芯片濕法刻蝕殘留物去除方法
大家知道芯片是一個要求極其嚴格的東西，為此我們生產中想盡辦法想要讓它減少污染，更加徹底去除污染物。那么，今天來說說，大家知道芯片濕法刻蝕殘留物到底用什么方法去除的呢？
芯片濕法刻蝕殘留物去除方法主要包括濕法清洗、等離子體處理、化學溶劑處理以及機械研磨等。以下是對芯片濕法刻蝕殘留物去除方法的詳細介紹：
濕法清洗
銅腐蝕液（ST250）：銅腐蝕液主要用于去除聚合物殘留物，其對聚合物的去除能力比較強。
稀氟氫酸（DHF）：稀氟氫酸能有效去除側壁損傷層，也能去除大多數刻蝕后的聚合物殘留物。
等離子體處理
含F物質的結殼帶與無F散裝帶：為了增強結殼帶，在等離子體中加入含F的物質，但需注意這些傾向于攻擊暴露的氧化硅襯底。
CF4+O2等離子體：用于去除聚合物步驟，隨后使用O2等離子體去除感光膜。
化學溶劑處理
熱SPM、有機溶劑：如熱SPM（過氧化硫模塊）/食人魚溶液、臭氧和硼材料等，用于去除光致抗蝕劑。
n-甲基吡咯烷酮（NMP）、二甲基亞氨基甲酸（DMSO）和四銨甲（TMSO）：這些溶劑型流體以各種形式和結合工藝使用，提高產量并減少系統損壞。
機械研磨
在某些情況下，可能需要采用機械研磨的方法來去除頑固的殘留物。
審核編輯 黃宇
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