)保持這種勢(shì)頭。

在過(guò)去的57年中，摩爾定律一直是指導(dǎo)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的黃金法則。即使驅(qū)動(dòng)摩爾定律生效的條件正在發(fā)生改變，它也將繼續(xù)指引行業(yè)前行。

1965年，時(shí)任仙童半導(dǎo)體公司研發(fā)總監(jiān)的戈登?摩爾撰寫了一篇關(guān)于未來(lái)10年內(nèi)半導(dǎo)體芯片發(fā)展趨勢(shì)的文章，對(duì)當(dāng)時(shí)芯片生產(chǎn)的技術(shù)能力和經(jīng)濟(jì)效益進(jìn)行了大膽預(yù)測(cè)：

“在最小成本的前提下，單個(gè)芯片上的元器件數(shù)量基本上是每一年翻一倍。并且至少在未來(lái)十年保持這個(gè)增長(zhǎng)速度，到1975年單個(gè)芯片上將集成65,000個(gè)元器件。”

這一預(yù)測(cè)實(shí)際上也是對(duì)當(dāng)時(shí)半導(dǎo)體行業(yè)驚人的發(fā)展速度的真實(shí)寫照。不過(guò)，摩爾本人后來(lái)形容這是“一個(gè)大膽的推斷”。但就是這樣的一個(gè)推斷，在半導(dǎo)體行業(yè)不斷的變革中得到了多次證實(shí)，同時(shí)，業(yè)內(nèi)人士也在此基礎(chǔ)上不斷對(duì)其進(jìn)行延伸。

雖然摩爾定律成功指引了半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展，但事實(shí)上，它從來(lái)就不是科學(xué)意義上的一則真正“定律”。誠(chéng)然，它描述了半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展中取得的一系列令人印象深刻的成就，但它的預(yù)測(cè)更像是半導(dǎo)體行業(yè)寄予自己的一個(gè)雄心勃勃的目標(biāo)或路線圖。它之所以被廣泛采用，更多的是芯片制造商出于經(jīng)濟(jì)原因——希望芯片的功能能以一個(gè)可承受的價(jià)格來(lái)實(shí)現(xiàn)——而不是基于任何物理原理。

在過(guò)去的15年里，這些創(chuàng)新方法使摩爾定律依然生效且狀況良好。從整個(gè)行業(yè)的發(fā)展路線來(lái)看，它們將在未來(lái)十年甚至更長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)讓摩爾定律繼續(xù)保持這種勢(shì)頭。

當(dāng)然，在元件方面，目前的技術(shù)創(chuàng)新足夠?qū)⑿酒闹瞥掏七M(jìn)至至少1納米節(jié)點(diǎn)，其中包括gate-all-around FETs，nanosheet FETs，forksheet FETs，以及complementary FETs等諸多前瞻技術(shù)。此外，光刻系統(tǒng)分辨率的改進(jìn)（預(yù)計(jì)每6年左右縮小2倍）和邊緣放置誤差（EPE）對(duì)精度的衡量也將進(jìn)一步推動(dòng)芯片尺寸縮小的實(shí)現(xiàn)。

ASML作為半導(dǎo)體行業(yè)的引領(lǐng)者之一，始終為行業(yè)提供創(chuàng)新支持。我們的EPE路線圖是全方位光刻技術(shù)的關(guān)鍵，它將通過(guò)不斷改進(jìn)光刻系統(tǒng)和發(fā)展應(yīng)用產(chǎn)品（包括量測(cè)和檢測(cè)系統(tǒng)）來(lái)實(shí)現(xiàn)。

此外，我們預(yù)計(jì)系統(tǒng)級(jí)的擴(kuò)展將發(fā)揮更大的作用：去年，存儲(chǔ)器制造商生產(chǎn)了176個(gè)存儲(chǔ)層疊加的3D NAND芯片，并宣布到2030年左右將生產(chǎn)超過(guò)600個(gè)存儲(chǔ)層的芯片路線圖。如果說(shuō)摩爾定律57年的歷史向我們展示了什么，那就是半導(dǎo)體行業(yè)充滿了新發(fā)展的想法。

只要我們還有想法，摩爾定律就會(huì)繼續(xù)生效！

審核編輯 ：李倩