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摘要

準備好無缺陷掩模供應是將極端紫外線光刻(EUVL)應用于32納米半間距(HP)及更大的大批量半導體制造的關鍵挑戰之一。根據ITRS在2008年更新的數據，對于32納米的惠普，需要去除的缺陷尺寸為25納米。另一方面，在2008年發表的報告中，對于32納米高壓線和空間圖案，EUV掩模上吸收體缺陷的臨界缺陷尺寸被描述為大約24納米，這意味著必須去除具有相同尺寸的顆粒。在如此嚴格的缺陷要求下，清潔工藝必須發揮關鍵作用，以去除這些微小的顆粒缺陷。然而，由于缺乏薄膜保護，EUV掩模清洗面臨著與反射掩模結構、諸如釕(Ru)覆蓋層的新材料以及更頻繁的清洗相關的獨特挑戰。因此，它必須足夠溫和，不會損壞EUV掩模上的脆弱圖案和表面，特別是非常薄的釕覆蓋層。競爭的需求使得EUV口罩清潔更具挑戰性。

本文報告了使用靈敏度為80納米的空白檢測工具M1350對清潔相關問題的綜合評估。在本文中，我們使用靈敏度為50納米的新型空白檢測工具M7360，將我們的努力擴展到更小的缺陷。

介紹

濕法清洗過程中殘留在表面的小顆粒(所謂的添加劑)是擴展當前基于SPM(硫酸和過氧化氫混合物)的清洗過程以滿足EUV要求的主要問題。為了應對這一挑戰，我們評估了各種清潔工藝和化學物質的效果，并成功地在EUV掩模坯體上實現了零清潔添加和100%的顆粒去除效率。這些數據是使用80納米靈敏度的Lasertec M1350獲得的。今年，我們開始使用第二代檢測工具 M7360對清潔性能進行評估，該工具在EUV掩模坯件上的檢測靈敏度為50納米二氧化硅等效粒徑缺陷。這種高靈敏度的檢測工具使我們能夠改進清潔過程，并認識到在清潔更小顆粒方面的進一步挑戰，這些顆粒以前在M1350上是看不到的.在本文中，我們介紹了我們使用M7360和其他計量工具對較小顆粒的清潔性能和加法器分析的最新結果。

實驗

本研究采用的清洗工藝基于標準的SPM和SC1化學。我們選擇了處理過程中帶有顆粒和污染物的測試樣品，以代表實際使用過程中更真實的口罩污染情況。為了量化清潔性能，使用清潔前后M1350和M7360的缺陷圖計算清潔過程中的顆粒去除效率(PRE)和加法器。在我們的指標中，PRE定義為PRE= (n1 - n2) /n1×100.這里，n1是處理過程中添加的粒子數，n2是n1中未移動的粒子數.另一方面，通過比較清潔前后的缺陷位置來計算清潔加法器。

用M7360標記一些缺陷，以表征缺陷尺寸和成分。用原子力顯微鏡(AFM)測量高度，用掃描電子顯微鏡(SEM)測量橫向尺寸，用俄歇電子能譜(AES)測量成分，對缺陷進行表征。由于我們針對AES分析的缺陷尺寸非常小，因此我們通過仔細比較作為缺陷附近參考的光譜來確定缺陷成分。

結果和討論

本節使用M1350和M7360評估了處理顆粒和清潔加法器的性能，以量化整體清潔性能。圖1(a)中M1350測量的缺陷圖分別顯示了添加的處理顆粒和當前記錄(POR)清洗過程后的剩余顆粒。從這些評估中，我們得出結論，我們目前的POR清潔工藝能夠清潔50納米的顆粒，并且沒有大于80納米的添加劑。然而，對于更小的缺陷，我們認為工藝加法器是當前POR清洗工藝中需要解決的關鍵問題。

本節研究描述的下一步是我們在清洗后發現的添加物。表征的目的是確定加法器的來源，并開發減少它們的方法。圖3顯示了根據原子力顯微鏡圖像確定的加法器尺寸(面積和高度)的散點圖。

在分段測試中，整個清洗過程分為三個獨特的步驟，并針對該步驟中使用的相應化學品對加法器進行評估。這三個步驟是SPM化學，熱去離子水沖洗和SC1化學過程。M7360測量的加法器圖如圖6所示.觀察到最多的加法器是SPM化學過程，其次是熱水過程和SC1化學過程。這些結果表明，SPM化學導致大多數加法器。

如前所述，我們確定加法器為No。1。 EUV口罩清潔過程中的挑戰。如上所述，我們將加法器源隔離為SPM化學步驟。下一步是消除加法器。理想情況下，在運送到使用地點之前，人們希望過濾掉化學物質中的所有顆粒。我們解決加法器問題的方法是雙重的；一種是通過過濾從SPM化學品中去除顆粒，另一種是防止顆粒粘附在表面。事實上，我們通過改進過濾系統，在M1350檢測的基礎上，實現了大于80 nm缺陷的零加法器最終清洗。然而，基于M7360檢查，相同的清洗過程產生了約60個尺寸小于80納米的加法器。對于液體化學過濾來說，保持無顆粒是極其困難的，尤其是對于小顆粒。

使用標準濕法清潔從EUV掩模空白中去除納米顆粒